新颖双频Wilkinson功率分配器的研究与设计

通过对三端口都加有微带线的新颖结构功率分配器的研究和理论分析,研制了一款适用于900 MHz射频识别(RFID)和2 140 MHz基站系统的双频段功率分配器。首先根据改进的Wilkinson功率分配器结构,通过奇模-偶模分析理论得出其设计电路参数方程;接着对电路参数方程求解获得具体的设计参数;然后根据设计参数搭建电路进行ADS仿真;最后对设计的功率分配器进行测试和分析。结果表明:设计的双频段功率分配器在工作的两个频段内都具有良好的性能,对两种系统具有实际的应用意义,同时表明奇模-偶模分析理论对设计实际的双频功率分配器具有重要价值。     

基于标准BiCMOS工艺的1.5Gbit/s调节型共源共栅光接收机

基于IBM 0.18μm SiGe Bi CMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电 路。接收机芯片包括调节型共源共栅 (RGC) 跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和 输出缓冲 电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了 探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电 压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时 ,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB带宽为2.1GHz 。 测试结果表明,光接收机前端电路的－3dB带宽为1.2GHz,跨阻增 益为72.2dB,在误码率(BER)为10－9的条件 下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1. 8V电源电压 下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800 μm×370μm。     

基于标准BiCMOS工艺的1.5 Gbit/s调节型共源共栅光接收机

基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB,-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1.8V电源电压下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800μm×370μm。     

一种光电反射式脉搏血氧监测方法

为缓解患者长时间使用透射式无创血氧饱和度监测仪带来的痛苦,提出采用反射式光电传感器进行脉搏血氧监测方法。利用LabVIEW软件强大的数据处理功能,结合NI USB-6353DAQ数据采集器,可快速实现系统的搭建。对10名患者进行脉率与血氧饱和度的监护测试实验,并与临床用血氧饱和度监测仪测量的数据对比,两者测量的血氧饱和度平均误差为0.2%,测量的脉率平均误差为0.8time/min。结果表明,本文设计与临床用血氧饱和度监测仪具有良好的一致性,能够进行脉率与血氧饱和度的测量,可以成为现有生理参数监测方法的一种补充。     

RTD串联电阻和峰值电压随温度变化的测量与分析

对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的I-V特性随温度(T)的变化进行了系统测量,并基于此I-V特性,采用第一正阻区斜率法和第二正阻区I-V特性法测量了RTD的直流串联电阻(Rs)。分析、比较了两种方法各自的特点,发现Rs随T的降低开始阶段增大,随着T进一步降低趋于一定值或略有升高后趋于一定值。结合峰值电流(Ip)和有效起始电压(Vi)随T的变化规律解释了峰值电压(Vp)随T的降低移向高电压的现象。     

10Gbit/s甚短距离(VSR)并行光传输系统

介绍了一个适用于甚短距离(Very Short Reach,VSR)网络传输的并行光传输系统。系统的发射部分用垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting La-ser,VCSEL)1×12列阵代替传统的边发射激光器,接收部分也采用相应的探测器列阵,并由多模光纤列阵相连接,在300m距离内以单信道1.25 Gbit/s速率实现的10Gbit/s的高传输速率。     

光子晶体微腔半导体激光器的研究进展

概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展，从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述，并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。     

垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性

给出了垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性,调制特性用解析计算和电路模型模拟两种方法得到,解析计算和电路模型模拟的结果一致,实验证实了电路模型的正确性.     

一种无源UHF RFID电子标签验证开发平台

提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID电子标签验证开发平台,其工作在915MHz ISM频带下.该平台有效减少了设计开发时间及成本,并实现了电子标签的快速原型设计.该平台包括RFID模拟前端以及采用Altera ACEX FPGA实现的标签控制逻辑.RFID模拟前端采用Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等,通过调整FPGA中的标签控制逻辑,该平台实现了快速、灵活而高效的RFID验证开发.