非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件

介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果. 制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件，对于栅宽分别为100, 300和500μm的器件，典型最大跨导为190～170mS/mm；截止频率比较相近，大约为24GHz；而最高振荡频率随栅宽增加而降低，分别为56, 46和40GHz. 测试了8GHz频率时，不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性：Vds=17V, Id=310mA, Pin=25.19dBm时，Po=30dBm (1W) ,Ga=4.81dB; Vds=18V, Id=290mA, Pin=27dBm时，Po=31.35dBm (1.37W) ,Ga=4.35dB.     

fT为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究

采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+ GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16 Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(Ron)仅为0.41 Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(fT)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.     

f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究（英文）

采用再生长n~+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n~+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.     

AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性

介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径:基于湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析.在温度小于40 K时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下QWIP暗电流具有不对称特性.     

InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术

用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.     

GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路

叙述了基于ＧａＡｓ ＨＢＴ的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括２．５Ｇｂ／ｓ跨阻放大器、３ＧＨｚ可级联放大器和１０Ｇｂ／ｓ跨阻放大器的设计、制造和测试结果。     

Optoelectronic Smart Pixels Comprising Flip-Chip-Bonded GaAs/AIGaAs MQW Detectors and Modulators on Silicon CMOS Circuit

Optoelectronic smart pixels with hybrid integration of GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MQW) detectors and modulators arrays have beed made,which are flip-chip bonded directly on the top of lμm silicon CMOS circuits,as enables an achievement of Optoelectronic Integrated Circuits (OEIC) as well as does the design and optimization of CMOS circuits and GaAs/AlGaAs MQW devices to proceed independently.     

大功率量子阱远结半导体激光器

通过将下波导层掺杂为ｐ型,使半导体激光器的有源区与ｐｎ结分离,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明,远结半导体激光器特殊的外延结构,决定了器件的阈值比正常器件的高,但是阈值受温度的影响较小,并且器件的退化机制转变为ｐｎ结的退化,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。     

MCM倒装焊技术在CMOS-SEED灵巧象素中的应用研究

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧像素结构原理及相关的ＭＣＭ倒装焊混合集成技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合研究民与ＣＭＯＳ－ＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型,倒装焊、芯片间隙注和及子芯片衬底减薄或去除等关键工艺。     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.