BST-MEMS移相器开关

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性。     

纳米技术的新进展

介绍纳米技术的新进展，探讨发展纳米技术重要性，对纳米固体材料、纳米加工技术也作了讨论，并对纳米机器人作了简要介绍。     

紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。     

视网膜前假体中柔性凸起微电极的研制

采用聚对二甲苯（Parylene C）作为结构材料,借助微细加工技术设计并制作了按6×6矩阵排布的柔性凸起微电极阵列．微电极直径为80μm,引线线宽40μm,电极间距为280μm,引线间距为80μm．电极位点高度约为10μm,呈明显的圆滑凸起结构特征．电极和引线表面均平整光滑,轮廓清晰,结构完好．阻抗测试结果表明：随着频率的增加,凸起微电极的阻抗呈下降趋势,显示出明显的高通特性;1kHz时凸起微电极的阻抗约为10kΩ,较具有相同基底面积的平面电极约低30％,有助于提高电极的信噪比,可望用于视网膜前假体中．柔性凸起微电极制作工艺简单,利于高效率批量制作并提高微电极的集成度．     

水热合成PZT热电体结晶粉末工艺及相关性能的研究

研究了水热合成ＰＺＴ热电体结晶粉末及相关性能，考察了合成温度、合成时间和促进剂对结晶性的影响。用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和原子吸收光谱等测试手段分析了实验结果，表明这种结晶粉末的粒子粒径为０．１ｕｍ￣３ｕｍ，呈立方体状。用它制作的ＰＺＴ热电体陶瓷烧结温度１１６０℃左右，比传统的固相法降低６０℃左右，在烧结过程中ＰｂＯ的挥发速率比固相法小得多，有害杂质Ｋ＾＋离子的含量为０．００２％￣０．００６％。     

基于磁感应QCM在早期肺癌检测上的研究

利用压电石英晶体的振动频率对其电极表面负荷敏感的特点和现场可编程（逻辑）门阵列（FP-GA）与单片机的控制功能,同时,利用纳米免疫磁微珠具有增大负载响应和磁分离的能力,结合特异性生物化学反应,设计了一种用于早期肺癌诊断的纳米生物电子微系统。通过该系统对蒸馏水和CPA—Y2肺癌细胞溶液的测量结果表明：该系统具有较好的线性变化规律,能准确反映被测生物物质的质量或含量,对实现肺癌的早期诊断和筛查具有重要的参考价值。     

不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响

采用改进的溶胶一凝胶（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备PZT薄膜,研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响。实验结果表明：快速晶化处理方式更有利于薄膜沿（110）方向的择优生长;并且相对于常规晶化处理方式,快速晶化处理方式制备的PZT薄膜晶粒均匀,排布有序,可有效的提高薄膜的表面质量。电学性能测试结果表明,这种表面形貌可以有效地降低漏电流。     

一种具有低电源敏感度的高速CMOS压控振荡器

给出了一种低电源敏感度的高速CMOS压控振荡器设计,在延时单元中引入正反馈结构以补偿电源电压变化对输出频率的影响,在TSMC0.25μmCMOS工艺参数下使用Hspice仿真表明,电源变化1%引起的输出频率变化小于0.7%,整体振荡器的输出频率范围为2.01GHz-2.75GHz。     

一种CMOS高速可编程双模前置分频器

在锁相环设计中,双模前置分频器(dual—modulus prescaler)是一个速度瓶颈,而D触发器是限制其速度的主要因素。我们对传统的Yuan-Svensson真正单相时钟(TSPC)D触发器(DFF)做了改进,给出了动态有比D触发器的结构,该触发器结构简单,工作频率高,功耗低。并基于此设计了一个可变分频比双模前置分频器,可适用于多种无线通信标准。采用0．35μm CMOS工艺参数进行仿真,结果表明,在3．3V电源电压下其工作频率可达4．1GHz。