基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计

针对TO-220 AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了基板厚度、粘结层材料及粘结层厚度对器件温度分布的影响.分析结果表明,由芯片至基板的热通路是器件的主要散热途径.基板最佳厚度介于1～1.2 mm之间,且枯结层的导热系数越大、厚度越薄,越有利于器件的散热.     

基于分布式射频MEMS移相器电容开关的分析与设计

通过分析MEMS电容开关的工作原理,设计出一种适合分布式射频MEMS移相器电路的新型电容开关.采用Intel lisuiteTM软件优化电容开关的驱动电压、响应时间、释放时间和机械振动模式.结果表明,开关驱动电压为2.5 V、响应时间小于30μs,释放时间大于60 μs和所有振动模式固有频率都大于15 KHz.与普通开关结构比较,该新型电容开关结构具有优越射频机电性能和响应时间,同时也对电容开关的制备工艺进行分析.     

低驱动电压MEMS电容开关设计与仿真

设计了膜桥支撑梁为弹簧弯曲结构的MEMS电容开关,应用有限元软件Intellisuite对开关静电驱动特性进行仿真,得到开关驱动电压,并分析不同膜桥材料对MEMS电容开关驱动电压的影响.结果表明,与固支结构悬臂梁相比,弹簧弯曲结构悬臂梁支撑的电容开关具有更低的驱动电压,由杨氏模量小的膜桥材料构成的开关具有比其他材料更低的驱动电压.     

微机电系统折叠梁开关低功耗方法研究与仿真

研究微机电系统中的功率消耗优化问题。微机电系统中利用折叠梁开关中的电容充放电控制一些大型的电路,当开关需要驱动较为复杂的电路时,为达到驱动效果,开关需要较大弹性系数的电容。传统的微机电系统工作原理中,电容的弹性系数和驱动电压成正比。过大的电容弹性系数将导致驱动电压过大,消耗的有效功率过高。为此,提出一种弹性敏感动态参数优化方法。通过建立折叠梁开关电容弹性系数的动态估计模型,确定功率的变化敏感性,通过充分研究电容弹性系数的动态估计模型,确定系统功耗与弹性系数的关联程度,保证参数时域内达到最优。实验表明,改进方法有效降低了微机电系统的功率消耗,取得了较好的效果。     

车载智能主动防护系统的研究

现代汽车舒适性与安全性的衡量标准正在发生着巨大的变化，由传统的机械结构、工艺逐步的进化为智能化、人性化的方向转变，传统的汽车工业也在经历着新一轮的洗牌；现如今，交通安全面临着极大的压力，事故隐患逐年增多，因而，汽车的安全性能面临着极大的挑战，而车载电子设备在汽车设备中所占比例的日益提高，为汽车安全性能的提升带来了巨大机遇，本文就针对汽车的智能安全系统的发展展开了研究，分析了智能安全系统的前景，并对智能安全系统领域进行了全面的探讨，针对当前汽车安全系统的问题进行了剖析，并根据以上结论搭建了主动防护系统的架构。     

Al_2O_3/PI薄膜纳米颗粒形态的SAXS研究

聚酰亚胺(PI)/无机纳米杂化材料具有良好的电绝缘性、优异的机械性能以及高耐热等特性,广泛地应用于电气电子领域.本文利用同步辐射小角X射线散射(SAXS)技术对聚酰亚胺纳米杂化薄膜(Al_2O_3/PI)进行微观结构分析,结合透射电子显微镜(TEM)测试的结果,研究了杂化薄膜中无机纳米颗粒的特性.研究结果表明,无机纳米颗粒尺寸约为4–7 nm,纳米颗粒与基体之间具有明锐的界面,薄膜体系分形维数为2.48.     

PtSi/p-Si异质薄膜研究的新进展

综述了 Pt Si/p- Si异质薄膜近年来研究的新进展 ,包括 Pt Si/p- Si的制备工艺、相形成与分布、Pt Si/p- Si界面的微结构、价电子结构以及 Pt Si/p- Si肖特基势垒的研究现状 ,并且探讨了 Pt Si/p- Si的发展方向。     

退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

采用XPS,XRD,AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成,分布及硅化物薄膜表面形貌的影响。测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si,高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si PtSi→PtSi→Si或Pt Pt2 Pt2Si PtSi→PtSi→Si。退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙。     

一种应用于锁相环的增益提高型电荷泵设计

采用0.18μm 1.8V CMOS工艺设计一种增益提高型电荷泵电路,利用增益提高技术和折叠式共源共栅电路实现充放电电流的匹配.该电荷泵结构可以很大程度地减小沟道长度调制效应的影响,使充放电电流在宽输出电压范围内实现精确匹配,同时具有结构简单的优点.仿真结果表明,电源电压1.8V时,电荷泵电流为600μA,在0.3～1.6V输出范围内电流失配为0.6μA,功耗为3mW.     

分布式MEMS移相器电容开关时间响应特性研究

提出一种适合于分析微波分布式MEMS移相器静电驱动电容开关的开启时间和动态特性的新方法。采用IntelliSuite~(TM)模拟工具的SYNPLE模块研究材料、驱动电压、MEMS桥高度和共面波导信号线宽度对电容开启时间的影响。通过优化参数,分析结果表明:对于金电容开关,V=40 V、g_0=2.5μm和W=100μm,开关的开启时间为～7μs。