浅谈无线传感器网络研究现状与应用

无线传感器网络一种特殊的Ad-Hoc无线网络,其体积小、价格便宜,由部署在监测区域内大量的廉价微型传感器节点组成,应用范围十分广泛。本文将从无线传感器网络研究现状着手,简要介绍一下无线传感器网络的应用,并对其前景进行展望。     

基于着色工作流网的工作流模型的设计与实现

本文在扩展Petri网的基础上,提出了一个新的工作流模型——基于着色工作流网的工作流模型,并对其进行了详细设计。在此模型的基础上,本文实现了一个可视化的工作流建模工具,设计人员通过该工具建立业务过程,并根据模型的定义保存业务过程定义。     

深度学习与多信号融合在铣刀磨损状态识别中的研究

为精确地识别刀具磨损状态,提出了一种深度学习与多信号融合相结合的识别方法.以自编码网络为基础,构建了堆叠稀疏自编码网络.采集铣刀不同磨损状态下的力信号、振动信号及声发射信号,并对上述信号进行小波包分解以便获取能够表征铣刀磨损的时频域特征.利用无监督学习和有监督学习对堆叠稀疏自编码网络进行训练,建立了深度学习的铣刀磨损状态识别模型.研究结果表明,多信号融合的深度学习模型对铣刀磨损状态识别准确率达到94.44％.     

线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性

利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.     

关于象山县针纺工业“九五”技术改造及其发展方向的探讨

浙江省象山县纺织业的历史源远流长。早在宋代宝庆年间已成行业,建国后进入全面复兴时期。特别是党的十一届三中全会以来,在中央改革开放方针指引和象山县委、县政府的正确领导下,获得了迅猛发展,并逐步形成了多门类、多品种、多层次的专业体系。     

AlN单晶薄膜扫描光谱椭偏研究

采用从近红外到深紫外能谱范围的扫描光谱椭偏方法,对AlN单晶薄膜结构和光学特性进行了研究.结果显示:近红外到近紫外能谱(1.5～3.875 eV)是高透明区,椭偏光谱呈现周期性振荡;近紫外及深紫外能谱(3.875～6.25 eV)是吸收区,椭偏光谱周期性振荡逐渐消失,且在4.27 eV和5.46 eV能谱位置产生与缺陷能级相关的阶跃;在近带边能谱(6.16 eV)处,椭偏光谱出现单峰极值.由多层结构建模及Tanguy Extended色散关系拟合得到AlN单晶薄膜o光和e光对应的禁带宽度(激子束缚能),其分别约为6.32 eV(74.9 meV)和6.08 eV(70.0 meV).研究表明,禁带宽度和光学各向异性对AlN薄膜椭偏光谱具有显著影响.     

基于Pro/E的机构创新设计实验平台研究

为培养学生的机构创新设计能力和实践动手能力,提高实验教学质量,采用"仿真实验与实物实验相结合"的方法进行机构创新设计实验。在Pro/E平台下实现机构的建模、虚拟装配、运动仿真及仿真结果分析,完成设计的实物拼装后测定机构的运动参数来验证仿真结果,提高了学生综合设计能力和解决实践工程问题的能力。     

AlN／蓝宝石模板上与GaN近晶格匹配InAlN薄膜的研究

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量 InAlN薄膜,并对其结构及表面特性进行了研究。结果表明：X射线衍射（20-24）面的倒易空间图表明,InAlN薄膜的晶格常数与GaN面的相匹配;（002）和（102）面的ω摇摆曲线测试表明,InAlN薄膜的晶体质量高,半峰宽值分别低达100″和248″;通过扫描电子显微镜（SEM ）分析发现,InAlN薄膜表面平整,仅存在少量位错坑;X射线能谱面扫描图（EDX映射）结果显示,除位错坑附近外,在薄膜其它区域内 Al和In元素分布均匀。     

流动注射化学发光法测定伏杀硫磷

基于伏杀硫磷对过氧化氢和鲁米诺在碱性条件下化学发光有抑制作用,本文建立了一种伏杀硫磷的流动注射化学发光(FI-CL)检测方法。伏杀硫磷在1.0×10-7-1.0×10-5g/mL范围内与发光强度呈良好的线性关系,检测限(S/N=3)为3.1×10-8g/mL,相对标准偏差(RSD)为1.21%,对甘蓝样品进行加标回收率测定,回收率在90.2%-97.4%之间。     

氧分压对磁控溅射β-Ga2O3薄膜结构及光学特性的影响

通过磁控溅射沉积以及高温热退火处理,在5.08 cm(2 inch)c-plane蓝宝石异质衬底上制备出单晶β-Ga2O3薄膜,研究了溅射气氛中氧分压对β-Ga2O3薄膜的晶体结构以及光学特性的影响.通过调控氧分压,获得了具有{-2 01}晶面族X射线衍射峰的β-Ga2O3薄膜,其最大晶粒尺寸达到138 nm,在300～800 nm波段透射率大于80％,最大光学带隙达5.12 eV.最优的薄膜表面粗糙度达0.401 nm,800 nm波长处折射率为1.94.实验结果表明,降低氧分压有利于溅射粒子动能增大、数量增多,从而提升β-Ga2O3薄膜结晶质量、增加薄膜透射率和光学带隙;适当提高氧分压则有利于改善薄膜表面平整度,并提高致密度.