10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计

在高速光电子器件的微波封装过程中，需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用，成功实现了10Gb／s电吸收调制激光器（EML）的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比，器件的反射参数和传输参数有所改善，3dB带宽达到10GHz；并进行了10Gb／s速率的光纤传输实验，经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm（误码率为10^-12），满足10Gb／s长距离光纤传输系统的要求。     

长宇:十年拼搏再创辉煌

了解中国商业信息化发展史的人，都知道较早的几大商业ERP软件厂商，知道“长宇”二字的份量。如今，历经十年拼搏，长宇作为专业的商业软件系统集成商，硕果累累。10月中旬，在广西桂林举行的长宇公司成立十周年庆祝大会上，北京赛特购物中心、哈尔滨远大购物中心等用户企业和IBM、沈阳市和四通公司等合作伙伴向长宇献上祝福，祝愿这家企业稳步发展，与中国商品流通业共同进步。     

IBM演绎“创新无限”并成立中国创新中心

以“协作有道，创新无限”为主题，IBM公司2月28日在京举行了新春记者招待会；同日，IBM中国创新中心（CBIC，China Business Innovation Center）在北京中关村软件园内揭牌。这些举动昭示着这家全球著名信息技术和业务解决方案公司2006年帮助中国各行各业企业赢得21世纪竞争主动权的雄心。     

阿海水电站征地移民安置规划设计工作经验浅谈

介绍新条例、新规范和新的安置方式出台背景下,编制阿海水电站移民安置规划采用的主要技术路线和技术内容,对其中突出的问题进行了分析和梳理,对相关工作经验进行了总结。     

聚酰胺系热塑性弹性体

介绍了聚酰胺系热塑性弹性体的发展历程，叙述了ＴＰＡＥ的合成方法，优异性能，应用领域及研究状况，并探讨了ＴＰＡＥ今后的发展趋势。     

硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用

基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上.     

BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线

面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0～40 GHz)、低损耗微波共面波导传输线.对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化.结果表明,当设计的BCB膜厚为4 μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优.在此基础上,采用电阻率为108Ω·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μm BCB薄膜,制作出0～40 GHz范围内微波损耗小于0.5 dB/mm的共面波导传输线.     

“电气工程基础”课程“3+3”实践教学模式

介绍了"电气工程基础"课程"3+3"实践教学模式的基本思想和实验设计。电气工程基础实践教学由"认知实习-课程实验-课程设计"三个环节构成,其中课程实验通过设置基础实验、选做实验和设计性实验,实现"验证性实验-综合性设计实验-创新性实验"三个实验层次。通过多环节多层次的立体化实验教学方法,强化学生的动手能力,培养学生的创新精神。实践证明,"3+3"实践教学模式对"电气工程基础"课程教学效果良好。     

基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器

高速850 nm GaAs/AlGaAs面入射型单行载流子光电探测器(PD)是短距离光链路中的重要器件,面临着带宽和响应度之间的相互矛盾。报道了一种基于分布布拉格反射器(DBR)增强的GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器(UTC-PD)。DBR由20个周期的高/低Al组分的Al_xGa_1-xAs三元合金组成,可以在830～870 nm范围内形成大于0.9的反射。在AlGaAs DBR的增强下,将GaAs吸收层所需的厚度降低到1 040 nm,兼顾PD对光的吸收率和光生载流子的渡越时间。采用双台面、聚合物平面化、共面波导电极结构制作了UTC-PD器件。该器件在850 nm波长、-2 V偏压下具有19.26 GHz的-3 dB带宽和0.492 6 A/W的响应度。