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分析了半桥逆变器、双Buck逆变器、三电平逆变器等具有直流侧分压电容拓扑结构的共性缺点,在高升压比直流变换器的基础上提出一种升压型双输出直流变换器.给出了该拓扑的均压控制策略,通过实验验证了控制策略的有效性.所提出的拓扑与双Buck逆变器以及三电平半桥逆变器构成新型升压逆变器,解决了分压电容结构的中性点漂移问题.搭建样机对两种新型升压逆变器进行了验证,其结果证明了拓扑的正确性. 相似文献
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BmNn和BmN-n团簇结构及其光电子能谱的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)水平上对BmNn(m n≤5)团簇及其阴离子的几何构型、电子结构和振动光谱等性质进行了理论研究.并在相同水平下计算了BmNn-(m n≤5)的垂直电离能和BmNn(m n≤5)的绝热电子亲和势.结果表明:BmNn(m n≤5)团簇的基态构型中,BN、B2N、B3N、B2N3和B3N2为线形结构,其余均为平面结构;BmNn-(m n≤5)团簇的基态构型中,BN3-、B2N3-、BN4-和B4N-为平面结构,其余均为线形结构. 相似文献
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SrAl2O4 :Eu2+和SrAl2O4 :Eu2+,Dy3+长余辉和热释光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
对比研究了SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的余辉特性和热释光谱,并探讨了Dy3+的掺杂对SrAl2O4:Eu2+陷阱能级的影响。XRD晶相分析表明: Eu2+和Dy3+的掺杂并没有改变SrAl2O4的晶体结构。发光分析表明:Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4:Eu2+的光致发光光谱和发光中心。热释光谱对比分析结果显示:Eu2+的掺杂在SrAl2O4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy3+的掺杂并不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善了SrAl2O4:Eu2+的余辉特性。不同等待时间的热释光谱曲线显示:在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料复杂的余辉衰减规律。 相似文献
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文章从四个方面阐述了我院电子科学与技术专业在培养学生科技创新能力方面所实施的多方位培养模式. 相似文献
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电子技术类专业设置光子技术类课程的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
阐述了光子技术在当代电子技术中的地位和电子技术类专业设置光子技术类课程的重要性。对于电子技术类专业的教学,要培养具有创新能力的复合型人才,光子技术类课程应该融合到现有的专业课程体系中去。考虑课程过重过杂的矛盾,光子技术类课程被整合成三个模块:激光技术课程、光电子技术课程和光纤通信技术课程。介绍了三门课程的背景意义、发展方向以及所涵盖的内容,并强调课程要注意强化基础、拓宽专业口径。 相似文献
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本文在流动余辉装置上,利用亚稳态惰性气体原子[He(2~3S)、Ne(~3P_(0,2))、Ar(~3P_(0,2))]与SOCl_2的专能反应,在(230-430nm)波段观察到了产物的发射谱,光谱归属为自由基SO(A~3∏_(2,1,0)→X~3∑~-)的跃迁。对光谱强度分析表明:SO(A→X)的偶极跃迁矩Re随核间距明显地变化。通过拟合,找出了这一变化的关系。另外,本文还计算了SO(A~3∏_0→X~3∑~-)跃迁的Franck-Condon因子。 相似文献