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1996年 | 3篇 |
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51.
VIA是用户级集群系统工业标准.深入研究了VIA的规范和协议,设计和实现了一种高性能的用户级网卡--XUNI(PCI-X based user lever network interface),达到高带宽、低延迟,系统具有良好的计算通信重叠性.该网卡可以用于集群系统,也非常适用于高速网络存储系统. 相似文献
52.
本文介绍了一种并行高速乘法器的设计原理与方法。该乘法器基于一片FPGA芯片实现,应用在通用数字神经处理芯片中,运作良好,工作主频可达30MHZ,达到了预期的目标。同时,这个高速乘法器也可用作DSP数字信号处理器的基本运算单元 相似文献
53.
P2P网络是一种基于对等实体的数据交换方式,在数据交换协作过程由于用户的未知性、动态性,使得另一方会面临很大的风险。而传统的访问控制模型都是基于授权在资源使用之前,应用于相对静态的系统中,对于属性值动态更改的系统不能很好地适用。首先对P2P传统的信誉值计算方法进行了改进,对影响信誉值的多种因素进行了综合考虑,提出了一种比较准确全面的信誉值评估算法。然后从现今研究比较热的UCON模型出发,利用其属性的可变性以及授权的连续性等特点,提出了一种P2P的动态访问控制模型。 相似文献
54.
目的:以掺杂的方法制备掺钒雪菊,探究雪菊富钒的可行性,并考察其提取物对α-葡萄糖苷酶活性的影响及其酶抑制作用类型。方法:采用石墨炉原子吸收分光光度法测定钒(V)含量,并计算雪菊富钒率;以4-硝基苯基-α-D-吡喃葡萄糖苷(pNPG)为底物,阿卡波糖为阳性对照,测定提取物对α-葡萄糖苷酶活性的抑制率并进行抑制动力学分析。结果:经测定,雪菊富钒能力较强,钒化合物浓度在25~800mg/L范围内,雪菊富集钒总量在1.44~30.82mg/kg之间。当钒溶液浓度为50mg/L时,富钒率最高;掺钒雪菊提取物对α-葡萄糖苷酶的半数抑制浓度(IC50)为67.08±1.15μg/mL,且抑制率随浓度增加而增加。酶抑制动力学实验研究发现其提取物为混合型抑制类型。结论:在适宜的钒浓度条件下,掺钒雪菊提取物具有较高的富钒率和较强的酶抑制活性。 相似文献
55.
软硬件划分是软硬件协同设计的关键技术之一,划分结果对最终的设计方案有非常重要的影响。软硬件划分根据优化目标的数量,可分为单目标划分和多目标划分。多目标划分问题是一个NP-hard问题,一般不存在传统意义上的“最优解”,而是存在一组互不支配的Pareto最优解。遗传算法因其具有并行、群体搜索的特点而非常适于求解多目标优化问题。通过抽象描述将一个实际SOC设计问题转化为多目标软硬件划分问题,采用遗传算法便可获得最优设计方案。为克服过早收敛及加快搜索速度,改进了适应度函数的定义,通过自适应参数调整,加入惩罚函数的适应度定义,提高了进化速度,从而有效地获得了Pareto最优解集。在实际问题的应用中,多目标软硬件划分遗传算法是能有效求取平衡系统成本、硬件面积、功耗和时间特性的最优化方案。 相似文献
56.
对象存储重新划分了传统文件系统的功能,并将存储管理功能下放到智能存储设备中。采用基于对象接口,利用智能存储设备的计算能力改善存储性能,获得了更好的可扩展性、安全性以及跨平台无缝共享能力,目前正得到广泛的研究和应用。对象存储控制器是对象存储系统的核心部件,是对象存储系统性能发挥的关键。介绍了一种新型的基于SOC的对象存储控制器的设计和实现。测试结果表明,设计的对象存储控制器在性能、可靠性、成本和功耗方面都具有巨大优势。最后介绍了几种正在研究的对象存储控制器的并行优化方法。 相似文献
57.
基于高性能互连实现对象存储系统已经成为构建高性能计算机可扩展I/O系统的发展趋势。我们设计并实现了一种定制的高带宽、低延迟的高性能互连芯片HSNI,它提供了很好的通信性能,可用于构建对象存储系统。本文对HSNI的硬件体系结构、软件结构及其通信机制进行了介绍,并基于HSNI构建了高性能的对象存储系统。性能测试结果表明,HSNI芯片带宽高、延迟低,非常适合构建大规模对象存储系统,该存储系统能够很好地发挥Lustre系统的性能,并具有很好的可扩展性,能够很好地满足面向高性能计算的I/O系统需求。 相似文献
58.
59.
研究了稀土Ce对Sn-3.0Ag-0.5Cu合金显微组织及焊点剪切强度的影响规律.利用扫描电镜对铸态合金及焊点显微组织和断口形貌进行了观察和分析,利用能谱仪对铸态合金组分进行测试,采用力学试验机测试焊点的剪切强度.研究表明:当Ce添加量为0.25%时,铸态合金显微组织中β-Sn相与Ag3Sn相明显细化,出现了少量的Sn-Ce相及Ce的偏聚区;采用气雾化粉末所配制的焊膏进行回流焊,添加Ce后,焊点基体组织比未添加时明显优化;经过气雾化制粉,Ce向粉末表面富集并极易氧化,导致焊粉氧含量升高,使得回流焊接后焊料/Cu界面IMC层附近孔洞增加,焊点剪切强度降低. 相似文献
60.
应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5~3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W. 相似文献