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101.
Ray-Guang Cheng Cun-Yi Wang Li-Hung Liao Jen-Shun Yang 《Communications Letters, IEEE》2006,10(2):123-125
This work presents a wireless token-passing protocol, named Ripple, for wireless mesh networks (WMNs). In contrast to existing random-access approaches, Ripple uses a decentralized controlled-access approach to protect nodes from unintentional packet collisions and maximize the spatial reuse. The performance of Ripple under an error-free wireless channel was investigated and the accuracy of the analysis was verified by simulation. Simulation results also indicated that Ripple achieved throughput, stability, and QoS enhancement than that of 802.11 DCF under a highly loaded situation. 相似文献
102.
三峡三期工程主坝大体积混凝土内部温度控制 总被引:2,自引:2,他引:0
三峡右岸三期工程施工中,为了有效控制坝体大体积混凝土内部温升,采取了高温季节使用预冷混凝土浇筑、控制混凝土出机口温度及浇筑温度、对混凝土内部人工通水进行初冷、中冷和后冷等措施。三峡三期工程大坝混凝土内部温度没有出现超标现象,混凝土温控工作取得了良好的效果。 相似文献
103.
目标RCS动态数据的分布特征研究 总被引:1,自引:0,他引:1
复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的,传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象,应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型,以及Kolmogomv拟合优度检验方法,研究其RCS动态测量数据的统计分布特征,得到了在一定显著性水平下,两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果,同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0.05时,对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据,应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征,能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。 相似文献
104.
105.
106.
107.
本文描述一种基于8031单片机和TC8830AF语音处理器的PC机智能语音卡,通过软硬件设计解决了PC-8031-TC8830AF结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时,仅占用极少的PC机CPU处理时间,能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。 相似文献
108.
通过氟塑料-石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用,并与常规换热器的使用情况的对比分析,阐述了这种新型换热设备的特点。 相似文献
109.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
110.
Yuhua Cheng Chih-Hung Chen Matloubian M. Deen M.J. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(3):400-408
High-frequency (HF) AC and noise modeling of MOSFETs for radio frequency (RF) integrated circuit (IC) design is discussed. A subcircuit RF model incorporating the HF effects of parasitics is presented. This model is compared with the measured data for both y parameter and fT characteristics. Good model accuracy is achieved against measurements for a 0.25 μm RF CMOS technology. The HF noise predictivity of the model is also examined with measured data. Furthermore, a methodology to extract the channel thermal noise of MOSFETs from HF noise measurements is presented. By using the extracted channel thermal noise, any thermal noise models can be verified directly. Several noise models including the RF model discussed in this paper have been examined, and the results show that the RF model can predict the channel thermal noise better than the other models 相似文献