建筑结构胶粘剂的发展和展望

建筑结构胶粘剂经过30多年的发展已成为重要的结构粘接材料。本文综述了建筑结构胶粘剂发展与技术进步。并针对研发、原材料、生产及标准中存在的问题,探讨了其发展方向。     

牛平17-14水平井机械隔离分段压裂技术

牛平17-14井是位于三塘湖盆地马朗凹陷牛圈湖构造带牛圈湖背斜上的一口水平井,水平井段岩性为细砂岩,测井解释孔隙度8.0%,渗透率2.0×10-3 μm2.为典型的低孔、低渗储层,方位沿最大主地应力方位,方位角225.27°,水平段长301.01 m,水平井段用140 mm套管完井,射孔层段厚度209 m,射孔后无产量,组织开展了K341-98封隔器+桥塞机械隔离分段压裂工艺技术配套研究,并在牛平17-14井分别对三段射孔段进行了卡封分层大规模改造,现场施工均一次成功,为国内水平井机械隔离大规模压裂提供了宝贵的经验.     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

LFMCW雷达运动目标高精度检测方法

LFMCW雷达检测运动目标，可以采用对称三角LFMCW信号，通过频域配对实现动目标距离、速度的去耦合。但是在实现时，如果只采用传统的FFT作为核心算法就会引起较大的测距、测速误差。本文采用FFT-CZT两级处理方法，从而在运算量增加不多的情况下，显著提高LFMCW雷达的动目标测距、测速精度。仿真结果表明，本方法适用于各种带宽的LFMCW雷达，具有通用性。     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

规范收购程序维护农民利益--粮食收购部门收购中计量作弊一例

一年一度的夏粮（小麦）征购工作即将开始 ,一些粮食收购部门为单纯追求自身经济利益 ,置法律和企业、农民的利益于不顾 ,在等级、结算量方面作弊 ,牟取暴利。笔者在前两年的执法检查工作中 ,发现和掌握了个别粮食部门在收购过程中存在的问题 ,主要是一些粮食部门通过不明示量值的方法伪造数据进行计量作弊。具体情况如下 :粮食部门在农副产品收购时 ,按正常程序（农副产品上秤→司秤员称重→报毛重量→填秤码单→复称〈此环节基本不做〉→入仓→扣杂除皮→填写结算单）进行 ,司秤员如果伪造数据 ,很容易被发现和查处。为此 ,一些粮食收购部…     

统计视角下动物源性食品安全监管问题及对策

<正>当前动物源性食品安全监管现状随着社会和经济水平的不断发展,人们的生活质量也逐步提升,对于生活水平的要求也变得越来越高,动物源性食品已经成为食品种比重较高的一个类型。所谓的动物源性食品,其实就是指的是生活中一切可供食用的动物组织、奶类以及蛋等,涵盖动物的肉类以及相关的制品等。这些动物源性食品为人们提供了丰富的蛋白质、维生素、脂肪以及各种营养物质和微量元素。发展到现在,动物性视食品已经成为人类生活中不可或缺的物质需求。随着社会经济水平的不断提高,动物源性食品使人们的饮食结构产生了非常大的变化。     

插入n-AlGaN/GaN超晶格改善GaN基LED的droop效应

在GaN基LED的n-GaN和InGaN/GaN发光区之间插入n-AlGaN/GaN超晶格来改善其droop效应。注入电流低于100mA时,插入n-AlGaN/GaN超晶格的LED的流明效率低于没有插入层的LED。注入电流高于100mA时,插入n-AlGaN/GaN超晶格的LED的流明效率高于没有插入层的LED。插入n-AlGaN/GaN超晶格后,GaN基LED在-5V的反向电压下,漏电由2.568029μA减少到0.070543μA。人体模式下,插入n-AlGaN/GaN超晶格的LED在2000V的静电电压下的通过率从60%提高到了90%。LED droop效应的改善是因为n-AlGaN/GaN超晶格过滤了穿透位错并改善了电流扩展能力。     

Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs

The influence of the growth temperature,TMIn/TEGa andⅤ/Ⅲratio on the V-defects of InGaN/GaN multi-quantum wells（MQWs） has been investigated and discussed.When the TMIn flow increases from 180 to 200 sccm,the density of V-defects increases from 2.72×10¹⁸ to 5.24×10¹⁸ cm^-2,and the V-defect width and depth increase too.The density also increases with the growth temperature.The densities are 2.05×10⁸,2.72×10¹⁸ and 4.23×10⁸ cm^-2,corresponding to a growth temperature of 748,753 and 758℃respectively.When the NH₃ flows are 5000,6600 and 8000 sccm,the densities of the V-defects of these samples are 6.34×10¹⁸,2.72×10¹⁸ and 4.13×10¹⁸ cm^-2,respectively.A properⅤ/Ⅲratio is needed to achieve step flow growth mode.We get the best quality of InGaN/GaN MQWs at a growth temperature of 753℃TMIn flow at 180 sccm,NH₃ flow at 6600 sccm,a flatter surface and less V-defects density.The depths of these V-defects are from 10 to 30 nm,and the widths are from 100 to 200 nm.In order to suppress the influence of V-defects on reverse current and electro-static discharge of LEDs,it is essential to grow thicker p-GaN to fill the V-defects.