石英晶片、陶瓷频率分选设备上料装置的选择及分析

本文主要介绍分选设备中上料装置的选择，详细分析了该上料装置的结构及电学特点。     

浅析液态烃类事故处置对策

随着国民经济的飞速发展和人民生活水平的日益提高,石油化学工业对于一个国家的工业经济也变得越来越重要,而在石化领域,液态烃作为一种化工原料或产物,它在生产中的应用也越来越广泛。同时,液态烃又是一种易燃易爆物品,火灾危险性高,这也给企业的消防安全形势带来了严峻的考验。     

各种支承的正交异性矩形厚板的自由振动

本文利用富里级数法，得到了各种边界条件下正交各向异性矩形板在点支承、线支承和局部面支承下的自由振动解，由于是以ＡＭБａｐПУМЯＨ理论为基础，所以包含了剪切变形影响。     

一种新建或服役期建筑结构动力分析模型的修正方法

在分析新建或服役期建筑结构性态特征的基础上，提出了一种新建或服役期建筑结构动力分析模型的修正方法，该方法能够解决完整结构或局部发生裂缝、但整体仍呈线弹性的结构动力分析模型的修正问题，且具有在测试数据不完备的条件下能够使用及计算省时的特点。     

大容量SRAM中长互连线RC延迟的高速译码电路的研究

文章分析了CMOS逻辑门驱动长互连导线时产生的延迟情况,并给出了驱动的延迟模型。在此基础上提出一种新的考虑RC延迟时高速CMOS逻辑链的设计方法。并使用上述方法设计出一款4MbSRAM的高速译码电路。仿真表明在大扇出、大负载、长互连线的情形下,电路延迟时间仅有1．85ns。比传统的使用等效电容的优化方法快出0．12ns,电路面积节约30％。并且功耗明显的降低。     

复合地基沉降影响因素的半解析元分析

采用半解析有限元，将复合地基的位移水平两个方向上选取解析函数，竖向离散为多项式，并将复合地基视为横观各向同性材料，克服了有限元法中人为设定计算边界、计算量大的弊端，将三维沉降问题转化为一维问题计算，收敛速度很快，显著减少了计算工作量，提高了计算精度．通过改变复合地基置换率、加固深度，桩土模量比和水平加固范围，研究了复合地基的加固效果．计算结果表明，增大置换率，桩土模量比和水平加固范围，对减小沉降作用很小，而增加加固深度能明显的减小复合地基沉降．因此，在以控制沉降量为主要目的复合地基优化设计中，应首先考虑增加加固深度．     

非饱和土中考虑沉桩扩孔速度影响的 半球形孔扩张弹塑性分析

 考虑沉桩速度的影响，以弹塑性交界面处单元体的运动情况作为参考标准，将区域内任何一点的应力、位移描述成塑性区半径R和扩张后土体单元距孔心的距离r的函数。采用小变形理论求解出r处的径向扩张速度与弹塑性交界面的径向扩张速度之比 应满足的关系式，其中后者的扩张速度认为由两部分组成：一部分是由于扩张本身而产生的位移速度；另一部分是由于扩张引起的变形导致土体连续进入塑性状态而产生的附加速度。最后，结合扩孔速度的已知条件推导出沉桩后桩周土体塑性区、破坏区范围，而整个土体范围内应力、位移表达式形式仍与已有相关研究中一样。该研究成果可为非饱和土地区的动力打桩和夯扩桩等工程问题提供一定的理论依据。     

大型筒仓与地基动力相互作用研究

筒仓作为一种工程结构,在工程实际中得到广泛的应用.本文以某大型筒仓结构为例,考虑到散体、结构、地基的相互作用与影响,考虑地基与基础及结构的耦合问题,采用半解析半数值的方法对弹性地基上的筒仓结构进行了动力分析计算.分别计算了满仓和空仓时系统的频率以及所对应的振型图.     

厚栅n-和n-LDMOSFET高压输出电路

对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(lateral double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路.同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍.     

厚扁球壳位移型基本方程及矩形底厚扁球壳控制方程的一般解

基于考虑横向剪切变形的厚壳位移型基本方程及扁壳基本假定,建立关于5个中面位移为5个独立变量的厚扁壳及厚扁球壳的位移型基本方程.对矩形底厚扁球壳的位移型基本方程(变系数十阶微分方程),通过引入5个辅助位移函数,同时运用柯西--黎曼条件,建立其解耦的控制微分方程,最后使用5个辅助位移函数求出5个位移分量.厚扁壳的位移型基本方程退化为厚扁球壳及薄扁球壳的位移型方程的正确性说明所推导方程具有一般性.