不同组分对PI／Al2O3复合薄膜的击穿性能和微观形貌的影响

为研究纳米填加剂(Al2O3)对PI复合薄膜击穿性能和微观形貌的影响,对0、5%、10%和20%4种不同质量分数的纳米Al2O3的PI/Al2O3复合薄膜击穿特性进行了测试,并借助扫描电镜对PI/Al2O3复合薄膜击穿孔区形貌进行特征分析,进一步利用积分法计算得到了击穿孔区的有效面积.结果表明:掺杂5%含量的Al2O3的PI复合薄膜击穿场强达到最佳.得出不同组分Al2O3的PI复合薄膜击穿孔有效面积的大小关系是:S20%＜S5%＜S10%＜S0.可见,引入纳米Al2O3颗粒可以使复合薄膜击穿孔的有效面积减小,说明掺杂纳米Al2O3对复合薄膜的击穿孔的有效面积大小是有显著影响的.     

Ta2O5/MnO2复合湿敏薄膜制备工艺研究

采用钽片阳极氧化和硝酸锰热分解方法，制备Ta2O5/MnO2复合薄膜，研究了电解液种类、浓度（质量分数）、电压对Ta2O5/MnO2复合薄膜绝缘性能的影响。     

湿敏陶瓷气孔率的控制方法

通过试验，确定了两种控制湿敏陶瓷气孔率的可行方法．结果表明，这两种方法均能有效地控制湿敏陶瓷的气孔率．     

基于绝缘液体充填封装RFMEMS开关特性分析

提出并设计一种采用绝缘液体充填封装的RF MEMS开关,分析其工作原理,并以高压油、蓖麻油、甘油为绝缘液体充填封装,仿真分析绝缘液体对RF MEMS开关的驱动电压、冲击速度、响应时间、开关电容等方面的影响。结果表明:绝缘液体充填封装有效地将驱动电压降为原来的1/εr,降低上极板对下极板的冲击速度。对3种液态封装材料性能分析,蓖麻油效果最好:阈值电压下降了一半,约为10 V;当驱动电压为20 V时,响应时间为40.6μs,优于高压油(91.3μs)、甘油(89.9μs),冲击速度约为1.26 m/s。     

Pt/Au/p-Si溅射薄膜组织结构特征

在p-Si衬底上,分别淀积5 nm Au膜和5nmPt膜,形成Pt/Au/p-Si结构,500℃退火后形成硅化物薄膜.采用X射线光电子谱和X射线衍射谱研究薄膜成分和相分布,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察薄膜表面形貌和界面结构.测试结果表明,薄膜中含有PtSi相和Au相,表面较平坦,PtSi相形成层状结构,Au原子聚集成岛状结构.     

PI/α-Al2O3和PI/SiO2表面结合能的分子模拟

利用M ateria ls S tud io 3.0分别模拟了聚酰亚胺(P I)/-αA l2O3和聚酰亚胺(P I)/S iO2材料体系的表面结合能,结果表明,在(012)晶面,6.0 nm×4.0 nm范围内,随着纳米颗粒超晶格尺寸增大,P I/-αA l2O3结合能增加,P I/S iO2体系结合能变小;悬挂在-αA l2O3和S iO2(012)晶面上的H原子对体系总能量及结合能有明显影响,-αA l2O3和S iO2纳米颗粒掺杂主要通过分子间作用力与P I相复合。     

喹啉铝/酞菁铜发光三极管的研制

研制了具有静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,用有机半导体酞菁铜和有机发光材料喹啉铝蒸发膜为作用层,其结构为金/酞菁铜/铝/酞菁铜/喹啉铝/ITO透明电极/玻璃基板.测试了其基本电、光学特性.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、大电流驱动等良好工作特性.     

Preparation and operation characteristics of organic semiconductor transistor using thin film Al gate and copper phthalocyanine

Semiconductor characteristics were detected inphthalocyanine dye in 1948. The research of organicsemiconductors was then standardized, especially theresearch of the electron state of organic crystals. Theresearch of organic electric material has continued for50 years, and remarkable achievements have beenmade in organic metal, organic superconduction and or-ganic electroluminescence.In the research of the organic semiconductor tran-sistor, the structure of the organic thin film transistoranaly…     

基于D类音频功放高稳定性频率振荡器的设计

PWM调制的D类音频功放高稳定性频率振荡器已被广泛应用于各类电子产品.本文在分析基本驰张振荡器工作原理的基础上,设计了一种高稳定性的固定频率振荡器电路,单电源5V下工作频率250kHz.Spectre仿真表明,在-40℃-120℃范围内振荡频率变化仅为3%.基于CSMC0.5 μmCMOS工艺,该振荡器应用于一款D类音频功放集成电路,流片成功.     

聚酰亚胺几何结构和电子结构的分子模拟

依据密度泛函(DFT)理论,利用PW 91方法,对聚酰亚胺二、三和四聚体进行模拟,研究其几何结构和电子结构.模拟结果表明,聚酰亚胺二、三和四聚体中间片断的键长、键角基本一致,采用低聚物中间片断结构,可以表征整个高分子聚合物结构,随着聚合度N的增加,总能量降低,能隙减小.