液压抽油机的功率匹配与电液比例控制

液压抽油机传动系统采用电液比例控制技术可使整机性能进一步完善和提高，其关键部件是电磁式比例方向流量阀和压力控制二边伺服阀。在阐述了系统关键部件工作原理与性能的基础上，对系统的比例方向和流量控制、功率匹配及机电一体化的方式进行了分析。详细介绍了系统组成原理与控制方法，指出了液压系统的各项参数对抽油机性能的影响及合理选择抽油机液压系统参数的方法。     

超高压压力控制及开关液压系统

针对油田在试验室对井下封隔器胶筒进行耐压试验时，采用人工手动调压不安全的问题，设计了一种超高压压力控制及开关液压系统。详细介绍了系统工作原理，并对其超高压压力控制方法、液控高压截止开关回路及液压系统的动力特性进行了分析研究。用这种超高压压力控制及开关液压系统，可实现80MPa以下高压小流量试压系统的电液比例控制及高压截止阀门开关的远距离液压操作。这种液压系统设计的实现，为保证高压试验过程的安全提供了必要的条件。     

变频器在水泥制品行业中的应用

本文介绍建材行业的变频调速改造，首先叙述水泥制管机的工艺过程，然后着重介绍改造情况及注意事项和改造后的节能进行了定量的分析。     

SiO2/Si波导应力双折射数值分析

采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析，在此基础上，应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算．结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因，相应的应力双折射系数Ｂ在10~－4量级．进一步的分析表明上包层B，P重掺杂可明显减小波导的双折射系数．     

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2.     

鱼骨状纳米碳纤维的制备及其吸氢性能

采用泡沫镍为催化剂，550℃下催化裂解乙炔，制取了鱼骨状纳米碳纤维。透射电镜、高分辨电镜、喇曼光谱、X射线衍射等分析结果表明，该产物具有鱼骨状结构，其石墨化程度较低，但经1000℃高温处理后，石墨化程度明显提高。对该法所制得的鱼骨状纳米碳纤维进行初步的预处理及常温中压下的吸氢实验，发现纤维经高温处理和酸处理后吸氢量没有明显提高。     

Effect of LiF on Densification and Mechanical Properties of Dy-α-Sialon Ceramics

The effect of LiF on the densification and mechanical properties of hot-pressed Dy-α-sialon ceramics was studied. Comparatively, without LiF as sintering additive, the pure Dy-α-sialon ceramic should be sintered at 1750 ℃. When LiF is used, the sintering temperature of the Dy-α-sialon is greatly lowered to 1500～1650 ℃. Obviously, the addition of LiF has a strong effect on the improvement in densification. Meanwhile, the resultant Dy-α-sialon has no significant changes in the mechanical properties.     

GA—BASED MAXIMUM POWER DISSIPATION ESTIMATION OF VLSI SEQUENTIAL CIRCUITS OF ARBITRARY DELAY MODELS

In this paper,the glitching activity and process variations in the maximum power dissipation estimation of CMOS circulits are introduced.Given a circuit and the gate library,a new Genetic Algorithm (GA)-based technique is developed to determine the maximum power dissipation from a statistical point of view.The simulation on ISCAS-89 benchmarks shows that the ratio of the maximum power dissipation with glitching activity over the maximum power under zero-delay model ranges from 1.18 to 4.02.Compared with the traditional Monte Carlo-based technique,the new approach presented in this paper is more effective.     

基于SOI的16通道200GHz阵列波导光栅

设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG).该AWG器件的中心波长为1 550 nm,信道间隔为200 GHz,采用了脊型波导结构.首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输,并利用束传播法(BPM)模拟了波导间隔、弯曲半径和锥形波导长度等参数对器件性能的影响,对器件结构进行了优化,同时也利用BPM方法模拟了器件的传输谱.模拟结果显示:器件的最小信道损耗为4.64 dB,串扰小于-30 dB.根据优化的器件结构,通过光刻等半导体工艺制作了AWG,经测试得到AWG器件的损耗为4.52～8.1 dB,串扰为17～20 dB,能够实现良好的波分复用/解复用功能.     

SOI基PLC型阵列波导光栅与可调光衰减器单片集成

制作了基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)材料的8×16通道的阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating,AWG)与电吸收型可调光衰减器(Variable OpticalAttenuator,VOA)的单片集成器件,其信道间隔为200 GHz.该集成器件采用脊形波导结构,其截面尺寸为亚微米级,整体尺寸为2.9 mm×1 mm.该VMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 dB,串扰为6.5～8.2 dB;在20 dB衰减下,单通道最大功耗为87.98 mW;最大信道偏振相关损耗(Polarization Dependent Loss,PDL)为0.461 dB,16通道的衰减一致性为0.245 dB.该器件能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能.