自身电光效应补偿法测量DKDP晶体感应主轴方向的应力双折射

本文用DKDP晶体自身电光效应补偿的原理,测量了其感应主轴方向的应力双折射。     

La3Ga5SiO14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：介电常数ε11=18.27,ε33=52.26；压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N；弹性柔顺常数S11^E=9.28pm^2/N,S33^3E=6.14pm^2/N,S12^E=-2.72pm^2/N,S13^E=-2.33pm^2/N,S14^E=-3.48pm^2/N,S44^3E=20.56pm^2/N,S66^E=24.0pm^2/N。     

用于电光器件的硅酸镓镧单晶生长

在综述LGS晶体多功能应用的基础上,提出了生长适用于电光器件高质量LGS晶体的要求.在大量实验的基础上,总结了采用提拉法,在富Ga2O3的熔体中,调节平肩、平界面生长高质量晶体的条件.     

干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

KDP晶体电弹常数的测量

采用LRC电桥、谐振法和干涉法分别测量了磷酸二氢钾(KDP)晶体的相对介电常数、弹性应变常数和压电应变常数,并与文献中的相应数值作比较。该文实验测到KDP晶体的弹性柔顺系数s11=3.11×10-11 m2/N,弹性劲度系数c11=4.6×1010 N/m2,与以往相关文献中报道不符;压电应变常数d14=9.51×10-12 C/N,纠正了以往相关文献中的不精确报道;其他电弹系数的测试结果与文献数值相符。     

还原染料中汞的冷蒸气吸收法测定

探讨了微波消解后氢化物发生冷蒸气-原子吸收光谱法测定染料中汞的分析方法.比较了氯化亚锡和硼氢化钠分别作为还原剂测定汞含量的2种方法.结果表明:使用硼氢化钠作还原剂泡沫较少,但是存在共存离子干扰.最后选用氯化亚锡作还原剂,该方法的检出限为0.08 μg/L,回收率为95％～102％,线性范围为0～60 μg/L.     

基于混合基快速傅里叶变换的数字化电能质量分析系统

针对现有很多电能质量测量的方法太复杂和不实用的问题,提出了硬件频率检测和基于混合基快速傅里叶变换（FFT）相结合的方法,设计了基于 ARM处理器数字化电能质量分析系统。方法简单易实现,并能对电网谐波、电压波动、电压闪变快速准确的测量。试验测试证明,系统实现了实时性强、效率高、精度高的电能质量分析,并能满足 IEC 61000-4-30标准的要求。     

微波消解-氢化物发生原子吸收光谱法测定还原染料中的硒

本文探讨了微波消解,氢化物发生．原子吸收光谱法测定还原染料中硒的分析方法。通过加入尿素可以抑制硝酸的干扰,不需要赶酸,用盐酸还原后直接测定硒的含量,并用于实际样品的测定。方法的检出限0．10μg/L,线性范围0-40μg／L,回收率94％～101％。     

测量晶体折射率的一种简单方法——布儒斯特角法

介绍一种测量晶体折射率的简单方法。这种方法所用样品尺寸小，加工精度要求低，且测量过程简单，特别适合于测量那些不透明或半透明晶体的折射率。