p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.     

单晶硅材料机械性能研究及进展

本文综述了硅材料的机械性能研究进展和相应的研究方法。利用高温拉伸、抗弯测试和显微压痕测试等研究手段 ,指出硅材料表面状况、位错和杂质是其机械性能的主要影响因素。表面损伤将降低硅单晶的拉伸屈服强度和抗弯强度 ;而位错的产生和滑移也可降低单晶的机械性能 ,但杂质对位错的钉扎将起到强化单晶机械性能的作用。     

纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带

用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜,发现其激发谱分别在２４６ ｎｍ 及５０６ ｎｍ 附近有极大值。当激发波长在５０６ ｎｍ 附近时,观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约０ ．０５ ｅＶ 的发光带,远小于２５０ ｎｍ 激发时的发射光谱的宽度（ 约０ ．５０ ｅＶ） 。此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化,分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点,而短波长（２５０ ｎｍ） 光波激发时的宽发射谱主要来自于二氧化硅中的杂质与缺陷     

硅中氧氮扩散研究进展

着重探讨了氧的低温异常扩散现象,研究了氮在高温下扩散速率、扩散机理方面的进展,并对上前存在的一些尚未解决的问题进行了讨论。     

二氧化硅@硫化镉核壳结构粒子的制备及表征

本文利用化学水浴沉积法,在单分散的二氧化硅球表面包覆硫化镉,制备出二氧化硅@硫化镉核壳结构.通过改变反应物质的量以及反应温度等条件,得到了具有不同核壳比的二氧化硅@硫化镉核壳结构.实验发现随着二氧化硅@硫化镉核壳结构中硫化镉晶粒尺寸的减小,其吸收边和光致发光峰都产生了蓝移;这主要是由于随着硫化镉晶粒尺寸的减小,该材料体系的光学特性由体效应向量子尺寸效应的转变造成的.     

硅基GaN薄膜的外延生长

本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜,并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,ＸＲＤ图谱上有一ＧａＮ（０００２）衍射峰,其半高宽为０．５°,室温下的光致发光谱在３７３ｎｍ处有一个很强的发光峰,其半高宽为８ｎｍ（３５．７ｍｅＶ）．     

硅片清洗研究进展

综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展;着重指出了,改进的RCAI对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理,讨论了它与清洗顺序的关系,极度稀释的RCA2能使金属沾污降至10∧10原子/cm∧2以下,且不易使颗粒重新沉淀;最后介绍了清洗工艺的最新进展。     

直拉硅中氧化诱生层错研究进展

硅中的氧化诱生层错（OSF）是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大的影响,为提高硅片质量,要求对OSF有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了OSF的形成动力学、影响因素和检测方法,并指出：OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。     

微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷

研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中,空洞型原生缺陷(voids)的分布行为和其退火性质.从两种晶体不同位置取样,观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷(FPD)沿晶体轴向的分布,然后在1050～1250℃下Ar气中退火不同时间.实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸voids相关的FPD缺陷的密度大量减少,其体内这种FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样,在高温下才能被有效的消除.这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的voids的产生,而且掺氮硅中voids的内壁也有氧化膜存在.