用固态杂质源在GaAs衬底上实现的连续波CO_2激光诱导Zn扩散

用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品进行扩散区形貌分析和杂质分布研究，给出了结深ｘｊ、杂质浓度分布Ｃ（ｘ，ｔ，Ｔ）等性能参数和扩散时间ｔ、温度Ｔ等工艺参数之间的关系，获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度     

红外电路板故障检测仪的数字图像采集

阐述了红外电路板故障检测仪中图像实时采集和传输的实现。主要讨论了系统设计、检测和驱动开发。采用接口芯片PCI9054作为PCI总线控制器和Xilinx公司的FPGA简化本地逻辑,大大缩短了硬件开发周期。工具WinDriver的使用降低了驱动开发的难度。换体存储和DMA传输方式的设计满足了高速、实时、准确的红外图像采集的要求。     

10Gb/s OEIC光接收机前端及3.125Gb/s限幅放大器

摘要：基于南京电子器件研究所Φ76mm GaAs pHEMT工艺,研制了10Gb/s OEIC光接收机前端,并首次采用耗尽型PHEMT设计并实现了限幅放大器。借助模拟软件ATLAS建立并优化了器件模型,组成形式为MSM光探测器和电流模跨阻放大器,探测器带宽超过10GHz,电容约3fF/μm,光敏面积50×50μm2,整个芯片面积1511μm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积1950μm×1910μm,在3.125Gb/s传输速率下,分别输入10mVpp和500mVpp,可以得到500mVpp恒定输出摆幅。     

基于FPGA与CIS的高速高精度图像采集系统

介绍一种基于FPGA和CIS（接触是图像传感器）全新的高速高精度图像采集系统。系统由1200dpi的CIS作为图像传感器,处理来自36个通道的模拟并行数据的12个高速AD,一片作为主处理器对图像数据做拼接和处理的FPGA芯片,和以LVDS方式将图像数据传至PC做进一步处理的Camera-link接口组成。实验结果表明采集的速度可高达12m/min,检测最小孔径为30μm,检孔误差小于0.5%。本图像采集系统已成功应用到自动光学检测设备上。     

基于多向投影新方法的捆钞印章个数统计

提出了一种快速自动统计印章个数的多向投影新方法。该方法基于图像处理理论,将采集到的捆钞图像从RGB空间转为LUV空间,然后通过聚类分析算法,得到捆钞的二值化图像,再利用多向投影的思路,依次在垂直和水平方向投影变换,完成印章个数的统计。理论分析及实验结果表明,该方法可以有效去除背景噪声的影响,不依赖于印章印迹的好坏,提高了印章个数自动统计的效率和准确率。     

一种850 nm单片集成光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。     

一种新的快速Hough变换圆检测方法

Hough变换圆检测(HTCD)存在计算量大和占用内存空间大的缺点,严重影响了该方法的计算效率。提出了一种新的快速Hough变换圆检测(FHTCD)的新方法。首先通过下采样,得到缩小的图像;进行Hough变换圆检测,得到粗尺度的检测结果。将结果恢复到原始尺度,在其放宽的误差范围内建立新的参量空间;再次进行Hough变换,可以得到圆检测精确值。新的方法通过压缩和适度控制参量空间,大大减少了冗余信息带来的计算量,提高了检测效率。实验证明,新的方法计算所需的时间最多不到HTCD方法的1/15;在强抗干扰条件下,其检测速度优于随机圆检测方法,有较好的检测精度,能满足实时处理的要求。     

基于连通区域特征的图像配准方法

提出了一种图像配准方法,对图像的平移、旋转以及缩放具有矫正效果.由于使用了连通区域作为配准对象,降低了算法复杂度,提高了效率.该方法对图像的连通区域进行检测,从而获得所有区域的属性特征,通过对这些特征进行多重筛选匹配得到图像变换前后的对应点,利用仿射变换矩阵结合插值运算进行图像的校正.实验结果表明,该方法对资源的占用比低,且具有较高的精度.     

OEIC台面腐蚀工艺研究

深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。     

5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.