旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的测试

采用Y2O3和Ni 作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管.在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜.I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能.     

Ge2Sb2Te5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性

对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Fe5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。     

φ2mm微马达驱动旋转式微泵

在生物医学、化学液体的流量检测与分析及固态元器件冷却等领域中,均需要流量的精细控制和检测系统。在这类流量精细控制和检测系统中,微小型泵是一个基本元件。作者利用上海交通大学研制成功的、由微细加工工艺制备的、直径为2mm的电磁型微马达作驱动源,并配以电火花加工工艺制备的蜗壳和Ti合金叶轮制成旋转式微泵。微泵的外形尺寸为φ4．5×6．5mm,最大流量可达12ml／min,流量可根据马达转速进行调节。     

电磁驱动MEMS可调式光衰减器的设计

设计了一种由电磁驱动的微机械可调式光衰减器。这种光衰减器是由电磁驱动插在两对准单模光纤间隙中的挡光片来实现光功率的衰减。并对该衰减器的插入损耗、光衰减量以及电磁驱动器的性能进行了分析。     

Microstructures and transformation characteristics of thin films of TiNiCu shape memory alloy

Both sputtering conditions and crystallizing temperatures have great influence on the microstructures and phase transformation characteristics for TislNi44Cus. By means of the resistance-temperature measurement, X-ray diffraction and atomic fore microscopic study, the results indicate that the transformation temperatures of the thin films increase and the “rock candy“ martensitic relief is more easily obtained with promoting the sputtering Ar pressure, sputtering power, orcrystallizing temperature. However, when sputtering Ar pressure, sputtering power, or crystallizing temperature are lower, a kind of “chrysanthemum“ relief, which is related with Ti-rich GP zones, is much easier to be observed. The reason is that during crystallization process, both of the inherent compressive stresses introduced under the condition of higher sputteringpressure or higher crystallizing temperature are helpful to the transition from GP zones to Ti2(NiCu) precipitates and the increase of the transformation temperatures. The addition of copper to substitute for 5 96 nickel in mole fraction can reduce the transformation hvsteresis width to about 10 - 15 ℃.     

用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究

SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶，它适于超厚、高深宽比的MEMS微结构制造。但SU-8胶对工艺参数很敏感。采用正交试验设计方法对其工艺进行分析。采用三个因素进行试验，对试验进行了分析。以200μm厚的SU-8为例进行试验研究，得到光刻胶图形侧壁陡直，分辨率高，与基底附着性能，深宽比大于20。     

电磁驱动MEMS可调式光衰减器的研制

研制了一种工作在１５５０ｎｍ波长范围内的单模光纤微机械可调式光衰减器。该衰减器利用非硅表面微加工工艺（这种工艺采用光至抗蚀剂和溅射铜薄膜作为牺牲层,电镀铁镍层作为结构层来制作（ＭＥＭＳ元件）制作,由电镀铁镍层构成的一个插在两对准光纤空隙中的挡光片,一个平面电感线圈。一个硅弹簧和二个带有Ｖ型槽的光纤对准元件构成。电镀铁镍制作的挡光片被固定在一个硅弹簧上,该挡光片采用非硅表面微加工工艺制作。平面电感线     

MEMS可调式光衰减器性能测试及其分析

采用微细加工的方法研制出了一种可调式微机械光衰减器 ,对该衰减器的性能进行了测试 ,并对影响其光学性能的因素作了分析。测试表明 ,该衰减器的插入损耗<3dB ,衰减范围 0～ 4 0dB ,回波损耗 <- 45dB ,衰减精度可达 0 1dB。     

新型悬空结构射频微电感的制作与测试

利用MEMS(Micro Electro-Mechanical System:微机电系统)工艺中的牺牲层技术制作了一种新型悬空结构微电感,在此悬空结构中,微电感的线圈制作在与衬底平行的平面上,线圈与衬底之间有立柱支撑;此新型微电感的制作工艺流程简单,与集成电路工艺相兼容,且其高频性能较好。并对此结构微电感的性能进行了测试,测试频率范围在0.05~10 GHz之间,结果表明:当悬空结构微电感的悬空高度为20 靘,工作频率在3~5 GHz范围内时,其电感量达到4 nH,其Q值最大可达到22。     

一种新型的微机械可变式光衰减器

介绍了一种新型的连续可变式微机械单模光衰减器的设计与制作。该光衰减器采用电磁型微驱动器驱动一个铁镍合金衰减片，使其插入两根准直的单模光纤的间隙中，依靠精密地调节衰减片切入光路中的位置而实现对传输光功率的连续衰减。采用硅微细加工技术成功地制作出了这种光衰减器，并对微驱动器的性能进行了理论分析。测试结果表明，当传输的光波长为1550nm时，该衰减器的平均插入损耗为2.5dB，衰减范围为2.5-45dB，回波损耗为40dB。