碳化硅纳米纤维改性C/C复合材料的力学性能

以电镀Ni颗粒为催化剂,采用催化化学气相沉积(CCVD)法,在单向炭纤维(CF)表面原位生长碳化硅纳米纤维(SiCNF),制备出SiCNF/CF共增强毡体。以此共增强毡体为前驱体,化学气相沉积碳后得到密度为1.7g/cm3的SiCNF改性C/C复合材料。复合材料力学性能测试表明,SiCNF改性可使C/C复合材料的抗弯强度、抗压强度和显微硬度明显提高。扫描电子显微镜和偏光显微镜观察表明,SiCNF改性处理改变了C/C复合材料中基体炭的结构,使其成为类似粗糙层(RL)或高织构的结构。     

CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的制备及其性能

以针刺整体炭毡为预制体,采用化学气相渗透法(CVI)增密制备C/C多孔体,然后采用反应熔体浸渗法(RMI),将Cu与Si同时熔渗进C/C坯体中制备CuxSiy改性C/C-SiC复合材料.研究CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的组织结构、力学性能和摩擦磨损性能,并与C/C-SiC复合材料进行对比.结果表明:CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的弯曲强度和冲击韧性略低于C/C-SiC复合材料的;采用30Cr钢作对偶时,CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的摩擦因数约为0.24,线磨损率小于4 μm·side-1·cycle-1,均与C/C-SiC复合材料的相近,但其摩擦表面温度降低约50 ℃;以自身材料作对偶时,CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的摩擦磨损性能略低于C/C-SiC复合材料的.     

包埋法制备SiC涂层内残留Si的高温抗氧化作用机制

采用包埋法在C/C基体上制备了SiC涂层, 借助X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对涂层的相组成及微观形貌进行了观察和分析, 研究了涂层在1500℃静态空气中的氧化行为, 并进一步阐述了涂层的抗氧化机制。结果显示: 包埋法制备的涂层由α-SiC、 β-SiC及游离Si组成, 经XRD半定量分析得到不同工艺制备的涂层中游离Si含量不同; 游离Si含量越高涂层越致密; 氧化性能显示涂层中适量的游离Si有利于涂层的抗氧化, 当涂层中游离Si质量分数为1.3%和2.9%时其抗氧化性能均较好, 在1500℃静态空气中氧化7 h失重率分别为0.19%和0.16%。      

具有低脆性参数的Zr-Al-Ni-Cu玻璃形成合金

采用铜模铸造法制备出一系列Zr-Al-Ni-Cu块体非晶合金,其脆性参数值分别采用Arrhenius和Vogel-Fulcher-Tammann （VFT）方法进行计算。结果表明,这些非晶合金具有低的脆性参数值,其原因可能与网络状的微观结构有关。另外,Zr-Al-Ni-Cu合金的脆性参数值可以通过Zr含量进行调整,当Zr含量接近54%（摩尔分数）时,Zr-Al-Ni-Cu合金,即Zr 54 Al 13 Cu 18 Ni 15合金的脆性参数值最小,约为13。     

锂离子电池负极材料用掺硼呋喃树脂炭的电化学性能

以添加5%(质量分数)硼酸的呋喃树脂为前驱体,经炭化后进行高温(2 000和3 000℃)热处理,制备掺硼呋喃树脂炭。采用XRD、Raman、XPS和SEM考察样品的物相组成、微观结构和表面形貌;采用恒流充放电技术研究样品的电化学性能。结果表明:掺硼明显促进树脂炭的石墨化,并改变其表面形貌;树脂炭的可逆容量与XRD、Raman测得的结构参数密切相关,有序度越高,微晶尺寸越大,此时其可逆容量也越大;3 000℃处理的掺硼树脂炭有序度高,微晶尺寸大,La和Lc分别为25.93和27.17nm,此时其可逆容量最高,约为310 mA.h/g,且循环50次后无容量衰减。     

C／C复合材料ZrB2-SiC基陶瓷涂层制备及烧蚀性能研究

为提高C／C复合材料的抗烧蚀性能,采用两步刷涂一烧结法制备了ZrB2-SiC基陶瓷涂层。首先利用反应烧结制备ZrB2-SiC—ZrC过渡层,并在此基础上制备了ZrB2-20％SiC-5％Si3N4、ZrB2．15％SIC-20％MoSi2、ZrB2．15％SiC-20％TaC3种外涂层。利用XRD和扫描电镜研究了涂层的相组成和显微形貌,并采用氧乙炔焰烧蚀仪测试了涂层在2500℃、60S的抗烧蚀性能,探讨了涂层的高温烧蚀机理。结果表明：利用反应烧结制备的过渡层与基体结合紧密,且与外涂层无明显分层现象,起到了良好的过渡作用;由于Si,N4及MoSi2起到了烧结助剂作用,使ZrB2—20％SiC-5％Si,N4、ZrB2．15％SiC．20％MoSi2外涂层结构较为致密;ZrB2—20％SiC-5％si3N4、ZrB2—15％SiC～20％MoSi2涂层表现出了较好的抗烧蚀性能,其中ZrB2-20％SiC-5％Si3N4涂层线烧蚀率及质量烧蚀率分别为0．075mm/s、0．0081/s,ZrB2—15％SIC-20％MoSi2涂层线烧蚀率及质量烧蚀率分别为0．018mm／s、0．0064g／s,而ZrB2-15％SIC-20％TaC涂层由于结构较为松散,未能起到有效的氧化防护,导致涂层被烧穿。     

C/C-SiC与HT250灰铸铁摩擦副的制动效能

采用化学气相渗透和熔硅浸渗相结合的方法制备C/C-SiC制动材料,在惯性台架试验机上对C/C-SiC与HT250灰铸铁摩擦副进行性能检测.结合材料组织结构,对制动效能与制动初速度、摩擦因数、制动压力的相关性及摩擦副摩擦机理进行分析.结果表明:恒力矩制动实验中,在制动力矩相同的条件下,摩擦因数随制动初速度增大而减小.在制...     

包埋法制备SiC涂层C/C复合材料及真空热处理对涂层的影响

采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层.并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影响.研究结果表明:包埋粉料中Si含量为84.5%和87.0%(质量分数)时,所制备的SiC过渡层由β-SiC、α-SiC和Si三相组成....     

浓香型白酒生产中小曲堆积糖化的工艺研究

为了开发淡爽化的新口味浓香型白酒,采用大小曲联用优化堆积发酵工艺。以单因素试验为基础研究小曲堆积糖化工艺中的粮食添加量、小曲添加量、糠壳添加量及堆积糖化时间对糖化醅中还原糖含量的影响。然后,采用多因素的响应面试验优化糖化工艺。结果表明,最佳糖化堆积工艺为:糠壳添加量为4%、小曲添加量为0.3%、玉米添加量为10%、糖化堆积时间为48 h,在此条件下生产的粮醅还原糖含量为20.9 g/100 g,粮醅蜜香清雅、味甜纯正,结果为后续发酵工艺优化与酿酒效果的研究奠定了基础。     

回糟预处理工艺的比较研究

对回糟采用4种不同的预处理方案，研究它们对发酵酒醅理化指标、酒的质量和产量的影响。方差分析结果表明：4种不同的预处理方案对发酵酒醅理化指标、酒的质量和产量均有显著影响（p〈0．05）。确定最佳回糟预处理方案为：回糟中加降酸剂0．6kg／甑和专用曲4kg／甑，它比传统生产方法多产酒约30kg／甑，酒质从普一提高到优二。