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21.
磨料高压水除鳞系统设计研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
丁玉光 《钢铁》2003,38(2):62-64,76
磨料高压水除鳞系统取代酸洗线,原机械部分和磨料高压水部分都作了较大改进,才能保证除鳞彻底。  相似文献   
22.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.  相似文献   
23.
支持下一代无线宽带应用自适应QoS模型的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
作为真正完整的下一代网络 ( NGN,Next Generation Network)解决方案 ,NGN需要在固定通信领域和移动通信领域都能够支持综合多媒体特性。NGN中的新一代移动通信网承载在开放式、层次化结构的分组交换网络之上 ,能够为用户提供端到端的 Qo S解决方案。本文分析了下一代移动通信系统中多媒体宽带应用的 Qo S问题 ,从无线通信系统的多层次结构出发 ,建立了业务流的 Qo S指标评判体系 ,为下一代网络中的无线宽带应用提供了一种自适应Qo S控制模型  相似文献   
24.
聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液的成膜和性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
通过XPS和接触角测试研究了聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液在不同基材上的成膜情况,并对共聚胶膜的耐水性和附着力进行了考察.由于该共聚乳液同时存在着亲水组分和疏水组分,所以它在不同的基材上成膜可导致其膜表面的组成成分不同,因而导致其耐水性和附着力也随基材而异。结果表明,亲水性的聚氨酯组分均富集于胶膜内部,但胶膜底层聚氨酯组分的含量却随基材的不同而不同。在憎水且表面张力较高的基材上,共聚胶膜的耐水性良好;共聚胶膜的附着力在表面张力较高的基材上也良好。  相似文献   
25.
L-带掺铒光纤放大器的研究与进展   总被引:6,自引:1,他引:5  
通过理论计算,比较了C-带掺铒光纤放大器和L-带掺铒光纤放大器的增益特性,并较为全面地阐述了近几年来国内外对L-带掺铒光纤放大器的研究情况。通过对L-带掺铒光纤放大器工作原理的分析,总结出新的设计思路与方案,提出了一些新的研究点。  相似文献   
26.
信息融合的飞机识别方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
彭晓明  丁明跃  周成平  马茜 《光电工程》2003,30(6):50-54,72
以信息融合的理论为基础,利用从可见光图像序列和8-12μm长波红外图像序列中提取的信息对不同种类飞机进行识别。采用矩特征并结合BP神经网络的方法,分别在特征级和决策级两个不同层次上实现了信息融合。实验结果表明,通过信息融合进行飞机识别的准确率可达到90%以上。  相似文献   
27.
过共晶铝硅合金细化初晶硅的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了ZL8604过共晶铝硅合金初晶硅细化剂和加入方式与加入量以及影响细化效果的冶铸工艺因素,实验结果达到了技术指标要求。  相似文献   
28.
n-Al2O3/Ni复合镀层的组织与滑动磨损性能研究   总被引:24,自引:4,他引:20  
用电刷镀技术制得了镍基n-Al2O3复合镀层,并对镀层的滑动磨损性能进行了试验研究。纳米复合镀层的表面形貌比较细腻,镀层中纳米粒子分布均匀,与基质金属结合紧密。镀层显微硬度达到HV700,比快速镍镀层提高约40%。滑动磨损试验结果表明,随着纳米粒子含量的增大,镀层的耐磨性提高,摩擦系数也呈增大趋势;但当镀层中n-Al2O3粒子的超过2.56%(质量分数)时,镀层的耐磨性显著下降。纳米复合镀层的磨损机制以疲劳磨损为主,而快速镍底层以粘着磨损为主。  相似文献   
29.
文章介绍了政府网站的作用及功能,国家对政府网站绩效评估的内容以及水利政府网站建设的实践.  相似文献   
30.
混合冷媒气液相充注对冷媒成分的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
R40 7C、R5 0 7A、R40 4A和R410A混合冷媒按气、液相方式进行充注时 ,冷媒容器内的冷媒成分会或多或少地随着冷媒容器移充填率的变化而变化。因此 ,本文建议充注任何混合冷媒时 ,都应该采用液相方式进行充注 ,同时为了将冷媒成分变化控制在 2 %以内 ,R40 7C冷媒容器中最后的 10 %冷媒剩余量不应再进行充注 ,R5 0 7A、R40 4A和R410A冷媒容器中的最后冷媒剩余量可控制在 5 %。  相似文献   
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