低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的研究

研究了施主杂质Nb_2O_5,碱金属氧化物添加物Li_2O和烧成温度对低温一次烧成SrTiO_3陶瓷晶界层电容器介电性能和显微结构的影响。结果表明。Li_2O的加入量对液相烧结的进行和晶粒的生长有很大影响。具有一定特性的液相还能作为氧在晶界上迁移的通道,而有利于氧的挥发,促进晶粒的半导化,Nb_2O_5含量为0.1mol％左右时就能具有良好的效果。在液相特性不能满足晶粒生长要求的情况下,Nb_2O_5含量显著影响着晶粒的半导化程度。添加过多的Nb_2O_5会阻碍晶粒的生长。烧结温度对晶粒生长和材料的介电常数也有明显的影响,适当提高烧结温度能提高材料的介电常数。     

掺杂锗酸铋晶体(Bi_4Ge_3O_(12))的电子顺磁共振

用电子顺磁共振方法对 Fe、Cr 和 Mn 杂质在 Bi_4Ge_3O_(12)晶体中的位置和价态进行了研究。测试并分析了和 Fe~(3+)和 Cr~(3+)离子的 EPR 谱线位置随磁场方向的变化,确定了 Fe~(3+)和 Cr~(3+)主要进入氧四面体占据 Ge位。测试并分析了 Mn~(4+)和Mn~(2+)掺杂样品各向异性的 EPR 谱线,也测试了处于晶体粉末态及玻璃态的 Mn 掺杂样品的谱线,认为 Mn~(2+)离子进入氧八面体占据 Bi 位。紫外线辐照后 Mn 离子 EPR 信号降低表明辐照导致 Mn 离子价态改变。     

晶界层电容器晶界势垒的研究

以中间夹层的 Schottky 势垒作为晶界层电容器晶界势垒,从理论上分析、推导了电流电压关系和电容电压关系。利用这些关系式对实验测试数据进行了计算机模拟,并用实验结果和计算机模拟结果检验了该晶界势垒模型的合理性。在此基础上揭示出晶界势垒对晶界层电容器电性能所起的关健作用。     

PbWO4晶体的热膨胀及坩埚下降技术生长晶体开裂分析

本文报道了坩埚下降技术生长钨酸铅盐晶体的热膨胀系数测量结果，讨论了热膨胀对晶体开裂的影响。同时探讨了克服晶体开裂的途径。由于生长时纵向温场效应以及晶体大的热膨胀系数和它的垢各向异性而引起的应变是导致晶体开裂的重要因素。     

Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究．发现：（1）位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量则阻碍其烧结．（2）B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高．（3）BMT样品的Q．f值随Ta过量的增加而降低．相对介电常数则随之增加．     

PMNT单晶电畴结构随组分与结构的变化

利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现,在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内,随ＰＴ含量的增加,电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程;在三方－四方相变中,非１８０°电畴发生７１°（或１０９°）宏畴－９０°宏畴的转化,同时电畴图像变得更为规则．根据不同组分ＰＭＮＴ电畴的显示特征,提出晶体的最大双折射率可以作为度量其弛豫性强弱的光学参数．观察到了电畴的分布不均匀与多级结构现象,前者与组分或结构的起伏有关,后者与多期式马氏体转变有关．本文还分析了偏光显微镜、ＤＩＣ、ＳＥＭ、ＳＥＡＭ等观察方法中电畴的成像特征．