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Xiang Lu S. Sundar Kumar Iyer Jin Lee Brian Doyle Zhineng Fan Paul K. Chu Chenming Hu Nathan W. Cheung 《Journal of Electronic Materials》1998,27(9):1059-1066
We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII)
for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high
cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation
of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous
buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO2 interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique
is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant
in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen
induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure
combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force
which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance. 相似文献
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可燃性粉尘环境用电气设备标准介绍 总被引:1,自引:0,他引:1
章着重对可燃性粉尘环境用电气设备新标准(GB12476.1-2000和GB12476.2-2XXX)的主要内容进行了介绍,并对粉尘的爆炸机理,国内外粉尘标准体系等进行了阐述。 相似文献
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化学氧化法制备的聚苯胺表面的亲水性差,本文在本征态和不同酸掺杂志聚苯胺的表面上接枝共聚丙烯丙烯酸和丙烯酰胺,明显地改善了聚苯胺的表面亲水性。结果显示,聚苯胺表面经过等离子体处理后,有利于丙烯酸和丙烯酰胺在聚苯胺表面上的接枝共聚,随着接枝量增多,导电率则随之有所下降,此外,利用SEM和反射IR表征了改性反聚苯胺表面的形态和结构。 相似文献
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水平井直井联合布井方式越来越多地应用到油田的实际开发中,但是井网的选择与优化方面的研究比较少,特别是没有根据不同开发阶段变化的生产动态对水平井井网进行优化。应用人工神经网络技术,在进行数值模拟计算的基础上,制作样本并训练网络,可预测任意面积、任意水平井长度下的五点法水平井井网在不同开发阶段的生产动态,优化出不同生产时间和不同井网面积条件下最优井网穿透比,即生产10a时最优井网穿透比为0.55~0.8。与数值模拟结果进行对比,最大误差在1%以内,表明这种方法既快速简便又具有较高的精确性,可以有效地指导五点法水平井井网优化设计。 相似文献
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