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为了满足高亮度电子注入器的要求，研究制备了钠钾锑阴极。利用超短脉冲激光器测得其量子产额为3．1％（λ＝0．53μm）。在能量为16μJ的脉冲激光照射下，钠钾锑阴极的发射电流密度达780A／cm2，并长时间稳定。 相似文献
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在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要特性有：(1)单电子，(2)保有相位，(3)量子电阻(h／e^2)，(4)量子字节(qubit)，(5)普适电导涨落．电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管，目前纳电子三极管有两种模式：纳米点三极管和碳纳米管三极管，中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。 相似文献
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利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上，用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具，由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler-Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler-Nordheim曲线的斜率变化，得出碳纳米管束样品逸出功的变化，再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法。 相似文献
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在自由电子激光器中，高亮度的电子束是不可缺少的。为此，人们采用各种类型的激光驱动光电阴极、一些热阴极和场致发射阴极作为电子源。对于激光驱动的光电阴极来讲，很好的光电发射灵敏度和很高的稳定度往往是不可兼得的。为了寻求两者之间一种较为妥善的折衷，研究了将常用的热阴极——氧化物阴极的一种（BaO，SrO，Al）——作为激光驱动的电子源的可行性。实验结果表明，激活良好的氧化物阴极在波长为0．53μm或1．06μm的激光脉冲作用下都有明显的电子发射。结果证明，如果认为氧化物阴极中埋藏有钡超微粒子，则能很好地解释其对长波激光的响应。 相似文献
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在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性. 相似文献
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碳纳米管的薄膜场发射 总被引：2，自引：0，他引：2
薄膜场发射特性是碳纳米管 (CNT)研究的重要课题之一 ,它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本文就CNT的场发射做一综合评述 ,主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等 相似文献
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运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景. 相似文献
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经超额Ba激活的Ag-BaO复合薄膜光吸收谱显示,该薄膜样品在可见-近红外光波段存在2个吸收峰.理论分析表明,位于可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag纳米粒子的表面等离子激元共振吸收;而位于近红外光区的次吸收峰则是由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起的.杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关. 相似文献
