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以单晶Si(111)为基底,采用双槽法电结晶制备了Co/Pd纳米多层膜,使用电化学石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化.通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理,得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程. X射线衍射(XRD)研究表明,Co和Pd的结晶与生长显示择优取向,出现了111Co-Pd的合金峰.并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能,所得磁滞回线表明:矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大,可达到9.0×104 A/m. 相似文献
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砷盐和锑盐净化除钴的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了湿法炼锌的砷、锑盐除钴机理.对除钴工艺操作方法及其重要影响因素作了说明,探讨了砷、锑除钴技术的应用前景. 相似文献
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项目组合的全生命周期研究 总被引:2,自引:0,他引:2
项目组合管理方法和项目群管理方法是多项目管理的两个主要方法,因此,对项目组合全生命周期的研究目的在于完善多项目管理的理论体系。迄今为止,有关项目群全生命周期的研究已取得了相应的成果,但关于项目组合全生命周期的研究成果却鲜有报道,其原因之一是没有认识到项目组合全生命周期的重要性,之二是国内外对项目群和项目组合之间的区别和联系尚未达成共识。在分析项目组合全生命周期现状的基础上,深入探讨了项目组合的内涵及其与项目群的关系,从而构建了项目组合的理论模型,并对项目组合全生命周期以及阶段划分、各阶段内容进行了探讨。 相似文献
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今年是板桥水库复建工程施工决战性的一年,也是施工期低标准渡汛的最后一年,对整个工程能否按期建成至关重要。为此,板桥水库工程管理局提前进行了汛前检查,并根据检查和工情,拟定了防汛措施:1、确定今年水库的防汛标准为确保20年一遇,即上游围堰堰前水位为104.9米,入库流量为6440立方米每秒,明渠下泄流量为2720立方米每秒。2、对上游围堰迎水面护坡的重要部位进一步抛石加固,做好原龙口部位下游的贴坡排水,修复坡面上的冲沟,堰顶全部加高到108米高程(设计高程 相似文献
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铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较 总被引:1,自引:0,他引:1
对用电沉淀方法制备的铜铟硒,银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的(光)电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究,特别是对它们的振荡形式,起振条件,外界影响因素及光电调制等进行了阳纳,较系统地总结了IB族元素与In,Se的构造的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点。 相似文献
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用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸--硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用. Cu在硼酸--硼砂缓冲溶液中, 表面的Cu2O膜为p型半导体. 当Cu所在的溶液中存在少量NaCl (小于0.5 g/L)时, Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质; 当溶液中存在较多NaCl (0.5-15 g/L)时, Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀, Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型; 当溶液中存在大量NaCl (大于15 g/L)时, Cu$_{2}$O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型. 缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用:当NaCl浓度为2 g/L时, PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附, 明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂, Cu2O受到了保护仍为p型; 在NaCl浓度为30 g/L时, PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂, Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型, 但n型性质变弱. 对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致. 相似文献
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大流量预应力渡槽设计和施工技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
将现代工程科学最新的并在土木工程其它领域中行之有效的理论、技术、材料、方法应用于大型渡槽设计和施工技术的研究过程之中,同时结合典型工程开展理论分析、模型试验和现场原型试验研究,对当前设计和施工中提出的理论和技术问题给出了科学、经济、合理的解决方法。用课题成果给出的理论和技术体系对现有的大流量预应力渡槽工程进行优化设计和施工,预计可节约投资10%~20%,渡槽单跨经济跨越能力可达30~50m,减震效果可达30%以上,基本上解决渡槽槽身裂缝问题,保证渡槽工程安全运行。 相似文献
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