首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   51篇
  免费   3篇
  国内免费   5篇
工业技术   59篇
  2006年   1篇
  2005年   6篇
  2004年   23篇
  2003年   9篇
  2002年   1篇
  2001年   3篇
  2000年   2篇
  1999年   3篇
  1996年   1篇
  1995年   3篇
  1992年   1篇
  1991年   3篇
  1988年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有59条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
铸造法制备颗粒增强铝基复合材料   总被引:6,自引:0,他引:6  
铸造法是目前最主要的一种制备颗粒增强铝基复合材料的方法。叙述了几类制备颗粒增强铝基复合材料的铸造方法,并介绍了此种工艺方法应注意的技术问题及解决方法,提出了用铸造法制备颗粒增强铝基复合材料的原则。  相似文献   
42.
给出激光化学气相沉积法制备a-Si3N4的纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为10nm左右的优良a-Si3N4纳米粒子,红外吸收和拉曼光谱研究表明,a-Si3N4纳米粒子中存在Si-N,Si-H,N-H,Si-O-Si键,分析了a-Si3N4纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况。  相似文献   
43.
激光合成非晶态Si3N4粉末   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
李道火  仲志英 《激光技术》1991,15(4):220-224
本文描述了大功率CO2激光辐照SiH4+NH3的快速流动气体合成Si3H4超细粉末的实验,揭示了激光谱线变化对合成反应的影响。讨论了粉末红外吸收光谱的畸变现象等。  相似文献   
44.
激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有:激光强度(I),反应池压力(P),反应火焰温度(T),反应气体配比(ΦSiH4/ΦNH3),反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。  相似文献   
45.
在激光焊接条件下,分析丁20%SiCw/6061铝基复合材料焊缝表面及内部特性,指出在激光焊接条件下,铝基复合材料的焊缝较窄、深宽比大;焊缝可分为焊缝中心焊接区、熔化区及来变化区三部分;在中心焊接区内有大量Al4C3生成,造成焊缝较脆,窖易断裂。  相似文献   
46.
黄永攀  李道火  黄伟 《铸造》2004,53(11):898-900
研究了SiCp/A356铝基复合材料在不同铸造压力、碳化硅含量、金属型温和铸件尺寸厚度(代表凝固冷却速率)等工艺参数下的铸造流动性.结果显示,随着SiC颗粒添加量的增加,铝基复合材料的流动性呈显著降低的趋势.随着铸造压力的提升,复合材料的流动性显著增加.但当压力超过10MPa后,流动性仅是微幅增加.其次,提高模具温度也可以增加铝基复合材料的流动性,尤其对壁厚2mm左右的件更为明显.  相似文献   
47.
本文介绍了氮化硅的性能、应用范围以及其微粉的制备方法。  相似文献   
48.
通过化学沉淀法成功制备了纳米复合氢氧化镍粉体,测得纳米复合氢氧化镍粉体的振实密度低于球镍粉体,但其压实密度明显高于后者;相应镍电极的密度也超过常规球镍电极.实验得出了制备纳米氢氧化镍粉体的温度、氨水浓度与pH值的最佳参数.最终制备出的纳米复合电极材料的压实密度与质量电化学容量两项指标均比常规球镍高15%以上.  相似文献   
49.
激光诱导六甲基乙硅胺烷制备氮化硅纳米粉体   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对激光气相合成氮化硅纳米粉体的性能与成本的矛盾,在对激光合成反应物的研究与分析的基础上,选择廉价、无氯硫、对CO2激光有强吸收、易于处理的有机硅烷反应物六甲基乙硅胺烷(HMDS)作为价格昂贵、难以处理的硅烷(SiH4)的替代反应物,进行了激光合成氮化硅纳米粉体的研究。  相似文献   
50.
本文对N十离子辐照纳米氮化硅量子点的表面特性进行了测试、分析,对离子辐照后量子点蓝光发射显著增强这一现象给出了解释.FTIR测试发现,辐照使Si-N键结合峰增强,说明辐照后Si-N 键合数增加,而其它峰未发生变化.XPS全谱表明,量子点中的氧主要集中在其表面,辐照使量子点表面的氧含量增加,进一步通过XPS芯态能谱测试发现,辐照使表面的氧、硅由吸附态转化成结合态.我们认为SiO2/Si3N4界面中的激子模型可以解释量子点蓝光增强现象,界面层激子效应是蓝光发射增强效应产生的根源.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号