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以NREL 5 MW风力机为研究对象,忽略风轮的仰角和锥角,采用CFD数值模拟方法并选用SST湍流模型研究均匀来流条件下不同风速时风力机的输出功率,并与FAST软件的计算结果进行比较。分析叶片展向不同截面的压力分布和径向速度流场,讨论风力机尾流场速度和湍动能的变化规律。研究结果表明,沿着叶片展向自叶根至叶尖,吸力面压力逐渐降低,低压区覆盖面积逐渐增大;压力面压力逐渐升高,前缘与尾缘附近压力增幅较大。风穿过风轮能量被大量吸收,风轮对来流的阻塞作用主要集中在近尾流区。风轮后随着流体从近尾流区运动到远尾流区湍动能逐渐减小。 相似文献
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为制成千兆位级DRAM ,人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此 ,开发了SiO2 ,膜 /氮化膜、Ta2 O5膜等。而且 ,也期待开发高介电常数电容器材料———钛酸钡锶氧化膜 (BST :(BaSr)TiO3)成膜技术。此时 ,NEC便开发了低温成膜和台阶覆盖性良好的ECR—CVD法形成的BST成膜装置。开发的装置特点如下 :( 1)Ba、Sr、Ti各种材料为挥发性金属化合物 ,Ba、Sr采用decatnate系络合物材料 ;Ti采用醇盐系材料。靠着精密原料输送系统的温控可控制原料化合物的蒸气压 ,进而控制原料输… 相似文献
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松下电器产业开发了起因于信号布线造成的延迟减小的中空结构多层布线技术。该技术由下面新技术构成 :即 ,将中空结构的多层介质膜作为层间介质膜而形成的技术 ,将布线结构本身厚膜化再进行布线间隙的高平面形状化技术 ,采用自调整方式的经路 (Via)形成技术。由于布线结构的高平面形状化和中空结构的层间介质膜多层化 ,在 0 3μm布线间隔时 ,获得布线间为 1 8电容率。由于布线结构加厚而布线间隔的纵横比尺寸增高及层间介质膜复盖特性最佳化 ,因而将布线间隔的空隙率提高至 90 % ,因此提高了实质性的电容率。由于层间介质膜多层化 ,控… 相似文献
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本文在相对正交曲线座标系中建立了两类相对流面(S_1流面和S_2流面)上边界层微分方程组。所给方程不仅描述了静、动叶流道内边界层流动的一般特性,而且可用于叶片表面和内外端壁附近由于二次流动引起流面翘曲时的计算,特别适用于与S1、S_2流面的势流方程相互迭代,求解高R_e值下叶栅流道内的三元粘性流场。 相似文献
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诸多半导体器件是在硅圆片厚度的仅 1/ 10 0 0薄的表层制作其工作层。为制作如此薄且微细结构 ,通常采用气体等离子体来加工半导体的工艺是干法腐蚀。它与原来的湿法腐蚀 (用溶液溶化 )相较 ,可实现极佳微细化。但此工艺会对表面周边造成损伤 ,有时会使材料的电特性完全发生变化。估计损伤的主体是半导体结晶规则性原子排列部分损坏 (点缺陷 )。但其详情尚待研讨。NEC最近采用了新的分析方法 ,即 :将介助于萤光间接进行对点缺陷强有力的分析方法———电子自旋共鸣测定 (DRMR法 )与只在硅片表面附近欲测定部分配置带来与周围不同能量… 相似文献
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莫托洛拉公司 ,东京电子等三家公司发表了可进行圆片级老化的先进新技术。靠着此技术而使最先进的半导体制作工艺中的测试工序简略化及复合化 ,其成本控制约为 15 % ,制作周期缩短约 2 5 %。此项新老化测试是采用“东京电子”的圆片探针技术 ,对作在圆片上的各芯片在进行 12 5~ 15 0℃之间温控的同时 ,可加电负荷。最初 ,此技术用于高性能器件中采用“凸焊点”方式用接触技术半导体制品 ,最终却几乎适于所有的半导体。此项新技术是 :将做好电路图形的圆片放置在高平坦度的热卡盘上 ,然后使数千引脚的接触用探头与圆片对位。实际的接触是借… 相似文献
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