硅衬底清洗液中FA/O螯合剂的应用研究

FA/O螯合剂是一种具有1 3个螯合环的新型螯合剂,不含钠离子,并且易溶于水,稳定性好。通过对FA/O螯合剂在RCA标准清洗SC1、SC2溶液中的应用,对XPS的测试结果分析表明,FA/O螯合剂对Fe和Cu的络合能力比NH4OH的络合能力强,RCA标准清洗液中加入少量FA/O螯合剂就可使硅片表面微量铜、铁等金属污染物的去除效果显著增加。对清洗工艺的研究表明,在有螯合剂存在下,清洗温度控制在7 0℃,清洗时间为5 min.2次,效果更好。     

螯合剂对酸性抛光液中铜离子沉积的影响

研究了几种螯合剂减少金属铜在晶片表面沉积的作用.将晶片放入含有或不含螯合剂的酸性抛光液中浸泡10min,用GFAAS测定表面沉积铜的浓度.结果表明,PAA、HEDP和AMPS的加入都能明显减少金属铜在硅片表面的沉积量,去除率分别为83%、79%和44%.进一步的研究发现,PAA过量时,即使螯合剂或者铜离子的浓度成倍增加,金属铜沉积量减少率变化不大.因此,加入过量PAA螯合剂不仅能够减少金属铜的沉积量,而且可以减弱沉积量的波动,增强工艺的稳定性.     

18-冠醚-6对金属Co在化学机械抛光液中腐蚀的影响

在含双氧水(H2O2)10 m L/L和氨三乙酸(NTA)20 mmol/L的溶液(p H=9)中分别加入0.5、1.0、1.5和2.0 mg/L的18-冠醚-6,研究了在弱碱性条件下18-冠醚-6对金属钴(Co)电化学腐蚀的影响。结果表明：随着18-冠醚-6质量浓度的增加,钴与氮化钛(Ti N)的腐蚀电位差先降低后升高,当18-冠醚-6为1.0 mg/L时最低,而钴的腐蚀电流密度越来越小。通过扫描电镜(SEM)形貌表征和X射线光电子能谱(XPS)分析可以证实,18-冠醚-6的加入使钴表面的电化学腐蚀得到了有效抑制,显著改善了Co在化学机械抛光(CMP)后的表面状态。     

新型表面活性剂对低磨料铜化学机械抛光液性能的影响

介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2 0.5%,H2O2 0.5%,FA/OII型螯合剂5%(以上均为体积分数),工作压力2 psi,抛头转速60 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间3 min,抛光温度21°C。结果表明,微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性,但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%～2%时,随其含量增大,化学机械抛光速率减小,抛光面的粗糙度降低。     

硅外延片滑移线产生因素的试验研究

本文通过大量试验,分析了硅外延产生滑移线的主要因素,并对消除滑移线的工艺和选择热处理条件进行了试验,取得可实用的工艺方法。     

硅CVD外延自掺杂效应的分析研究

本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理，吸附－解吸、滞流层静态－动态转换等，对工艺进行优化，在通常条件下有效地控制了自掺杂。     

ULSI硅衬底的化学机械抛光

在分析UL SI中硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械研磨去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素,而不是单纯受粒径大小的影响.分析和讨论了CMP工艺中的几个影响因素,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等.采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗,表面颗粒数优于国际SEMI标准,抛光雾得到了有效控制     

无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制北大核心

利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5%时钴的去除速率为20~30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度。在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性。     

碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响北大核心

主要研究了硅衬底碱性精抛液中表面活性剂对硅衬底表面粗糙度、表面缺陷以及抛光雾的影响。实验结果表明,随着硅衬底精抛液中表面活性剂体积分数由0％增加到1％,表面粗糙度和表面缺陷数量都呈现出迅速降低的变化趋势,表面活性剂对降低表面粗糙度和减少表面缺陷效果明显。但是当表面活性剂体积分数大于5％时,抛光后硅衬底的表面粗糙度和表面缺陷数量都略有升高。表面活性剂体积分数为5％时,表面粗糙度及表面缺陷数量最小。由抛光雾实验可以看出,随着表面活性剂体积分数的增加,硅衬底精抛后的抛光雾值先降低后升高,进一步验证了当表面活性剂体积分数为5％时,抛光后硅衬底的表面状态最好。     

基于攻击图的网络安全度量研究综述

网络安全度量面临的主要挑战之一,即如何准确地识别目标网络系统中入侵者利用脆弱性之间的依赖关系进行威胁传播,量化对网络系统的潜在影响。攻击图由于具备优越的可视化展示能力,是解决该问题的有效途径之一。首先,介绍了安全度量的概念、发展历程和通用测度模型;然后,阐述攻击图构建、分类和应用的相关研究;其次,提出一种基于攻击图的层次化安全度量框架,从关键“点”、攻击“线”和态势“面”3个层次总结归纳了现有网络安全度量方法;最后,阐述了目前研究面临的难点问题与发展趋势。