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141.
高长径比硼酸镁晶须的制备及生长机理研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以六水氯化镁和硼砂为原料, 以氯化钠、氯化钾作为助熔剂, 通过熔盐法制备出长为200~800μm, 最大长径比为250, 品质均匀的硼酸镁晶须. 采用XRD分析、光学显微和SEM观察, 研究产物的结构和形貌, 并研究不同n(B)/n(Mg)、反应温度和时间对硼酸镁晶须生长过程及质量的影响, 结果表明, 反应的最佳条件是n(B)/n(Mg)=3:1、反应温度为900℃、恒温时间为6h. 根据XRD分析, 表明Mg2B2O5晶须的生成经过中间产物方硼石Mg3B7O13Cl的转化过程, 晶须生长需要一个富硼的环境. 晶须的生长机理符合L-S机理. 相似文献
142.
6061铝合金半固态坯料二次加热工艺及组织演变 总被引:3,自引:3,他引:0
针对近液相线半连续铸造技术制备的6061铝合金半固态坯料,在不同加热温度及保温时间下进行二次加热,采用光学显微镜及图像分析仪考察试样的微观形貌及尺寸特征,结合差热分析的方法研究加热过程中的液相形成、组织演变及晶粒长大过程。结果表明,二次加热温度及保温时间共同影响着微观组织演变过程,随着加热温度升高及保温时间延长,晶粒逐渐球化并长大。加热温度越高,组织演变速度越快;保温时间越长,晶粒球化并长大越明显。有效地控制二次加热温度及保温时间,能够获得均匀、圆整且相对细小的半固态组织。 相似文献
143.
通过分析所得的交流阻抗谱,探讨了采用交流阻抗技术使用连续变化电导池常数法测定溶液和熔盐电导率的合理实验条件。通过对交流阻抗等效电路进行分析,认为实验电路的交流阻抗过程是电化学极化与浓差极化共同控制的过程,对于溶液来说,扩散体现出Warburg扩散特性,而熔盐的扩散体现出Gerischer特性。采用边连续变化电导池常数公式进行电导率计算时,对应的电路电阻最好选择对所得的Nyquist图拟合分析所得的溶液/熔盐与电极及导线电阻之和。如果考虑拟合误差,也可以采用读取高频率时电路电阻的方法来进行计算。 相似文献
144.
低镁含量铝合金中镁的活度研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用氮化硼作电有容器,在惰性气体氮下,对Al-Mg二元稀溶液活度进行了研究。低镁铝合金中镁的行为遵守亨利定律,亨昨系数为0.86。该方法避免了电级的污染与镁的挥发氧化,提高了测量精度。 相似文献
145.
控制生坯在焙烧过程中的体积膨胀是制备优良性能石墨的关键因素.通过采用不同温度成型,研究了它们在焙烧过程中的膨胀机理.结果表明:170℃模压成型生坯在焙烧过程中的膨胀现象符合“气压”膨胀机理,生坯气体渗透性差,在沥青高温分解过程中易引起凸起、裂纹等表面形变,通过降低焙烧升温速率可以抑制焙烧过程中产生的膨胀;而135℃模压成型生坯,在焙烧过程中膨胀现象符合残余应力松弛-“气压”膨胀复合机理,气体渗透性比170℃制备的生坯好,膨胀主要发生在沥青软化阶段,采用适当的成型压力和较低焙烧升温速率可以提高焙烧品性能. 相似文献
146.
6061铝合金触变压缩数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
基于连续多孔介质的材料模型方法,将半固态材料假设为连续可压缩多孔介质骨架,利用DEFORM有限元软件进行单轴压缩模拟,分析触变成形过程中应变速率对6061铝合金成形性能的影响,得出初始固相体积分数为0.82的半固态6061铝合金的固相率分布及应变应力场分布。模拟结果表明,随着变形程度的增大,材料中心区域固相率分布较边缘均匀,随着变形速度的增加,材料的等效应变场分布与固相率分布呈现出相同的变化趋势。模拟曲线与实验曲线吻合,证明了数值模拟的可行性。 相似文献
147.
水氯镁石资源丰富,活性氧化镁是重要的无机化工产品,水氯镁石直接煅烧制备活性氧化镁流程短、成本低.实验采用水氯镁石直接煅烧制备活性氧化镁,采用柠檬酸法测定氧化镁的活性,研究煅烧温度和煅烧时间对产物氧化镁活性的影响,优化煅烧工艺条件.利用X射线衍射和扫描电镜研究氧化镁微观结构,探讨产物氧化镁活性变化的微观机理.结果表明,随煅烧温度的升高,氧化镁的平均晶粒尺寸增大,晶格常数减小,晶格畸变量减少,活性降低;煅烧温度550℃,煅烧1 h所得氧化镁活性最高,CAA值为50.5 s;晶粒小、结晶度低、平均粒度小、表面粗糙的氧化镁活性较高. 相似文献
148.
149.
液相线半连续铸造A356铝合金触变成形的组织与性能 总被引:5,自引:2,他引:5
研究了液相线半连续铸造法制备A356铝合金半固态浆触变成形并经固溶时效处理后的组织与性能,结果表明,触变成形与热处理后的A356件,其σb值达到238MPa,δ5达到17%,此结果为液相线半连续铸造A356铝合金触变成形的深入研究奠定了基础。 相似文献
150.