大幅面拼接型高精度扫描仪中的高速/高品质矢量化实现

提出了整体复合阈值方法,成功实现了高精度图像高速/高品质矢量化转换,制作了首台基于多线阵CCD的大幅面拼接型高精度一次性成像扫描仪。实验及测试结果表明:制作的大幅面扫描仪最大幅面为A0,分辨率高达1200dpi,扫描速度达到2.54cm/s,扫描后拼接精度能达到±3pixel,单张高分辨率图像最大容量达到5Gbit左右,并在此大容量图像条件下,高速/高品质矢量化转换得以有效实现,1.4Gbit容量时,时长控制在了0.4s以内。大容量高速高品质矢量化转换在大幅面扫描装备的成功实施,解决了在基于多线阵CCD的大幅面拼接性高精度一次性成像扫描仪的诸多难题,填补了该领域的应用空白。     

波前编码成像系统仿真实验

扩大非相干光学成像系统的焦深已是应用光学领域热点问题。从相位掩膜板的基本原理出发,对其调制传递函数（MTF）的性质进行了深入分析,并从仿真实验结果中提出了一个重要参数a的设定方法,从而使得成像系统即使在前向离焦和后向离焦的较大范围内(－20≤ψ≤20)内传递函数仍表现出极不敏感性。这样可以用其最大离焦范围内中任意调制传递函数逆变化来还原图像。仿真实验证明了用该方法的可行性。     

激光化学诱导液相腐蚀新方法

提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明,抗蚀膜掩蔽法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差。因为以上优点,抗蚀膜掩蔽法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端,简化激光腐蚀工艺,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。     

激光化学腐蚀孔直径控制与横向腐蚀特性

提出了一种激光诱导液相腐蚀的抗蚀膜掩蔽法。理论分析和实验结果表明,该方法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差;避免了激光对腐蚀孔侧壁的直接照射,横向腐蚀由激光化学腐蚀变为轻微化学腐蚀,大大降低了横向腐蚀对腐蚀孔形状的影响。为说明抗蚀膜掩蔽法的横向腐蚀问题,专门对GaAs基片的轻微腐蚀性能进行了研究并报道了有价值的实验结果。     

基于多向投影新方法的捆钞印章个数统计

提出了一种快速自动统计印章个数的多向投影新方法。该方法基于图像处理理论,将采集到的捆钞图像从RGB空间转为LUV空间,然后通过聚类分析算法,得到捆钞的二值化图像,再利用多向投影的思路,依次在垂直和水平方向投影变换,完成印章个数的统计。理论分析及实验结果表明,该方法可以有效去除背景噪声的影响,不依赖于印章印迹的好坏,提高了印章个数自动统计的效率和准确率。     

20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz~16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/ Hz ;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.     

MPEG-2视频DCT量化模块FPGA高速实现

提出了一种全硬件实现高速MPEG-2视频DCT量化模块的新方法,并研究了DCT量化算法及其基于FPGA的实现方法.仿真、验证与测试结果均表明,通过使用FPGA实现DCT量化模块,可以有效地简化软硬件设计的复杂程度,并以全硬件的实现方式大幅提高DCT量化模块的处理速度,其实现成果对于解决广播电视系统对译码芯片的需求有一定价值.     

电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响

利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响.实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50 μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60 μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小.研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题.     

一种850 nm单片集成光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。