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31.
铅酸蓄电池三维网络碳化硅板栅和极板内电流的分布   总被引:1,自引:0,他引:1  
用有限元方法分析了铅酸蓄电池用三维网络碳化硅板栅和极板内电流的分布.结果表明,与常规板栅相比,三维网络碳化硅板栅与极板内电流分布比较均匀.极耳的形状和位置对板栅和极板内电流分布的影响很大,当极耳具有夹心结构时,电流分布的均匀性有非常明显的改善,尤其是在厚度方向具有类似三明治的极耳夹心结构时,板栅和极板内的电流分布极为均匀,且电流的数值比较小.  相似文献   
32.
采用泡沫碳化硅陶瓷作为载体,在其表面制备沸石分子筛涂层.首先,通过聚氨酯泡沫热解结合可控熔渗反应烧结制备泡沫碳化硅陶瓷. 然后通过原位水热合成法在泡沫碳化硅陶瓷表面制备Silicalite-1沸石涂层. 沸石涂层和泡沫碳化硅载体所组成的复合材料具有独特的微孔/大孔结构,高的比表面积和界面结合强度.这种材料将会在催化、吸附/分离领域有广泛的应用前景.  相似文献   
33.
以SiC泡沫陶瓷和SiC颗粒(7、15、20 μm)为混合增强体,用挤压铸造法制备出SiC泡沫陶瓷/SiCp混杂增强Al基复合材料,研究了SiCp颗粒尺寸对复合材料压缩强度和弯曲性能的影响,以及金属基体的韧性对复合材料压缩行为的影响.结果表明,随着SiC颗粒尺寸的增大,复合材料的压缩强度和弯曲强度降低,最大挠度减小,这是因为随着SiC颗粒尺寸的增大,颗粒间距随之增大,SiC颗粒的强度降低,使SiC颗粒的增强效果减弱.随着基体韧性的提高,复合材料的塑性变形明显增大,但压缩强度和模量降低.  相似文献   
34.
将SiC泡沫陶瓷氧化后用挤压铸造法制备了SiC泡沫陶瓷/球墨铸铁(DI)双连续相复合材料(SiCfoam/DI)。使用气固两相流冲蚀磨损试验机对比研究了冲蚀时间(t)、粒子速度(ν)和冲蚀角度(α)对SiC颗粒/球墨铸铁复合材料(SiCp/DI)、SiCfoam/DI复合材料和DI冲蚀性能的影响,并分析了冲蚀机理。结果表明:随着冲蚀时间的增加三种材料的冲蚀速率逐渐减小并趋于稳定;随着粒子冲击速度的提高DI的冲蚀速率逐渐增加,冲蚀速率与ν2.95成正比;在冲击速度小于87.5 m/s时SiCp/DI和SiCfoam/DI复合材料的冲蚀速率相近,冲击速度大于87.5 m/s时SiCp/DI复合材料的冲蚀速率明显地比SiCfoam/DI复合材料的高。随着冲蚀角度的增大DI呈现出脆性材料的冲蚀特征,SiCp/DI和SiCfoam/DI表现出典型的塑性材料的冲蚀特征,最大冲蚀速率对应的冲蚀角为45°。低角度时DI的冲蚀机理为微切削,高角度时为冲蚀坑和微裂纹。用高速粒子冲击时,由于SiC泡沫陶瓷的整体增强作用和阴影保护效应,SiCfoam/DI比SiCP/DI和DI具有更高的抗冲蚀磨损性能。  相似文献   
35.
将SiC泡沫陶瓷氧化,用挤压铸造法制备SiC泡沫陶瓷/Fe基双连续相复合材料并对其退火,研究了制备工艺和SiC泡沫陶瓷的体积分数对其微观组织和力学性能的影响。结果表明,在1250℃氧化48 h后在SiC泡沫陶瓷表面生成了厚度为1 mm的SiO2反应阻挡层。在双连续相复合材料的制备过程中,SiO2反应阻挡层抑制Fe与SiC的化学反应,避免了脆性化合物Fe3Si的生成,改善了基体与增强体的界面,使复合材料的抗弯强度提高2倍,压缩强度提高18%。当SiC泡沫陶瓷的氧化时间增至72 h时,SiC泡沫陶瓷表面SiO2的厚度过大。SiO2与基体和增强体热膨胀系数不匹配,使复合材料内相界面间的残余应力增加,导致其性能下降。将SiC泡沫陶瓷/Fe基双连续相复合材料在600℃退火4 h,可降低复合材料中的残余应力,提高复合材料的性能。SiC的体积分数较低时,金属基体的桥接、偏转裂纹的作用比较大,复合材料的弯曲强度高,变形程度大。随着复合材料中SiC体积分数的增大,SiC骨架筋增粗,其承载能力加强,复合材料的压缩强度呈提高的趋势。  相似文献   
36.
头孢菌素类抗生素发展与研究概况   总被引:3,自引:0,他引:3  
文章介绍了头孢菌素类抗生素的发展概况,阐述了当前该类抗生素的研究进展、特点、方向及趋势。  相似文献   
37.
内蒙古乌海电业局(以下简称乌海局)针对该局110kV、220kV线路直线杆塔下线缺陷处理和35kV、110kV直线杆叉梁缺陷处理时,无专用工具,工效低,作业劳动强度大,安全性差,易发生人身伤害的现状,自主研制了多功能爬梯,并将其应用于生产实践中,提高了作业工效和作业人员的安全性,降低了线路检修的劳动强度,对输电线路的检修有实用价值。  相似文献   
38.
魏薇曹小明  张劲松 《功能材料》2007,38(A04):1380-1383
采用可控溶渗反应烧结法制备了致密SiC陶瓷,研究了不同Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结SiC陶瓷中Si的存在使SiC陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了SiC陶瓷的电学性能;同时Si也改变了SiC陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小;总的来看,随着Si含量的增加,SiC陶瓷的塞贝克系数扣电导率不断增大,因此Sic陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si含量对SiC陶瓷热电优值的影响越来越明显,当含量为15%时,材料的热电优值是SiC烧结体的30倍。  相似文献   
39.
以泡沫SiC陶瓷为基本骨架,以改性酚醛树脂为基体,加入短切高硅氧玻璃纤维制备出陶瓷/纤维/树脂超混杂复合材料(SHCM),研究了泡沫陶瓷骨架和高硅氧纤维对材料力学性能的影响.结果表明,泡沫陶瓷骨架有利于材料的刚度和尺寸稳定性提高.加入泡沫陶瓷骨架后,纤维/树脂/陶瓷超混杂复合材料的压缩强度和压缩模量增大,随着泡沫陶瓷骨架含量的提高,弯曲模量大幅度提高而弯曲强度略有下降;随着高硅氧纤维含量的提高,材料的弯曲强度及弯曲模量均明显提高.  相似文献   
40.
陶瓷/树脂/纤维超混杂复合材料的界面控制   总被引:3,自引:0,他引:3  
以具有不同表面状态的泡沫SiC陶瓷为基本骨架,以改性酚醛树脂为基体,加入短切高硅氧玻璃纤维制备了陶瓷/纤维/树脂超混杂复合材料,研究了界面控制对超混杂复合材料界面粘结强度的影响.结果表明,对于泡沫SiC陶瓷骨架,在表面生长多孔过渡层或表面堆积SiC颗粒等方法可提高树脂陶瓷之间界面的粘结强度.通过良好的界面控制,可显著提高复合材料的弯曲强度和弯曲模量,模量的提高比强度的提高幅度更大.偶联剂处理使高硅氧纤维与树脂基体的粘结强度增加,从而提高复合材料的弯曲强度.  相似文献   
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