基于介质上电润湿的透射式显示器件

提出了一种基于介质上电润湿效应的新型透射式显示单元结构,它由夹在带有透明电极的两块玻璃板间的有色油滴和水组成,其中一个电极表面涂覆有疏水性介质层．通过改变两个电极间的外加电势,能够调节油滴对介质层的覆盖面积,从而控制显示单元的“开”、“关”状态．制作了具有该种单元结构的4×3显示阵列样机,并给出了初步的测试结果．     

低碳含量a—Si1—xCx：H薄膜的Raman和荧光特性

采用Raman和荧光测量研究了低碳含量a-Si1-xCx:H(x≤20％（原子比）薄膜的结构特征，并选用两种同不波长的激光来激发这些材料，采用647．1nm光激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的透射深度，而488．0nm光激发时则被样品表面强烈吸刷，探测深度的变化造成了Raman谱和荧光有较大的差异，这些结果一方面表明样品的表面存在一层高深度的缺陷层，同时也证明样品体内存在着带隙的空间起伏，这两种空间的不均性成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半主比低能激发时有大的红移和展宽，而荧光峰和半高宽则有小的蓝移和展宽，以上结果表明在a-Si1-xCx:H样品中，Raman荧光测量结果受激发波长的影响比较明显。     

a-SiCx:H p-i结的电致发光

在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上，利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx：H薄膜，然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构，并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明，器件具有整流效应，正反向电压分别为8V和12V；在正向电压高于8V时，观测到了电致发光。最后，根据我们提出的能带模型很好地解释了实验结果。     

Ti—AlN是面组分分布的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法在２００℃的抛光ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积厚度为２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱对样品进行了深度剖析，给出了Ｔｉ／ＡｌＮ界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱，Ｘ射线衍射分析和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元相图推断，铝化物是Ｔｉ－Ａｌ二元和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元化合物。     

a-SiNx∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究

采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,TA模相对于TO模的强度增加且频率有较大的蓝移 ,TO模的频率及半高宽则变化较小。N的引入使得样品在750℃ (高于a Si∶H的晶化温度 )退火时不能结晶。退火引起大量H的逸出 ,使得样品的缺陷态密度大大增加 ,导致TO模和TA模均有大的红移 ,TO模的半高宽也急剧增加 ,并且在 492cm- 1 出现了退火前较难观察到的代表Si3 N呼吸模的振动峰     

一种新型基于电润湿的受光反射型显示单元

利用电润湿原理制备了一种新型受光反射型显示单元。利用具有良好黏合性、疏水性和耐油性的PDMS(聚二甲基硅氧烷)材料,研制了结构精简的反射型显示单元,成功地控制了显示单元中油滴的扩张与收缩,实现了像素单元对比度的变化。     

TFT的热电特性及其在室温IRFPA中的应用

描述了非晶硅薄膜晶体管(TFT)的热电特性,表明TFT是一种有潜力的室温红外焦平面阵列(IRFPA)的敏感元件,介绍了集成式8×8TFT IRFPA的主要制作工艺,并给出了实验结果.     

Mo／α—Al2O3界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法，在２００℃的抛光（１１０２）取向的蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）单晶衬底上淀积厚度为３００ｎｍ的Ｍｏ膜。经８７０℃下不同真空退火时间处理后，运用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术进行了深度剖析，并结合ＸＲＤ物相分析，对Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３界面问题进行了探讨。结果表明，在Ｍｏ／Ａｌ２Ｏ３界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有ＭｏＯ２生成。延长退火时间，过渡层变化不大。     

以混频器作为信号处理单􀀂 元的环振式压力传感器

提出了一种新的环振式数字压力传感器，它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件，两个反方向变化的环形振荡器的输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减，分析了环形振荡器的频率特性，以及环形振荡器的谐振频率和压力的关系，分析并设计了压力传感器的环形振荡器电路、混频器电路、物理结构以及制作工艺，并制作了样品，其灵敏度为1．52kHz／kPa。     

室温发光硅基法布里-珀罗微腔的结构设计

提出了一种新型法布里-珀罗(F-P)微腔结构.它采用PECVD方法制备的硅/氮氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射器,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层,通过对一维方向光子的限制,使发光层荧光强度增强,谱线变窄.通过调节发光层和反射器膜厚及折射率,可以精确控制发光峰位.因此,该结构可望实现全硅基材料的强室温蓝光发射.