乙烯对CVD法制备硅薄膜性能的影响

以硅烷和乙烯的混合气体的原料气,通过常压化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长出了硅薄膜。结合光电子能谱、高分辨电镜以及薄膜抗腐蚀性研究,证实乙烯的引入使硅薄膜中形成一定数量的ＳｉＣ微晶粒。ＳｉＣ较高的化学稳定性使薄膜具有较强的耐碱性,而其较小的折射率使薄膜的镜面反射率较高低。含有ＳｉＣ的硅薄膜经碱液适当腐蚀后能降低镜面反射,进而有可能减少光污染现象。     

溶胶凝胶模板法制备In2O3纳米线及其气敏性能

以InCl3·4H2O和乙二胺为原料,采用溶胶凝胶模板法合成了立方晶系的In2O3纳米线,利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜对材料的组成、形貌、晶粒的大小、直径进行了表征,结果表明,产物是直径为80-100nm,晶粒直径为4-10 nm的纳米线。用产物In2O3纳米线制备气敏元件,气敏测试结果显示,合成的In2O3纳米线对NO2具有很高的灵敏度,器件的最佳工作温度为360 ℃。     

非晶硅碳合金(a-SiCx:H)薄膜的进展

从制备方法,结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金（ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜的发展状况作了专门评述。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外 -可见光谱仪和 X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能 ,探讨了有机 /无机复合薄膜的光电导机理 ,提出了理论模型。     

无光污染镀膜玻璃的理论设计

本文针对当前普通镀膜玻璃存在的光污染问题,从产生光污染的本质原因出发,介绍了两种目前较行之有效的解决方案,一种是通过增加漫反射和散射的方法来达到消除光污染的目的,另一种是通过减反射的方法来达到消除光污染的目的.希望对彻底解决光污染难题有所帮助.     

退火处理对Si/SiC纳米复合薄膜性能与结构的影响

我们以硅烷(SiH4)和乙烯(C2H4)为原料,采用常压热分解APCVD法制备出了Si/SiC复合镀膜玻璃,并对其进行了退火处理.本文利用多种测试技术对退火后硅镀膜玻璃的光学性能以及其组成结构、化学稳定性等方面作了系统研究,发现退火处理能在保持镀膜玻璃其它重要性能变化不大的基础之上较好地改善硅镀膜玻璃的光学性能、降低玻璃的反射率、有效地防止目前日趋严重地光污染问题,为改善SSi/SiC复合镀膜玻璃的性能、扩大其应用领域作了有益的探索.     

纳米复合薄膜的制备及其应用研究

纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,正成为纳米材料的重要分支而越来越引起广泛的重视和深入的研究。本文全面介绍了纳米复合薄膜的发展历史、制备方法、薄膜性能及其应用前景。提出了纳米复合薄膜材料研究的关键问题以及今后的发展方向。     

3d过渡族金属杂质在硅中的行为

本文综述了３ｄ过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质，介绍了国际上在此领域的研究进展，为进一步开展这方面的工作提供了有益的借鉴。     

真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究

研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构,化学组成和成膜机理,通过X射线衍射,透射电镜电子衍射,X光电子能谱我光,暗电导测试等分析手段,系统表述了薄膜的组成,结构,表面氧化与真空热蒸发工艺的关系,指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数,150度左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量,另外,对CdTe薄膜的氧化机制和成膜机理也进行了初步探讨。     

PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H)

首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34eV)左右.通过红外光谱(FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构.发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高,认为薄膜的发光主要是由于跟氧有关的结构缺陷引起的.