首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   100945篇
  免费   5544篇
  国内免费   4289篇
工业技术   110778篇
  2024年   721篇
  2023年   2669篇
  2022年   2628篇
  2021年   2271篇
  2020年   2348篇
  2019年   3141篇
  2018年   3059篇
  2017年   1497篇
  2016年   1790篇
  2015年   2310篇
  2014年   5898篇
  2013年   3893篇
  2012年   4379篇
  2011年   4657篇
  2010年   4244篇
  2009年   4455篇
  2008年   4322篇
  2007年   4524篇
  2006年   4190篇
  2005年   3938篇
  2004年   3738篇
  2003年   3367篇
  2002年   2888篇
  2001年   2752篇
  2000年   3006篇
  1999年   3071篇
  1998年   2827篇
  1997年   2779篇
  1996年   2709篇
  1995年   2399篇
  1994年   2159篇
  1993年   1735篇
  1992年   1814篇
  1991年   1735篇
  1990年   1687篇
  1989年   1324篇
  1988年   467篇
  1987年   499篇
  1986年   447篇
  1985年   439篇
  1984年   381篇
  1983年   332篇
  1982年   314篇
  1981年   278篇
  1980年   167篇
  1979年   119篇
  1978年   73篇
  1975年   28篇
  1965年   31篇
  1959年   38篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
介绍了用常温法生产微粒状 PVB 树脂的新工艺,从而简化了传统法低温生产 PVB 树脂的工艺和设备,减少了设备投资,节省了动力和能源消耗,降低了生产成本。  相似文献   
992.
形成SOI结构的ELO技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm.  相似文献   
993.
994.
995.
996.
997.
粉喷法加固软土地基的效果分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
998.
999.
1000.
青狮潭水库1989~1993年综合效益初步分析马顺德,李小革(广西桂林水务局541002)0引言青狮潭水库综合调度工作自1989年开始步入统一化、规范化、科学化,并且漓江补水工程渠道加固防渗也已完成。通过1989~1993年这5年的实际调度运行,水库...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号