邻苯二甲酸催化合成四苯基卟啉

报道了以邻苯二甲酸为催化剂催化合成四苯基卟啉的工艺。实验表明,对于0.02 mol的吡咯,最佳的溶剂为二甲苯,物料比为n(吡咯)∶n(苯甲醛)=1∶1,催化剂邻苯二甲酸的用量为0.008 mol,反应时间为4 h,得到四苯基卟啉的产率为29.9%。相比其他催化剂,反应中棕黑色副产物少,分离纯化方便,通过无水乙醇和丙酮重结晶,纯度可达98.7%(HPLC)。四苯基卟啉用IR、UV、1HNMR验证了结构。     

气泡—矿粒脱附力与矿物浮选关系的研究

采用离心技术对方铅矿、石英的单矿物和混合矿的矿粒与气-黄药溶液界面的粘附强度进行了测定。对混合矿颗粒脱附和下沉时昕需的临界离心力与Nutt和Scheludko单个球粒模型的理论值进行了比较,研究了矿粒大小、初始捕收剂相分散剂浓度对粘附力和浮选效率的影响,并发现矿粒在气-液界面的粘附强度与浮选效率有密切关系。方铅矿-石英人工混合矿的脱附力测量和浮选试验的结果表明:方铅矿与石英矿粒的粒径比对方铅矿的脱附力和浮选选择性有重要影响,并发现力铅矿-石英体系的浮选选择性与混台矿中方铅矿颗粒在气-液界面的粘附强度有密切关系。     

气泡—矿粒粘附过程的能垒及其对浮选动力学的影响

本文介绍了一种测定气泡—矿粒粘附能垒的新方法。矿样系采用具有不同疏水性的甲基化硅石,硅石棒用于测量脱附力,熔合硅石片用于测量接触角,在相同甲基化条件下制得的石英则用于浮选试验和感应时间测定。结果表明,测得的粘附能垒与浮选速度常数及感应时间的相关性很好。     

巯基乙酸亚金的合成及其理化性质

目的 合成一种新的无氰金盐,并对其理化性质进行研究。 方法 以分析纯的巯基乙酸、硫脲、盐酸、王水和金锭为原料,合成巯基乙酸亚金。 对产物进行红外分析和金含量分析,研究热稳定性,测试溶解性能。 结果 产物分子式为 AuSCH₂COOH,且该化合物在常温下化学性质稳定,与强碱液反应生成水溶性盐类。 结论 合成了一种无氰金化合物,性质稳定,有望用于镀金工业领域。     

硝酸体系含铜废液直接电沉积过程中电流效率的研究

为了改善硝酸体系含铜废液直接电沉积过程中电流效率往往不高的情况,在对多种硝酸体系含铜溶液进行直接电沉积的过程中,通过添加一种环境友好型的抑烟剂,考察了抑烟剂浓度和槽液温度对电流效率的影响,并在最佳温度和抑烟剂浓度下,对某种挂具退镀含铜废液进行电沉积.研究结果表明:电流效率随着抑烟剂浓度的增加而升高,在抑烟剂浓度达到20%后趋于平缓;而随着温度的升高,电流效率先升高后降低,45℃左右达到最高.在最佳抑烟剂浓度(20%)和最佳温度(45℃)时对该种挂具退镀含铜废液进行电沉积,其平均电流效率能够提高40%以上.     

过硫酸盐/硫酸体系微蚀性能的研究

为研究过硫酸盐/硫酸体系微蚀的最佳工艺条件,通过静态腐蚀速率测定法,对该体系的微蚀液组成和操作温度等微蚀条件进行了研究,实验结果表明最佳的微蚀条件为:温度26～32%,铜离子质量浓度9～15g/L,过硫酸钠质量浓度75～125g/L,硫酸的体积分数为2%～4%,该条件下微蚀速率为0.5μm/min,过程稳定可控.     

影响低浓度亚铜测定的因素

为了确定测量酸性蚀刻液中低浓度亚铜含量的最佳条件,提高工作效率,采用硫酸高铈法,通过单因素实验研究了几种因素对测定结果的影响,并结合正交实验确定了几种影响因素的最佳取值.结果表明:滴定时间、HCl的浓度、FeCl3,加入量、测定温度和取样量对测定结果的影响比较显著,而Cu2+的含量对测定结果的影响则不大;在常温条件下(20℃)于5 min内检测低浓度亚铜含量(5 g/L),HCl浓度为7 mol/L,配制的FeCl,溶液加入量10 mL,取样量为10 mL,此条件下亚铜含量的测定结果相对误差可达-0.8%,     

电源系统中自动均流技术的研究

在大功率电源系统中,为了解决高负载电流和低电源电压共存的问题,一种将相互独立的模块式的电源并联使用的方法被广泛采用,这种方法能够提供很大的负载电流,而每个并联的电源模块需要一个负载均流电路使系统正常工作.本文以最新的自动均流芯片UC3902为例,设计了一个可以实现线性均流的负载电流控制电路,它可以为这些并联的电源模块提供相等的负载电流,确保并联的各个电源模块所承受的电热应力相同,从而保证电源系统长期可靠地工作.     

电力载波通讯中等效信号源内阻对传输距离的影响

在电力载波通信系统中,传输信号以某一合适载频的形式调制到低压电力线上.由于电网负载的随机性,故一般情况下增大输出功率是提高传输距离的一个重要因素,而增大输出功率与等效信号源的内阻密切相关,减少信号源内阻对降低功放部分功耗,增大输出功率是关键.本文以最新型器件FY10AAJ-03A作为调制信号源的核心部件设计了一个功率驱动电路,充分利用该器件只有6mΩ的低导通电阻和仅仅22ns的转换时间,使系统耦合功率大幅度提高,载频宽达10MHz以上.