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41.
陶瓷喷砂嘴的冲蚀磨损特性及其损坏机理   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用热压烧结工艺制备了Al2O3/TiC、Al2O3/(W,Ti)C和B4C陶瓷喷砂嘴.以SiC和Al2O3为冲蚀磨料进行了喷砂冲蚀试验.结果表明纯B4C陶瓷材料的烧结温度高、保温时间长、致密度低、晶粒粗,抗弯强度和断裂韧性低,但硬度最高;而Al2O3/TiC和Al2O3/(W,Ti)C陶瓷材料的烧结温度和保温时间比纯B4C陶瓷大大减小,致密度高,抗弯强度和断裂韧性比纯B4C陶瓷高1倍以上,但硬度相对低.对陶瓷喷砂嘴在磨料冲蚀下的应力状态进行了有限元分析,结果表明陶瓷喷嘴入口处所受的应力最大,出口次之,中间区域最小.B4C陶瓷喷砂嘴的最佳入口锥角为11°,而Al2O3/(W,Ti)C陶瓷喷砂嘴的最佳入口锥角为16°.陶瓷喷嘴入口和出口处的磨损机理主要表现脆性断裂;而中间区域的磨损机理主要表现为磨料颗粒对喷嘴内壁表面的研磨、抛光和微切削作用.  相似文献   
42.
MasterCAM中MFC对话框的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
为在CAM软件MasterCAM中使用MFC对话框,对其进行了二次开发,用动态链接库来实现MasterCAM和MFC对话框之间的通信,并在MasterCAM二次开发环境C-Hooks的应用程序中调用MFC对话框资源,给出了接口模型、实现过程和实例,实现了MFC对话框在MasterCAM中的应用.  相似文献   
43.
Ni3Al合金中晶界与位错交互作用的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈达  陆敏  林栋梁 《金属学报》1993,29(7):34-39
运用嵌入原子法势函数和静态驰豫最陡梯度的计算方法,原子模拟了Ni_3Al合金中晶界与位错的交互作用.主要研究了晶界与位错交互作用的能量特征、晶界结构单元的畸变行为和晶界附近位错的核心结构,并分析讨论了各种因素对它们的影响以及与Ni_3Al晶界韧脆行为之间的关系  相似文献   
44.
Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷刀具加工镍基合金时的磨损机理研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
邓建新  艾兴 《硅酸盐学报》1997,25(2):192-197
研究了Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷刀具加工Inconel718镍基合金时的切削性能和磨损机理。结果表明;在低速切削条件下,Al2O3/TiB2/SiCW和硬质合金刀具的抗后刀面磨损的能力相差不大;而在高速切削条件下,前者的抗后刀面磨能力远高于后者。  相似文献   
45.
凉型风味料介绍   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文分析了主要凉味剂的立体构型 ,简单介绍了以L -薄荷脑 (又称L -薄荷醇 )和L -薄荷脑为基本骨架的酯类、醚类和缩酮类化合物的结构和味觉特征 ,它们的安全性以及在食品、口腔卫生用品、化妆品和肤用药中的应用。  相似文献   
46.
球形氧化锆的湿法制备过程研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以氯氧化锆和碳酸氢铵为原料,采用连续反应沉淀法制备了微米级球形氧化锆前驱体,此前驱体在500℃下于空气气氛中煅烧2h得到球形氧化锆粉体。探讨了锆盐溶液浓度、加料速度、pH、反应时间对粉体颗粒粒径大小及其分布的影响。经SEN,XRD,TG—DSC和激光粒度测试仪分析,结果表明在最佳工艺条件下制备的氧化锆前驱体颗粒呈球形,分散性好,粒径分布在8—18μm。  相似文献   
47.
李振勇  尹红伟  王建新  王勇 《大氮肥》2007,30(5):298-300
由于燃气轮机吸收含有大量灰尘等杂质的空气,会在压气机叶片上形成积垢,从而导致机组出力下降,该文介绍在实际工作中,根据不同的情况使用不同的设备、采取不同的清洗方法来除去压气机叶片上的污垢,以提高整台机组的工作效率.  相似文献   
48.
秸秆是第二大“森林”资源,将秸秆制备成墙材,既找到大量秸秆资源化的出路,也填补了墙材即将面临短缺的难题。综述了生物质秸秆墙材的研究进展,讨论了目前秸秆墙材研究与应用中存在的问题,探讨了秸秆墙材将来研究的趋势。  相似文献   
49.
借助电导率仪、光学显微镜和亚微粒子分析仪等测试手段。研究了乳液聚合导致一种新的转相过程,并用于八甲基环四硅氧烷的聚合中。研究表明:体系以 W/O 相态开始,单体由连续相向水相(分散相)内的胶束中扩散并发生聚合反应,形成 O/W/O 复合乳液。反应过程中连续相体积不断减小,分散相(O/W 复相)体积不断增大,当达到某一临界相比时,体系发生转相,转相后乳液为 O/W。对本实验物系,转相点临界相比主要由初始水油比和乳化剂浓度决定。同常规的乳液聚合相比,伴有转相现象的乳液聚合有其自身的特点,转相使得聚合速率、聚合物粒径及分布、乳液稳定性等发生变化。  相似文献   
50.
一种基于ARM的集中器的硬件实现   总被引:4,自引:1,他引:3  
介绍了一种以ARM9为核心,以Windows CE5.0为操作系统的集中器。它符合国家电网的Q/GDW 374.2-2009技术标准,可以在国家电网中使用。给出了集中器的系统框图,介绍了集中器的主要实现电路,论述了其主要工作原理。  相似文献   
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