电泳沉积法制备CuO薄膜的微观结构分析

在经清洗后的硅(111)衬底上,分别采用电泳过程中氧化制备CuO薄膜和电泳制备Cu膜后退火氧化制备CuO薄膜。用XRD和SEM对薄膜样品进行了组分、表面形貌等微观结构的分析,发现两种方法制备的CuO薄膜的组分基本一致,但形貌完全不同,前者是由非常均匀的CuO小颗粒(200nm)相连而成团簇状,后者是由一些大小均匀的半径约为200nm的CuO小颗粒和气孔相互交融紧密连接而成的条状或块状。电泳过程中氧化制备的CuO薄膜结晶质量较好。     

油田用延时性高黏凝胶制备方法研究

基于改性淀粉凝胶于调剖堵水、封堵、钻完井等方面优异的使用性能及应用前景。以淀粉、丙烯酰胺(AM)为原料,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,利用淀粉同烯类单体进行接枝共聚,通过交联剂来实现共价键交联,在实验室条件下合成一种适用于中、高温油藏,成胶时间延时至2 h内可控的高强度的改性淀粉凝胶。研究了引发剂的用量、交联剂的用量、反应温度、p H值对胶体成胶性能(体系黏度和成胶时间)的影响。结果表明:在引发剂质量分数介于0.04%~0.06%,交联剂质量分数在5.1%左右,反应温度为80℃,体系p H为10时所制得的聚合物胶体性能最佳,其体系黏度对应为1 950×103 m Pa·s。     

气象信息决策支持系统微服务化改造及设计

气象信息决策支持系统是服务于国办和应急管理部的决策业务系统,系统采用传统的Web服务架构开发,目前很难满足面向山洪地质灾害防治和应急管理需求的行业服务应用,不能支撑各行业领域定制服务功能,因此需要以“微服务”架构思想对系统进行功能升级改造,实现功能服务管理去中心化,系统部署独立化,功能实现接口化,能够灵活应对本地化和行...     

基于深度学习的单层双阻带频率选择表面设计

为了满足FR1频段与Ku频段电磁干扰的屏蔽需求,提出一种双阻带、具有良好角度稳定性和极化稳定性的频率选择表面(FSS)结构。所设计的FSS单元结构由覆盖在FR4介质表面的金属方环与四个弯折金属臂共同组成。该结构的低频阻带覆盖0～5.5 GHz,高频阻带可根据金属臂长度进行调节。为快速获得高频阻带结构,构建了反向传播深度神经网络(BP-DNN)模型。该模型以FSS单元结构的五个参数作为输入,以高频阻带的中心频点与15 dB屏蔽效能(SE)带宽作为输出。训练后的深度网络模型可快速获得12～21 GHz范围内指定高频阻带中心频点及15 dB屏蔽效能带宽的FSS单元结构参数。利用训练后的BP-DNN网络模型快速获得了高频阻带中心频点在16 GHz,|S₂₁|≤-15 dB带宽为1.86 GHz的FSS结构,全波分析仿真结果表明该设计达到预期效果。     

Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒

采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。     

Ba（Zn1／3Nb2／3）03-BaZrO3系统结构和介电性能的研究

研究了BaZrO3、MnCO3对Ba(Zn1／2Nb2／3)O3(BZN)系统结构和介电性能的影响。表明BaZrO3及MnCO3均能有效降低系统的烧结温度。系统中加入过多的BaZrO3(BZ)会降低介电常数，增大介质损耗，并使容量温度系数负向发展；加入微量MnCO2对系统的介电性能影响不大。系统中加入的x(BaZrO3)=4％会生成较多的第二相BaNb2O6、BaZrO3摩尔分数增加至8％时，第二相消失。这是由于过多BZ的加入会在烧结温度到达前生成较多液相，促进烧结的同时也阻碍了ZnO的挥发，从而抑制了第二相的生成。向96％BZN-4％BZ中加入r(MnCO3)-0．5％，也会抑制第二相的生成，这可能是由于Mn^2 占据了B‘位Zn^2 挥发后留下的空位，形成固溶体，没有形成富Nb液相区，从而抑制了第二相的生成。     

氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)

通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构,且纳米结构的生长受温度影响很大。PL谱显示在388nm处有一强的紫外发光峰,表明其在低维激光器件方面的应用优势。同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论。     

航空电子全双工交换式以太网编址方案设计

目前国内对航空电子全双工交换式以太网(AFDX)的研究还停留在标准的研究和单个的端系统仿真测试阶段,缺乏能用于AFDX测试的实际网络.为此,提出了一个用于机载数据网络的网络层编址方案,设计了一个AFDX通信网络系统,将其作为一个AFDX网络半实物仿真测试系统的底层架构应用于实际测试.测试结果表明,系统具有更强的实时性和连续性.     

氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线

采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15min。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的结构进行了分析,结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构,且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响;采用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了测试,发现纳米线表面光滑,长度可达几十微米,表明采用氧化物缓冲层制备了高质量的GaN线。同时对GaN纳米线的生长机理进行了简单讨论。     

Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷B位离子非化学计量比的研究

A(B1/′3′B2/′3)O3型微波介质陶瓷中,B位阳离子对损耗和有序结构有较大的影响。该文研究了B位离子非化学计量比对损耗及有序结构的影响,研究发现,B位Zn2 、Nb5 偏离化学计量比越大,损耗越大,同时有序结构随着B位Zn/Nb离子间的比例变化而变化。