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提出一种视差图生成算法,利用左图像和右图像双向互匹配的的方法,从图像中获取左-右和右-左的视差图和梯度场,接着采用Winner-Take-All策略,对两幅视差图像进行匹配,得到初始视差图。最后,对视差图上存在的误匹配点进行优化。通过实验验证,该算法能够有效地提高匹配视差图的准确度。 相似文献
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离子束溅射Si薄膜的纵向结晶性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程.纵向分布Raman光谱分析显示,当硅薄膜厚度减薄时,表面硅层的结晶峰强度明显减弱,峰位有微弱的蓝移.最薄的样品显示为非晶态结构.当Raman激光聚焦斑点向64.5nm厚的薄膜样品深层面聚焦取样时,微晶硅薄膜的结晶性先由表层向下逐渐变好,最大晶粒尺寸达3.318nm,最高晶化率达47.6%.最后,当激光聚焦斑点到达薄膜与玻璃衬底的界面孵化层时,硅薄膜显非晶态. 相似文献
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非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化铟薄膜的"生长窗口".采用傅立叶红外透射光谱分析技术对非晶态锑化铟薄膜进行了光学性能研究,在0.9~2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数,研究了其光学带隙和吸收边附近的3个吸收区域. 相似文献
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在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe,α-MCT)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态HgCdTe薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态HgCdTe薄膜的"生长窗口".采用傅里叶红外透射光谱分析技术对非晶态HgCdTe薄膜进行了光学性能研究,在1.0~2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数(~8×104cm-1),研究了其光学带隙(约0.83eV)和吸收边附近的3个吸收区域. 相似文献
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回文教的猜想是一个著名的数学命题,尤其是特殊的自然数196的回文数,到目前为止尚未得到证实.在字长为32位的计算机上,如果使用整型变量进行处理,最多能检验到17步,使用整型数组的计算量也不过上万步.为了继续检验,提出了用字符数组存储原数、新数和逆序数的新算法,突破了WindowsXP 32位字长的限制,可以达到上千万步的运算量. 相似文献
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