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41.
对粗晶纯Al多晶体的疲劳断口进行了扫描电镜分析,在应变控制循环形变下,晶粒粗大而延性很好的金属的疲劳断口具有某些特征:断裂源少而集中,断裂源附近裂纹呈扇形扩展,疲劳条纹为循环解理刻面,每一条纹由较宽的解理刻面和窄的解理台阶两部分组成,台阶往往由于塑性形变而钝化;在裂纹扩展第Ⅱ阶段的疲劳条纹清晰、连续,布满裂纹扩展第Ⅱ阶段的整个区域,不同水平面形成的条纹间以“麻花形”的条带连接;多处观察到沿条纹形成的二次微裂纹,有些已发展成二次宏观裂纹,并有二次疲劳条纹;在断口上可观察到解理小舌台;断口上无最后拉断的静断区,对疲劳条纹的形成机制进行了初步的探讨。  相似文献   
42.
在分析金属晶体材料的微观层次的应力-应变关系时,将滑移引入到本构关系中,考虑了变形的率相关性,引入了新的硬化规律和硬化函数,采用三维模型进行了有限元分析,使计算结果与实验结果更加接近,并且计算了率相关系数的变化对不同取向的单晶体的应力-应变关系的影响。  相似文献   
43.
胡运明  王中光 《金属学报》1997,33(8):824-830
用扫描电镜观察了受应变疲劳载荷作用的Cu双晶物的表面形貌,发现晶界是疲劳形变双晶是有利的裂纺萌生地点,在滑移带撞击晶界的地方,特别是在几条粗滑移带共同撞击晶界的地方观察到许多疲劳微裂纹;并且发现与平行晶界双晶相比,垂直晶界双晶有有利于疲劳裂纹沿晶界作早期扩展。  相似文献   
44.
低温处理对SiCp/6061Al复合材料残余应力的影响   总被引:9,自引:0,他引:9  
李寰  李家宝  孙立志  王中光 《金属学报》1996,32(12):1279-1284
对时效状态及-60℃和-196℃低温处理状态的Sic_p/6061Al(SiC体积分数为20%)复合材料中的热残余应力进行了X射线应力测定及有限元分析.实验与计算结果均表明,随着低温处理温度的下降,复合材料基体相中的平均残余应力由拉应力逐渐变成了压应力,增强相中的平均残余应力由压应力逐渐变成了拉应力.但是,低温处理后材料内部仍然存在着应力梯度和应力集中,基体相中仍然存在着拉应力区.  相似文献   
45.
压铸镁合金在汽车工业中的应用和发展趋势   总被引:41,自引:4,他引:37  
论述了压铸镁合金用于汽车轻型结构件的性能优势,分析和介绍了一些主要牌号压铸镁合金的化学成分、成型工艺和使用性能特点以及在发达国家汽车工业中的应用现状和发展趋势。依此呼吁,作为头号镁资源大国的中国,压铸镁合金的研究、开发与应用已势在必行。  相似文献   
46.
刘江涛  王中光  尚建库 《金属学报》2008,44(12):1409-1414
对[110]和[112]取向的单晶Sn试样在不同温度和不同应变速率下进行了拉伸实验. 结果表明, 两种取向的Sn单晶体对应变速率都极为敏感, [110]取向晶体的应变速率敏感指数m为0.133, 高于[112]取向的 0.108, 表现出较高的塑性. 单晶Sn在变形过程中表现出很强的加工硬化, [110]取向试样的加工硬化指数n约为0.54, 高于[112]取向的0.46. 通过电镜观察得到, [110]取向试样的变形以多系滑移方式进行, [112] 取向试样是以交滑移和孪晶方式共同进行变形; [110]取向晶体首先开动的滑移系是{010}<100>, 开动这个滑移系的临界分解切应力(CRSS)为3.1 MPa. 两种取向的单晶 体变形的激活能Q在 35-52 kJ/mol之间, 根据激活能和滑移形貌的观察, 得出变形过程是由交滑移机制控制的结论.  相似文献   
47.
研究了本积分数为15%和28%SiCW/6061Al基复合材料的同相和反相热机械疲劳寿命和损伤机制.结果表明:在小应变范围时,同相比反相疲劳寿命长,而在大应变时,同相疲劳寿命接近(对于28%SiCW)、甚至短于(对于15%SiCW)反相热机械疲劳寿命;15%SICW/6016Al基复合材料的反相热机械疲劳寿命高于28%SiCW/6016Al基复合材料的寿命.两种材料的同相热机械疲劳寿命曲线存在交叉点,寿命高低取决于应变水平;同相和反相热机械疲劳的损仿均为空洞在SiC晶须周围基体中形核、长大和连接.  相似文献   
48.
本文通过对取向近垂直晶界铜双晶体进行塑性应变控制循环变形,在表面滑移形貌及饱和位错组态观察的基础上,研究了其循环应力-应变响应.结果表明该铜双晶体循环应力-应变(CSS)曲线具有两个饱和轴向应力基本不变的平台区.即在塑性应变范围1.80×10-4-1.35×10-3对应于饱和应力幅62—64MPa及在塑性应变范围2.04×10-3—2.56×10-3对应于饱和应力幅70—71MPa.讨论了组元晶体的相对取向对其滑移形貌、饱和位错组态及CSS曲线的影响。  相似文献   
49.
用透射电镜原位观察方法对Ni 基高温合金单晶裂纹尖端位错行为进行了研究。发现在裂纹扩展的同时伴随着位错的发射,并在裂纹尖端形成无位错区(DFZ)。γ/γ′界面的存在阻碍位错的运动,并使DFZ 变短。  相似文献   
50.
研究了挤压19Vol─%SiCw/LD2复合材料在(Ⅰ十Ⅱ)型复合应力作用下疲劳裂纹扩展门槛值和裂纹扩展时的偏转角.用扫描电镜观察了与预制裂纹相邻的裂纹扩展区的断口形貌.结果表明,在(Ⅰ十Ⅱ)型复合应力作用下,裂纹沿最大主应力方向扩展;当△kⅠ和△kⅡ共同达到一特定值时,裂纹开始扩展;裂纹偏转角不同,扩展阻力也不同  相似文献   
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