Si—SiO2及其在电离辐照下的等离激元

用ＸＰＳ分析技术对抗辐射加固与非加固的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了电离辐照前后Ｓｉ的一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１１６．９５ｅＶ）及ＳｉＯ２一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１２２．０ｅＶ）的研究。实验结果表明：存在一个由这两种等离激元组成的界面，在电离辐射的作用下，此界面区向ＳｉＯ２表面方向展宽，界面中心向ＳｉＯ２表面方向移动；两种Ｓｉ－ＳｉＯ２界面区中的ＳｉＯ２一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加，而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品；在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。     

FC-46多产化工原料型加氢裂化催化剂的研制

选取适宜方法改性的分子筛和氧化铝作为载体组分,W-Ni作为加氢组分,采用UDRM技术制备出一种新型多产化工原料型FC-46催化剂。采用SEM、XPS等手段对催化剂进行了表征。以四氢萘和正十二烷为探针分子考察了FC-46催化剂的性能。与参比剂相比,FC-46催化剂作用下的四氢萘转化率提高0.7百分点,而正十二烷转化率降低2.1百分点。工业应用结果表明,FC-46催化剂活性略高于国外催化剂,产物的重石脑油选择性较国外催化剂作用下高0.7～1.0百分点,重石脑油芳烃潜含量比国外催化剂作用下高2.3～3.3百分点,喷气燃料烟点比国外催化剂作用下高2.5～3.7mm,尾油BMCI值比国外催化剂作用下低1.9～2.8个单位。     

小麦蛋白对钾盐替代猪肉熏煮香肠综合品质的调控作用

目的：为研究小麦蛋白对低盐猪肉熏煮香肠品质的调控规律,确定低盐条件下小麦蛋白的适用范围。方法：采用单因素实验,设计0～50%的KCl替代水平,添加0～8%的小麦蛋白,测定产品质构、色泽、出品率、保水性等品质指标;借助于方差分析、相关分析、主成分分析、回归分析等多元分析方法,研究小麦蛋白对低盐产品品质的影响规律,探讨熏煮香肠品质指标间的关系,构建综合品质评价方法,并进行应用研究。结果：在20%～30%等KCl低替代食盐比例下,6%～8%的小麦蛋白显著提高产品出品率和保水率;构建了小麦蛋白调控低盐猪肉香肠综合品质评价模型：Y₄=0.342×(0.127×Z₁+0.169×Z₂+……-0.110×Z₁₀-0.108×Z₁₁)+0.230×(0.328×Z₁-0.185×Z₂+……+0.115×Z₁₀+0.249×Z₁₁)+0.146×(-0.088×Z₁+0.315×Z     

中国移动云视讯媒体质量优化系统设计

随着网络的迅猛发展,视频会议在人们办公中的应用越来越广泛,然而网络自身的固有特性在不同场景下的网络状态波动较大,网络质量不可控,为解决上述网络问题,中国移动云视讯提出媒体质量优化技术,采用媒体优化网关,通过优化协议加速解决跨网络丢包与各品牌终端抗丢包率不一致的问题,实现平台统一及终端融合的目标。     

更精确地利用光谱自然确定禁带宽度

以建立在能量守恒定律得到的塔克(Tauc)关系为出发点,推算出一个三参数方程用来以光谱实验数据获得更加精确和可靠的材料的禁带宽度.禁带宽度Eg、材料性质指数n及取决于跃迁种类的常量A自然而然地以参数形式出现在这个参数方程中.于是当对实验数据进行最小二乘方非线性拟合后,就能得到表征材料特性的关键指标禁带宽度Eg、材料性质...     

高干点原料多产中间馏分油加氢裂化催化剂研制

为应对加氢裂化原料油的重质化及劣质化,分别以高干点伊朗减压馏分油和天津石化减压馏分油为原料油,通过试验确定适宜从高干点原料多产中间馏分油型加氢裂化催化剂的Y型分子筛与β型分子筛,并确定了两种分子筛的最优相对含量。将Y-β复合分子筛作为催化剂的主要酸性组分,钨、镍为加氢组分制得催化剂Yβ_cat。实验结果表明,与纯Y型加氢裂化催化剂相比,在反应条件相同、转化率相近时,Yβ_cat催化剂的反应温度更低、中油选择性约高1百分点,喷气燃料和柴油产品品质优良,尾油BMCI值（芳烃指数）较低。Yβ_cat催化剂性能稳定,是一种优异的适用于高干点原料多产中间馏分油型加氢裂化催化剂。     

R&S公司的TD-SCDMA测量解决方案

1 前言2000年5月,我国提出的TD-SCDMA技术被国际电联批准为第三代移动通信国际标准。2001年3月TD-SCDMA 标准被3GPP(第三代移动通信伙伴项目)接纳,标志着TD-SCDMA成为未来移动通信领域内的一个重要标准和发展方向。罗德与施瓦茨公司(Rohde & Schwarz )是欧洲最大的电子测量仪器生产厂商,一直活跃在测试与测量、信息及通信技术领域中。作为全球领先的测试与测量设备厂商,R&S公司时刻关注着TD-SCDMA的发展,目前可以提供TD-SCDMA系统的从信号产生到信号分析的全套解决方案--信号源和频谱仪。信号源能够产生配置灵活的TD-SC…     

对霍耳效应原理在测量磁场中的误差分析及其消除方法探讨

前言 利用半导体在磁场中的霍耳效应原理直接测量磁场强度(或空间磁感应强度),是一种应用很广泛的方法。目前国内外厂家已研制和生产出多种型号的高斯计,都是利用上面原理制成的。由于该仪器价值较高,有许多高校因教学经费少,难以开出有关的实验题目。为此,我们自行设计和研制出“霍耳效应场强计”。该仪器线路简单、元件少、操作方便,稳定性好。现介绍于后,供同行们参考。     

MOSFET的低温(77°K)电离辐照特性

本文采用MOSFET的亚阈外推测量技术,研究MOSFET在低温(77°K),~(60)Coγ射线辐照下,辐照感生氧化层电荷和界面态。在77°K辐照下,n沟道MOSFET辐照感生氧化层电荷比室温更加明显。77°K时,辐照感生界面态的增加是室温辐照下的20％左右。p沟MOSFET在77°K辐照下,处于截止偏置的退化大于导通偏置。导通偏置辐照时,未观察到界面态的产生。