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本文系统介绍了WinCC组态软件和S7—300系列PLC在华展金杯A1车总装车间监控系统中的应用,并详细描述了该系统的硬件组成,PLC和上位机WinCC的通信方式以及监控画面的制作,最后设计开发了报警消息系统。运行结果表明该系统性能稳定,完全满足了生产需要。 相似文献
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端部效应是使直线电动机性能下降的主要原因,它的直接表现是端部磁场的周期性非平稳波动,因此合理有效的分析端部效应能对直线电动机性能的改善提供理论前提.传统的信号分析方法是建立在傅立叶变换基础上的,但是由于傅立叶变换存在时域和频域局部化的矛盾,在分析非平稳信号时通常会丢失一些数据而导致问题分析的局限性.基于小波变换与傅立叶级数分析方法的不同,将前者应用于直线电机端部效应的研究,寻求一种新的端部效应的分析方法. 相似文献
23.
以微米颗粒结构的传统WC-Co粉末为原料,采用球磨的方法,制备双尺度结构的WC-12Co粉末,采用冷喷涂方法制备双尺度结构WC-12Co涂层.通过扫描电镜观察发现,涂层及喷涂粉末中WC颗粒的粒度呈双峰分布.通过X射线衍射分析比较球磨前后粉末、喷涂粉末及涂层的相结构,发现在涂层制备过程中WC和Co两相结构能够在涂层中完全保留下来.涂层的硬度及断裂韧性分别为1650 Hv(0.3)和13.9 MPa.m1/2. 相似文献
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新兴的超高速激光熔覆技术通过对熔覆头的精巧设计,可实现激光、粉末路径最佳耦合,使粉末在飞行空间熔化且基体表面仅形成微溶池,在保证冶金结合的同时,大幅提高熔覆效率及粉末利用率,可制备厚度<100 μm、稀释率< 5%的均匀薄涂层。 为进一步探索超高速激光熔覆涂层组织结构特点,扩展其应用范围,探讨了低功率下 4 种典型涂层的微观结构及性能。 结果表明:超高速激光熔覆可制备 120 ~ 500 μm,无气孔、裂纹的高质量涂层;涂层组织致密,结合区多为粗大柱状晶,表层区以细晶为主;基体熔化区可低至数微米,稀释率可低至 1%。 其中,镍基碳化钨涂层、铝合金耐磨涂层硬度明显高于基体;钛合金阻燃涂层在激光烧蚀后,烧蚀坑深度降低,热影响区减小;高熵合金阻扩散涂层预氧化后形成以 Al2O3 为主的微米厚氧化膜,在上述涂层作用下,基体性能均得到提升。 相似文献
26.
热障涂层在高温服役过程中发生烧结和硬化,是引发涂层开裂和剥离失效的主要因素,因此掌握涂层烧结规律是进行涂层设计制备、寿命预测和工艺优化的前提。 文中采用等离子喷涂技术制备 La2 Zr2 O7热障涂层,在 1250 ℃ 条件下进行涂层高温热暴露试验,表征了涂层高温烧结过程中力学性能的变化规律,从孔隙结构的角度揭示了涂层高温烧结硬化机理。 研究结果表明,喷涂态 La2 Zr2 O7 涂层为典型的层状结构,硬度为(405±20) HV0.3 ,高温热暴露后涂层呈现先快后慢的硬化趋势,热暴露 200 h 后涂层硬度提高了 80%。 涂层结构分析表明,涂层物相保持不变,但涂层孔隙率呈现出先快后慢的下降规律。 坐标轴变换处理后发现,硬度和孔隙率均呈现以 10 h 为临界的双阶段特性。 通过对涂层孔隙结构的高温准原位观察,发现涂层孔隙初期多点桥接超快愈合、后期以边界推进方式缓慢烧结的双阶段烧结现象, 从而揭示了 La2 Zr2 O7 热障涂层分阶段硬化的烧结机理,从而为发展抗烧结高性能热障涂层提供了新的理论依据。 相似文献
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传统基于磁阀式的单相可控电抗器的谐波抑制方法,对铁磁谐振过电压干扰的敏感度较高,谐波抑制效果差,导致电抗率波动幅度高。因此,为了解决传统方法存在的问题,提出新的铁磁谐振过电压干扰下单相可控电抗器的谐波抑制方法。通过设计单相可控电抗器的谐波抑制方案,将可控电抗器接成三角形,采用移向绕组同电网连接,基于系统容量和待过滤的谐波次数,确定移相绕组的单相可控电抗器谐波抑制拓扑结果,采用合理的相间绕组连接措施和移相绕组匝数,得到所需移相电压,抑制可控电抗器形成的谐波。实验结果表明,所提方法对变频电机谐波抑制效果好,可将电抗率调控到合理值。 相似文献
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通过分析近年来辐照行业多起卡源事故发生的原因,提出了一种基于VB的钴60动态辐照箱安全检测系统。该系统通过准确检测辐照箱的各类故障并实时报警,从根本上避免了辐照室内卡源事故的发生,有较好的推广与应用价值。 相似文献
30.
以Na3V2(PO4)3(NVP)为基础材料,以海藻酸钠为碳源,采用化学合成方法,对NVP材料进行碳复合、非金属离子掺杂,合成了具有优异电化学性能的NVP/C复合正极材料。探究了材料组成、合成温度、微观结构等对NVP复合材料电化学性能的影响。研究结果表明,海藻酸钠形成的碳骨架结构拥有良好的机械强度,将其在高电流密度下进行充放电时,碳骨架能够保持稳定不坍塌,提高材料的循环性能和倍率性能;当加入50 mL的海藻酸钠水溶液并经800℃烧时,NVP/C复合材料的电化学性能最佳,在0.5 C的低倍率下其首次放电比容量为110.3 mAh·g-1,当倍率增加到50 C时,其放电比容量为78.1 mAh·g-1,当循环2 000圈之后其放电比容量保持率高达80.4%,其库伦效率基本保持在100%,远优于已报道的研究结果。 相似文献