搅拌摩擦对接焊根部弱连接特征、成因及液相溶解消除方法

搅拌摩擦对接焊根部弱连接缺陷（kissing bond ，KB）源于针长短（搅不到）、针尖细（搅不动）及无法横向加压机构（加压难），而且对压入深度的微幅波动敏感，因此成为具有一定不确定性的难以根除的棘手缺陷。为了消除根部弱连接缺陷，分析综述了KB的成因、特征与现有消除方法，在搅拌摩擦钎焊的研究基础上，提出了“根部钎焊辅助的搅拌摩擦对接焊”新方法，即在根部下方与垫板之间预置能与母材发生共晶反应的钎料（视需要在根部界面间预置钎料），在形成液相后，向上溶解位于针尖下方的薄层固态母材（温度高、变形大），实现根部去膜与根部混合，达到消除KB缺陷的目的。该方法具有免除二次减薄、降低对焊接根部塑性流动苛求的优点。     

超硬材料的研究进展

氮碳共价化保物（β－Ｃ３Ｎ４），碳氮化硼以及低价氧化硼是近年来引人注目的几种超硬材料，本文对其发展历史及最新研究进展做一综述。     

Ni基及Fe基非晶态箔带钎料对碳素钢管的润湿行为

在1 200℃×50s,流动Ar气保护的相同条件下,对比进行了三种非晶态钎料BNi-2,BNi-3与Fe基非晶(Fe78B13Si9)对低碳钢管的润湿性试验.结果表明,BNi-2的润湿角较小,约为10 °左右,且对母材表面洁净程度不敏感;BNi-3的润湿角约为45°;Fe基非晶的润湿性最差.分析认为,BNi-2优越的润湿性归因于少量的Cr与Fe有良好的冶金相容性(Cr在Fe中有较大的固溶度并能与钢中的碳作用)以及BNi-2本身较低的熔点.     

日本关于钢管钎压焊新技术的研发进展

自2000年以来,为取代螺纹-法兰连接与电弧焊这两种传统的现场钢管对接工艺,日本开发了一种名为钎压焊(BPW:Braze Pressure Welding)的钢管压力对焊现场安装新技术.BPW新工艺以熔点较高并能显著溶解母材的钎料为中间层,利用感应电源加热并施加较大的压力,挤出液态中间层及氧化膜等形成的夹杂物,最终在焊接面周边形成圆滑过渡的钎角,同时,在界面处实现洁净母材之间直接接触的固相压力焊接合.BPW工艺的主要优点:①无火灾危险及焊工操作技能引起的接头性能波动;②对接面错边处所形成的钎角,降低了错边引起的应力集中,增大了接合面积;③液态中间层溶解、剥离母材表面氧化膜以及氧化膜自身的球化,使液态中间层对母材表面氧化膜有自清洁作用;④与固态焊接相比,降低了所需的焊接压力与变形.BPW尤为适于在狭窄空间或易燃、易爆环境下的现场钢管对接.     

有明显金刚石结构特征的类金刚石薄膜的制备方法

通过分析比较低压化学气相合成金刚石薄膜的大量试验方法及规律，认为非平衡条件下金刚石微晶形核篚具备三个宏观条件：１）馈入足够高的能量；２）衬底表面应形成大的能量梯度；３）气氛中应含超平衡浓度的刻蚀剂，以有效的抑制非金刚石碳相的生长。     

SiC颗粒增强铝基复合材料的纯铜中间层液相扩散焊

采用Cu箔中间层在Ar气氛保护、550℃条件下过渡液相扩散焊(TLP)焊接SiC颗粒(SiC_P)增强Al基复合材料SiC_P/ZL101和SiC_P/Al (SiC_P 10vol%),对母材与焊接接头的微观组织、剪切强度、焊接接头剪切断面与断裂路径等进行分析。结果表明:在铸Al(ZL101)与纯Al(Al)基体中,分别通过共晶温度较低的Al-Si-Cu(524℃)三元共晶反应与Al-Cu(548℃)二元共晶反应实现中间层金属/基体金属(M/M)界面润湿。其中铸Al基体焊接接头中虽有颗粒偏聚,但由于Al-Si-Cu三元共晶反应的Cu含量(26.7wt%)低于Al-Cu二元共晶反应的Cu含量(33wt%),SiC_P/ZL101焊接接头焊缝中CuAl₂相少于SiC_P/Al焊接接头焊缝中的CuAl₂相,且未出现CuAl₂相的聚集,故其强度较高。Cu中间层形成的金属间化合物CuAl₂相是影响焊接接头力学性能的重要因素,两种复合材料焊接接头的剪切强度分别为85.4 MPa和73 MPa。      

从美国焊接手册看特种焊工艺的变迁

总结对比了美国焊接手册第4版(1960年出版)￣第8版(1991年出版)中特种焊工艺的动态变迁历史。此外,概括了现阶段的典型特种焊工艺及20世纪70￣90年代有重大影响的特种焊工艺。     

从美国焊接手册看特种焊工艺的变迁

总结对比了美国焊接手册第4版（1960年出版）～第8版（1991年出版）中特种焊工艺的动态变迁历史。此外，慨括了现阶段的典型特种焊工艺及20世纪70-90年代有重大影响的特种焊工艺。     

火焰法在硬质合金上合成金刚石薄膜

用Ｏ２／Ｃ２Ｈ２燃烧火焰法在各种不同性质的衬底材料上直接合成金刚石薄膜，研究了硬质合金刀头的不同的冷却方式下，对合成金刚石膜的影响。结果表明：ＹＧ６硬质合金由于Ｃｏ的存在影响了金刚石膜的质量；当冷却方法不当时，硬质合金头刃部易过热；采和分段沉积法可改善金刚石膜与硬质合金的附着性。     

热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究

采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在很近的热丝与衬底距离(5 mm)下沉积多晶硅薄膜,研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律。结果表明:当热丝温度在1400℃~1800℃变化,衬底温度225℃~320℃时,沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是(111)→(220)→(111);在低的灯丝温度(≈1450℃)和低的衬底温度(≈235℃)条件下,获得了晶粒横向尺寸大于1μm、垂直尺寸大于5μm的均匀致密的多晶硅薄膜。