So1-gel制备PLCT薄膜的结晶特性与电畴结构研究

运用Sol-gel技术制备了(Pb，La，Ca)TiQ(简写为PLCT)铁电薄膜；利用XRD、SEM、AFM和EDAX分析了PLCT、薄膜的结构、表面形貌和组分。XRD衍射结果表明，PLCT、薄膜呈钙钛矿结构。随着退火时间的增加，PLCT、薄膜的XRD衍射峰的强度也随之增加。SEM、AFM分析表明，PLCT、铁电薄膜表面平整、致密、无裂缝。EDAX分析表明，PLCT、薄膜的实际组分十分接近设计组分。利用PFM分析了PLCT、薄膜的电畴结构，发现随着退火时间的增加，PLCT、薄膜的电畴由细小圆点状逐渐增大并形成片状电畴。     

PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:模型与算法

提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;Monte Carlo事件由沉积事件,扩散事件和脱附事件组成;根据PbTiO3的组成确定沉积原子的种类和比例,即根据Pb∶Ti∶O为1∶1∶3的比例借助一随机数随机选择原子的种类;原子扩散能力与扩散激活能相关,单个原子的扩散步数由沉积速率与实际扩散时间决定;激活能采用库仑势计算,其大小不仅与原子周围的架构相关,而且与架构中原子的种类相关.有关模拟结果将在另文中给出.     

(Ph,La)TiO_3铁电薄膜的表面态分析

利用（Ｐｈ,Ｌａ）ＴｉＯ３陶瓷靶材,采用射频磁控溅射技术室温淀积,其后在６００℃下退火,制备ＰＬＴ铁电薄膜。通过对薄膜进行ＸＰＳ和ＥＤＡＸ分析,发现薄膜表面富钛。与利用其它工艺技术如多离子束反应共溅射、ｓｏｌ－ｇｅｌ等技术制备的ＰＬＴ铁电薄膜进行对比可以看出,利用不同技术制备的铁电薄膜,具有不同的表面态。     

射频磁控室温溅射(Pb,La)TiO3薄膜退火前后的原子力显微镜分析

采用射频磁拉溅射技术在室温溅射（Ｐｂ,Ｌａ）ＴｉＯ３（ＰＬＴ）薄膜,在６００℃下退火２ｈ,通过对ＸＲＤ谱图和ＡＦＭ照片分析,发现薄膜结晶良好,已形成均匀、连续、致密、表面平滑的完全钙钛矿结构的ＰＬＴ铁电薄膜,退火对薄膜表面的粗糙度影响不大,薄膜的表面粗糙度主要由淀积过程决定。     

银掺杂Bi0.5(Na0.825K0.175)0.5TiO3陶瓷的结构与性能

采用传统固相法制备了无铅压电陶瓷Bi0.5(NA0.825K0.175)0.5TiO3+x%Ag2O(BNKTA-x,质量分数x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5),利用XRD、SEM等测试技术分析表征了该体系陶瓷的结构、压电与介电性能.XRD分析表明,在1 175℃/2 h烧结条件下,当Ag的质量分数低于1.0%时,陶瓷呈单一相的钙钛矿结构.所有陶瓷晶粒大多成四方晶形,晶界明显,表面致密度高,Ag的引入促进了陶瓷晶粒的生长.另外,加入Ag后,陶瓷样品气孔率降低,当Ag的质量分数在0.3%附近时陶瓷的致密性最好.BNKTA-x体系陶瓷具有较好的电学性能:压电常数d33=147 pC/N,机电耦合系数kp=0.31,介电常数εr=1 059,介电损耗tanδ=0.029,机械品质因数Qm=247.     

聚偏氟乙烯结晶结构及其β相制备方法的研究

聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物因为具有优良的铁电、压电和热释电性能而受到广泛研究.该文结合近期国内外有关PVDF研究的相关论文报道,综述了与PVDF聚合物相结构有关的研究进展,着重介绍了PVDF形成的5种晶型的分子结构及不同晶型间的差别、晶型之间相互转化机理的有关内容;同时,总结了近期在制备或提高PVDF中β相含量研究中的若干新方法、新思路及它们各自的利弊,并对今后的相关研究进行了展望.     

膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响.试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17 Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%.     

Sol-gel制备PLCT薄膜的结晶特性与电畴结构研究

运用sol-gel技术制备了(Pb,La,Ca)TiO3(简写为PLCT)铁电薄膜;利用XRD、SEM、AFM和EDAX分析了PLCT薄膜的结构、表面形貌和组分。XRD衍射结果表明,PLCT薄膜呈钙钛矿结构。随着退火时间的增加,PLCT薄膜的XRD衍射峰的强度也随之增加。SEM、AFM分析表明,PLCT铁电薄膜表面平整、致密、无裂缝。EDAX分析表明,PLCT薄膜的实际组分十分接近设计组分。利用PFM分析了PLCT薄膜的电畴结构,发现随着退火时间的增加,PLCT薄膜的电畴由细小圆点状逐渐增大并形成片状电畴。     

退火温度对PLT铁电薄膜微结构和电畴的影响

常温下采用射频磁控溅射技术在Pt/TI/SiO2/Si(100)基片上淀积(Pb0.9La0.1)TiO3薄膜,分别在550℃、570℃、600℃、630℃退火1h.采用X射线衍射、原子力显微镜和压电响应力显微镜检测不同退火温度的薄膜,讨论退火温度对薄膜结构、表面形貌和电畴结构的影响.结果表明:随着退火温度的升高,薄膜中钙钛矿相的含量增多,表面粗糙度和颗粒尺寸不断增大,薄膜从无畴状态变为以90°畴为主的多畴,而在退火升降温过程中,由于应力的影响,面外畴更多为取向向下的负畴.     

铁掺杂钛酸铋钠钾陶瓷的制备及表征

采用传统固相法制备了无铅压电陶瓷Bi0.5(Na0.825K0.175)0.5TiO3+xFe2O3(x为质量分数,0、0.1%、0.3%、0.5%、0.7%、1.0%、1.5%)(简写BNKTF-x),利用X射线衍射(XRD),和扫描电子显微镜(SEM)等分析表征了该体系陶瓷的结构、介电与压电性能。XRD测试表明,在1 180℃、2 h的烧结条件下,当铁的质量分数小于1.0%时,陶瓷呈现单一相的钙钛矿结构。所有陶瓷晶粒大多呈四方晶形,晶界明显。增加铁的含量有利于晶粒生长。此外,铁的加入也使陶瓷样品气孔率降低,当铁的质量分数在0.3%左右时陶瓷的致密性最好。BNKTF-0.1%体系陶瓷具有较好的电学性能:d33=145 pC/N,kp=0.28,εr=869,tanδ=0.032,Qm=106。