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PECVD a—Si:H薄膜对TFT有源矩阵性能的影响及其淀积工艺研究 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了a-Si:HTFT有源层──a-Si:H薄膜质量和厚度对于a-Si:HTFT关键性指标(通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率)的影响,深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si:H薄膜组分、结构的影响,并在实验的基础上给出了它们之间的关系曲线,确定了最佳淀积工艺参数,从而获得了高性能的7.5cm372×276象素a-Si:HTFT有源矩阵。 相似文献
83.
添加了Mo和Cu的铬锰氮不锈钢,合金钝化膜更加完整,且稳定性高钝化膜主要由Fe,Cr和Mo的含水氧化物组成,添加Mo和Cu的合金钝化膜有Cr,Mo和Cu的富集,且Cr/Fe的比值高,膜薄却密,耐蚀性能好。它具有优于18-8和1Cr18Ni12Mo2Ti钢的耐均匀腐蚀、耐点蚀和耐晶间腐蚀性能。 相似文献
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85.
86.
通信电源的性能直接影响着通信系统的通信质量和可靠性,为此,识别电源设备的优劣至关重要,该文从几个侧面提供了鉴别通信开关电源优劣的原则,也提供了一些间便的识别方法。 相似文献
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88.
纯水吸收气体中的甲醇,采用顶空毛细柱气相色谱法进行分析。重点对顶空毛细柱气相色谱法测定甲醇的分析条件进行试验探讨。实验结果表明,采用纯水-顶空毛细柱气相色谱法测定甲醇方法简便,标准曲线具有良好的线性回归,方法的灵敏度、精密度、准确度较高,符合现代仪器的发展趋势。 相似文献
89.
90.