基于轴系尺寸链设置缺陷导致机械系统失效后的改进分析

机械系统中支承结构设计以及轴系尺寸链设置将直接影响其运转安全性和可靠性。本研究分析了油雾分离器结构原理和工况条件,明确了两端固定支承的机械系统在运转过程中,其一端轴承外圈端面与壳体孔应保留适当间隙,以适应轴的热伸长。就外场发生的失效开展分析和定位,从失效件外观形貌和理化检测结果确认,轴承在过大轴向附加载荷作用下产生爬坡,进而导致轴承短期内产生高温失效。为验证失效轴承附加轴向载荷是否与轴系尺寸链设置直接相关,开展装配尺寸链核算,确认失效轴承外圈端面与壳体孔之间存在极大的干涉风险,失效与轴系尺寸链设置不合理有关。针对失效定位提出装配前选配零件、调整零件公差等改进措施,同时建议对该间隙进行检测。     

甲萘胺浮选铝硅酸盐矿研究

研究了甲萘胺对叶蜡石、伊利石和高岭石的浮选行为。结果表明，甲萘胺对叶蜡石的回收率超过98%，对伊利石和高岭石的捕收力相对较弱。矿浆pH值对叶蜡石和高岭石的回收率影响较小。在酸性及碱性条件下，伊利石的回收率下降。酸性矿浆中，捕收剂通过静电引力吸附在矿粒表面；碱性矿浆中，捕收剂主要通过氢键吸附在矿粒表面。红外吸收光谱表明，三种矿物表面均存在有-OH；在一个粒宽的pH值范围内，三种铝硅酸盐矿浆的zeta电位均为负值，表明矿粒表面荷负电。     

黄铁矿的氧化与浮选机理

用量子化学CNDO/2方法研究了黄铁矿表面的电子结构和化学键性质,讨论了黄铁矿表面原子、氧和黄药的相互作用,阐明了黄铁矿表面的共价键特征和接收电子的能力,认为清洁的黄铁矿表面可以与黄药作用生成黄原酸盐,而在有氧吸附的表面上是难以生成黄原酸盐。但吸附的氧可以使黄药氧化生成双黄药,成为反应的活性中心。黄铁矿表面则对该反应起着电催化作用。     

无捕收剂浮选的半导体能带理论讨论

用量子力学计算得到了方铅矿(PbS)和黄铁矿(FeS_2)的半导体能带图,以及分子氧和HS-离子的HOMO和LUMO的能量。计算结果画成方铅矿和黄铁矿半导体与分子氧和HS-离子作用的能级图,从电子转移微观层次上解释这两类矿物的无捕收剂浮选机理(包括自诱导浮选和硫化钠诱导浮选)。结果表明,P型半导体(以黄铁矿为典型代表)具有良好硫化钠诱导浮选行为,N型半导体(以方铅矿为典型代表)具有良好自诱导浮选行为。电子载流子浓度(n_e)与空穴载流子浓度(n_p)之比值可以作为一个参数来判断无捕收剂浮选行为:n_c/n_p值大,自诱导浮选行为好;n_p/n_e值大,硫化钠诱导浮选行为好。     

硫化矿电化学调控浮选及无捕收剂浮选的理论与应用(Ⅲ)无捕收剂浮选的发展与硫化矿可浮性的新分类

本文从矿物学、物理化学和电化学的原理出发,分析和讨论了硫化矿物的可浮性。把其分为三类:天然可浮性,捕收可浮性和无捕收剂可浮性。揭示了硫化矿天然可浮性与无捕收剂可浮性的区别。交叉应用矿物不同性质的可浮性,可以更好地分选复杂硫化物。因此,新的分类可以用来指导硫化矿浮选和分离原则流程的设计。     

高气泡表面积通量浮选柱浮选硫化铜矿参数的研究

通过浮选硫化铜矿的研究，检验高气泡表面积通量浮选柱的浮选性能，优化主要结构参数和操作参数。研究表明，高气泡表面积通量浮选柱采用多段相互独立的发泡器，可以在表观充气速率较高的情况下，不增大气泡直径，而增加气泡数量，从而有效地增大气泡表面积通量，并且减少了气泡在浮升过程中兼并的可能性，避免了疏水颗粒的脱落和因气泡携带能力不足导致的回收率损失，对分选效率的提高有着十分显著的效果。高气泡表面积通量浮选柱浮选硫化铜矿，在精矿品位下降不大的情况下，回收率可提高10个百分点以上。     

硫化钠作还原剂硫化矿物无捕收剂浮选规律及分离方案的设计

硫化钠作为一种还原电位调整剂,在硫化矿物无捕收剂浮选中起着特殊作用。它能促进黄铁矿和毒砂的无捕收剂浮选,能抑制黄铜矿和方铅矿的无捕收剂浮选,从而表现出不同于其它常用还原剂(如S_2O_4~(2-)、SO_3~(2-))的特殊性能。通过控制硫化钠浓度来调控矿浆电位,实现硫化矿物之间的无捕收剂浮选分离。本文以黄铜矿、方铅矿、毒砂、黄铁矿和闪锌矿为例,设计了硫化钠存在下无捕收剂浮选分离的方案。这是一种新的浮选分离思想,可供硫化矿物浮选分离研究及生产实践参考。     

硫化矿物硫化钠诱导浮选的电化学研究

本文研究了黄铜矿，黄铁矿的硫化钠诱导浮选行为。浮选实验，电化学研究表明，黄铜矿表现出较差的硫化钠诱导浮选行为，而黄铁矿则很好。硫化钠诱导浮选机理是由于ＨＳ－离子在矿物表面氧化产生疏水性的元素Ｓ０所致；硫化矿表面静电位的高低决定了ＨＳ－氧化成Ｓ０的可能性，黄铁矿表面静电位Ｅｍｓ高于ＨＳ－氧化成Ｓ０的电极电位，因而黄铁矿表现出良好的硫化钠诱导浮选特性；黄铜矿表面静电位低于这一电极电位，因而硫化钠诱导浮选性较差。     

硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析

许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 ,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理