微细氧化钴粉的研制

以硫酸钴为原料, 用草酸盐沉淀-灼烧方法制备了粒度为1～10 μm的微细氧化钴粉末。得出了最佳工艺条件: 硫酸钴浓度0.6～2.4 mol/L, pH = 4～5, n(C₂O₄^2- )∶n(Co²⁺) = 1.2～1.3, 沉淀温度40～50 ℃, 灼烧温度500～700℃, 灼烧时间5 h。     

表面活性剂协同效应的研究(英文)

新型表面活性剂的开发研究及现有品种的复配是表面活性剂研究领域中的两个主要方向。对洗涤剂中常用的表面活性剂 :烷基聚氧乙烯醚硫酸钠 (AES)、椰子油酰胺丙基甜菜碱 (KBT)和椰子油二乙醇酰胺 (CDEA)的复配进行了研究。采用滴体积法测定了混合溶液AES/KBT和AES/CDEA的表面张力σ ,再根据σ与溶液浓度C曲线 ,求得溶液的临界胶团浓度cmc、C =cmc时溶液的表面张力σcmc及σ =35mN·m-1时溶液的浓度C35。溶液的起泡性和泡沫稳定性则利用根据Ross -Mile原理自制的装置来测定。实验结果显示 ,在一定混合比时 ,混合溶液的cmc值比相应的任一纯组分的cmc0i 都要低 ,C35也低于纯组分的C035,说明两复配体系均有形成胶团和降低表面张力效率的协同效应。最小cmc值所对应的复配比例 (摩尔比 )为AES/KBT =0 46∶0 5 4,AES/CDEA =0 42∶0 5 8。实验结果还显示 ,混合溶液的起泡性和泡沫稳定性均有改善 ,特别是泡沫稳定性     

PIM中高分子裂解脱除过程的数学模型

建立了PIM脱脂过程中高分子高温裂解脱除的数学模型 ,分析了生坯中的应力分布 ,考察了恒加热速率、恒失重速率、保温处理工艺等对生坯应力的影响。结果显示 ,生坯内气体压力、径向应力、切向应力分布呈现中高外低分布 ,径向应力在生坯表面为零 ,而切向应力在表面不为零。与恒加热速率比较 ,恒失重速率和保温处理工艺可以有效降低生坯应力 ,但热脱脂工艺时间仍较长。采用恒应力方法对工艺进行优化设计 ,既可以有效降低生坯内应力 ,又可以大幅度缩短脱脂工艺时间。     

无机空心球材料的乳胶粒模板法制备及应用

对高分子乳胶粒模板法制备各种无机材料空心微球的研究进展进行了概述，介绍了空心微球作为新型无机材料在反应工程、光电材料、包覆材料以及新型化学建材等方面的潜在应用。     

石油亚砜从酸性硫脲浸金液中萃取Au(Ⅰ)的性能及机理

本文探讨了各种主要因素对石油亚砜从酸性硫脲浸金液中萃取Au(Ⅰ)的影响、用亚硫酸钠溶液从萃Au(Ⅰ)有机相中反萃Au(Ⅰ)的可能性,以及在酸性硫脲介质中亚砜萃取Au(Ⅰ)的机理。     

DBC从酸性溶液中萃取分离Pd(Ⅱ),Pt(Ⅱ)的研究

研究了采用DBC作为萃取剂,从酸性溶液中萃取分离Pd(Ⅱ),Pt(Ⅱ)的性能。分别考察了DBC体积分数、混合液的酸度、萃取时间、相比(O/A)对萃取分离Pd(Ⅱ),Pt(Ⅱ)性能的影响。通过正交实验得出Pd(Ⅱ)与Pt(Ⅱ)萃取分离的适宜条件,即DBC体积分数为10%、萃取时间t=10m in、相比O/A=1、盐酸浓度为2mol/L,Pd(Ⅱ)与Pt(Ⅱ)的分离萃取系数为320。实验分别研究了采用氨水进行反萃Pd(Ⅱ)和采用NaC l进行反萃Pt(Ⅱ)的性能,得出了Pd(Ⅱ)和Pt(Ⅱ)的反萃取条件。     

采用国内新技术节约能源

<正> 大吉山钨矿机电车间为节约能源,解决800马力压风机循环水冷却问题,于1985年底从河南沁县购进一台国产玻璃钢冷却塔,取代原苏式木结构水冷却装置,收到了较好的经济效益,使耗电量由原     

纳米材料的合成与制备进展研究

从纳米材料合成和制备的角度出发,较系统的阐述了纳米材料合成与制备的最新研究进展,包括气相法,液相法及固相法合成与制备纳米材料;并介绍了纳米材料在高科技领域中的应用展望.     

交替微波加热法制备Pt/C催化剂的研究

利用交替微波加热法制备了Pt载量高于 40 %的Pt/C催化剂 ,具有制备过程简单 ,方便 ,快速等特点。采用TEM和XRD等分析技术对催化剂进行了表征 ,并对甲醇的电化学氧化性能进行了研究。结果表明 :以本法制备的Pt/C催化剂的Pt颗粒高度均匀地分散于VulcanXC 72碳载体上 ,粒径分布在 2 5～ 5nm之间。由该催化剂制备的电极对甲醇的电化学氧化性能优于E TEK公司的同类产品     

电压公共回路存在的问题与对策

变电站采用3／2接线的母线,母线电压互感器（以下简称TV）一般只装设一相,作为同期并列之用,而保护与计量分别采用线路电压,不存在电压公用回路问题,电压回路接线比较简单。而双母线、单母线或单母线分段等接线的变电站,TV装没三相,TV二次的4根引入线和TV开口三角绕组的2根引入线,从TV二次绕组到电压并列装置,再经过电压并列装置到公用的电压小母线,如果接线错误,