Fe/GaAs(100)界面构成和电子态的同步辐射研究

利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构。在界面处,Fe与As形成稳定的化学键,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金,但反应只能在界面处发生,形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构,重新钉扎了费米能级位置,引起费米能级向价带顶移动0.27eV。另外,Fe的生长模式在沉积过程中发生改变,而且存在As和Ga的扩散现象,同步辐射价带谱也证实了这一点。     

3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究

在衬底温度为1000℃条件下, 利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜. RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC, 并与衬底的取向基本一致. 采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量. 常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态. 3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因. 根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果, 发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好. 这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因. GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转, 表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序.     

Interface Formation of Several Heterojunctions Concerning Ⅳ and Ⅱ-Ⅵ Semiconductors

ｎｔｅｒｆａｃｅＦｏｒｍａｔｉｏｎｏｆＳｅｖｅｒａｌＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｓＣｏｎｃｅｒｎｉｎｇⅣａｎｄⅡⅥＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ①ＢａｎＤａｙａｎ，ＸｕｅＪｉａｎｇｅｎｇ，ＦａｎｇＲｏｎｇｃｈｕａｎＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃ...     

一种硅表面化学清洗方法

本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法，它主要包括H2SO4：H2O2溶液清洗和HF：C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）和反射高能电子衍射（RHEED）等技术进行表征。结果表明，运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染，我们提出用无水乙醇（C2nsOH）来保护H-Si表面。300℃除气前后XPS的对比结果表明，清洗后的Si表面不存在B，但吸附少量F，以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si2p芯能级的同步辐射光电子能谱（SRPES），可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层，经1000℃退火25min后，XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁，并且出现了两个Si的表面态。     

同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率,结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论,可以认为Ｉｎ２Ｏ３－ｘ与Ｓｎ３Ｏ４的含量变化是影响ＩＴＯ的导电与透光性能的主要原因     

NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究

利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性。拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%。同时最外层的钙原子向内收缩2.1%。利用X射线光电子衍射(XPD)实验技术研究了硫钝化方法处理过的GaAs(001)表面结构,确定了钝化的硫原子位于第一层钙原子的桥位上。与钙原子成键的键长为3.62?、键角为61.2°。使用与能量和角度有关的光电子衍射技术并结合多重散射团簇模型计算对Al2O3衬底上生长的GaN单晶薄膜表面的极化性质进行了研究,确定了该GaN表面极性为钙在最外层的正极化性。