一种低压带隙基准源启动电路

电流模带隙基准源(CMBGR)在低电源电压电路中得到广泛的应用,但其启动行为仍值得关注。在启动电路不可靠的情况下,CMBGR会导致芯片失效,使得成品率下降。在分析CMBGR的启动和多个工作点问题后,提出一种只有两个稳定工作点的CMBGR,可通过监测电路状态和控制启动电路的充电来解决简并点问题。采用0.13 μm CMOS工艺,对提出的GMBGR电路进行设计与仿真。仿真结果表明,该电路产生的参考电压小于1.25 V,在－25 ℃~125 ℃之间的温度系数为4.7×10-6/℃,具有良好的启动性能。     

基于多级维纳滤波的ESPRIT算法

因奇异值分解引入了庞大的计算量,子空间分解类的测向算法在工程中难以实现实时处理.多级维纳滤波(MSWF)算法,避免了奇异值分解运算,有效地减少了运算量.通过对多级维纳滤波算法进行改进,提出了一种信源数目的估计方法.与传统多级维纳滤波算法相比,该方法提高了测向精度.通过仿真证明了该算法的有效性.     

传输网络的分层故障定位法

文章提出一种用于通信的故障定位方法,该方法克服了传统的故障定位方法适用范围窄和实现复杂的缺陷.采用分层的故障定位方法,同时采用逻辑分析和归纳的方法,可以把复杂的故障定位问题转化为一个个容易处理的子问题.此外,在各个层面还给网管人员留有修改和加载的权限,不仅实现灵活,而且适用性强.该方法已申报国家发明专利,并用于实际系统中.     

语音信号的线性预测分析在DSP上的优化实现

语音信号的线性预测分析是语音压缩中的一个重要环节，占据语音压缩计算中的大部分时间，为提高语音压缩的速度，在C54x系列DSP上用汇编语言实现了语音信号的线性预测分析，并对其进行优化。最终可以使代码的运行时间减少到原来的5％左右。     

谐波补偿技术在雷达电源系统中的应用

开关电源在雷达电源系统中的广泛应用,使得电网中的电流谐波污染越来越严重.文中通过对雷达电源系统产生的电流谐波的危害分析,提出了采用谐波补偿技术抑制谐波电流的方法.介绍了无源和并联有源谐波滤波器的工作原理及特点,并给出了不同的谐波滤波器在雷达电源系统中的应用测试结果.实测结果表明,谐波滤波器对雷达电源系统产生的谐波电流都有明显的抑制作用.     

可靠多播方案的最佳有效负载长度研究

以保证可靠分发所需总传输时间为评判标准,在考虑分组头开销的条件下,研究了基于简单反馈重传、RS码(Reed-Solomon code)和LT喷泉码技术的3种多播方案中的有效负载长度选取问题,提出了通过理论分析确定最佳有效负载长度的方法,并以仿真实验进行验证。理论分析和仿真实验表明,对于不同的分组头大小和链路误比特率,各方案的有效负载长度均具有最佳取值;链路误比特率越高,最佳有效负载长度所带来的性能增益越明显。其中,基于LT喷泉码的可靠多播方案性能最优。     

伪装材料表面偏振散射的几何光学解

散射光的偏振特征可以作为遥感信息来识别目标,给伪装技术带来了新的威胁.文中采用偏振相机在光学与红外波段测试了染料型和涂料型伪装材料的偏振散射光谱,研究了不同探测波段下粗糙材料表面的偏振散射机理.研究结果表明:染料型伪装材料的偏振度很小,当光源以不同的入射角照射其表面时,偏振度基本保持不变;涂料型伪装材料的偏振度较大,且随着入射角的增大,其散射光的偏振度也逐渐升高;材料散射光的偏振度与表面粗糙度成反比,染料型伪装材料具有较大的表面粗糙度,在与入射光的作用过程中多次散射占优,因此,其偏振度很小.利用几何光学理论分析了材料表面的偏振散射机理,分析结果与实验结论相吻合.在一定条件下,伪装材料的偏振散射特征与背景不同,偏振信息在伪装目标识别方面具有重要的军事应用价值.     

封装中的界面热应力分析

随着电子封装集成度的不断提高,集成电路的功率容量和发热量也越来越高,封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型,利用有限元法分析了芯片/基板的热应力分布,封装体的几何结构参数对应力的影响,重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布     

支持多处理器通信的同/异步串口的设计

同/异步串口集成了同步和异步串口的功能,相比于单一功能的串口,配置灵活,且节约芯片资源。通过模块化设计方法实现同/异步串口的设计与仿真,并着重在内部模块设计中体现同步和异步功能的有效结合,合理复用逻辑功能。利用寄存器实现模块同异步功能及参数的可配置性,设计实现了9位唤醒模式,以支持多处理器通信。逻辑综合的结果显示,该串口具有良好的性能。目前,该串口已应用于高端32位DSP,工作稳定。     

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。