首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   81篇
  免费   5篇
  国内免费   9篇
工业技术   95篇
  2024年   3篇
  2023年   2篇
  2022年   6篇
  2021年   4篇
  2020年   1篇
  2019年   10篇
  2018年   4篇
  2017年   2篇
  2016年   2篇
  2015年   4篇
  2014年   12篇
  2013年   5篇
  2012年   7篇
  2011年   9篇
  2010年   7篇
  2009年   3篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  1999年   3篇
  1998年   2篇
  1997年   3篇
  1995年   1篇
排序方式: 共有95条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
在铜基体上沉积Cu(Cr)-diamond复合过渡层,用热丝CVD法在复合过渡层上沉积出金刚石膜。用压痕法对沉积的金刚石膜/基结合性能进行了研究。结果表明,在Cu-diamond上沉积的金刚石膜,用147 N压痕时压痕边缘出现大面积崩落,并在基体表面留下被拔出的金刚石凹坑;在Cu-diamond中掺入微量Cr,压痕边缘只形成环形裂纹,增大压痕载荷至441 N,环形裂纹区域增大,并出现部分崩落,崩落区域有被切断的金刚石残留。在Cu-diamond复合层中掺入微量Cr能显著提高金刚石膜/基结合力。  相似文献   
82.
通过熔体快淬制备了Gd59Co41、Gd56Co44非晶条带,并对Gd56Co44非晶条带进行588K、10min的晶化处理。利用X射线衍射仪(XRD)分析了合金的结构,通过综合物性测量系统(PPMS)研究了合金的磁性及磁热效应。结果表明,Gd59Co41和Gd56Co44非晶条带的初始晶化温度分别为523和544K;Gd56Co44非晶条带晶化处理后获得了Ho4Co3型六方单相。非晶态和晶态合金在居里温度附近都发生铁磁到顺磁的二级相变。随着Gd/Co比例的降低,Gd59Co41和Gd56Co44非晶合金的居里温度(TC)从198K提高到217K;晶化处理后Gd56Co44合金的居里温度为218K,与非晶态合金相比变化甚微。在ΔH=5T时,Gd59Co41和Gd56Co44非晶合金的最大磁熵变(-ΔSM)和制冷能力(RC)分别为7.7J/kg·K、525J/kg和6.6J/kg·K、544J/kg;而Gd56Co44晶态合金的最大磁熵变(-ΔSM)和制冷能力(RC)分别为5.6J/kg·K和528J/kg。大的磁熵变和制冷能力,几乎可以忽略的矫顽力和热滞/磁滞效应,表明Gd-Co二元非晶和晶态系列合金是200K温区附近一类具有潜在应用价值的磁制冷工质。  相似文献   
83.
为了在分子动力学模拟中获得硅的金刚石结构,本研究提出了双晶格(DL)势的概念。双晶格势由两个描述面心立方晶格和一个描述两晶格间原子相互作用的势构成。该双晶格势用于Si晶体结构分子动力学模拟,并与Tersoff势、Stillinger-Weber(SW)势、原子间作用(EDI)势、电荷优化多体(COMB)势和修饰嵌入原子(MEAM)势的计算结果进行了对比。采用计算原子之间的距离及原子与其最近邻原子之间的角度的分布函数来识别模拟Si系统的晶体结构,并与理想的Si晶体进行比较。基于上述作用势通过分子动力学模拟计算了晶格常数,结晶温度和弹性常数。结果表明,只有DL势才能获得金刚石结构,模拟结果弹性常数大约比实验数据大13%,晶格常数约大4%。显示出DL势对Si晶体结构的分子动力学模拟的有效性。  相似文献   
84.
采用铜模铸造法制备了Mn1.15Fe0.85P0.55Si0.45化合物,并对其物相结构、显微组织及磁热效应进行了研究。结果表明,化合物具有六角Mn5.64P3型主相和少量Mn3Fe2Si3杂相;化合物的居里温度为305 K,热滞为13.5 K;在0~2 T外磁场下的最大等温磁熵变为12.2 J/(kg·K),远远高于纯Gd。同时为了探索大磁熵变的来源,采用Landau相变理论和"普适曲线"方法研究了该化合物的磁相变特性,Arrott曲线分析表明,该化合物在居里温度附近发生了明显的一级相变,而"普适曲线"理论分析表明,该化合物的磁相变介于一级和二级之间。  相似文献   
85.
采用气流磨破碎的Fe78Si9B13非晶合金粉末制备了非晶磁粉芯,研究了绝缘包覆工艺和热处理工艺对磁粉芯性能的影响。结果表明经磷酸丙酮溶液钝化处理的粉末制备的磁粉芯其性能要优于其他经氧化物粉末、矿物粉、硅酸盐包覆处理的粉末制备的磁粉芯。随着热处理温度的升高,磁粉芯的相对磁导率呈先增大后减小趋势,当热处理温度为400℃时,其所制备的磁粉芯的相对磁导率μe最大(26),损耗Ps最低(11.1 W/kg,50 kHz),相应的矫顽力Hc和品质因数Q分别达到最低值12.1 A/m和最高值273.9。  相似文献   
86.
随着市场对Nd-Fe-B永磁材料需求的不断增加,昂贵的Nd、Pr、Dy和Tb等关键稀土元素的消耗也日益增加,而廉价的Ce、La和Y等高丰度稀土元素积压严重。开发不含关键稀土元素的全高丰度永磁材料有望填补永磁铁氧体和黏结Nd-Fe-B磁体之间的性能空白,不仅可以满足中低端市场领域对永磁材料的多样化需求,也利于实现稀土资源的平衡利用。然而,目前针对Ce、La、Y基稀土永磁的理解和认识还有待深入,所获得的高丰度稀土永磁的性能普遍较低,难以实际应用。本文基于国内外最新进展和作者团队的研究工作,总结了近期关于不含关键稀土Nd、Pr、Dy和Tb的(Ce, La, Y)-Fe-B永磁合金和磁体的研究现状。重点关注了纳米晶快淬三元合金的相结构和冶金行为以及多元合金的成分设计与元素交互作用,详细阐述了全高丰度稀土基致密化磁体的制备工艺、显微组织与磁性能之间的关系。最后对全高丰度稀土永磁的未来发展趋势进行了展望。  相似文献   
87.
利用电磁炉生产过程中产生的MnZn铁氧体废料,研究了烧结气氛中的氧分压对以二次料为原料采用传统陶瓷法制备的MnZn铁氧体。利用多种表征手段,对MnZn铁氧体的的物相构成和微观结构进行表征,进而研究了氧分压对MnZn铁氧体的微观形貌和软磁性能的影响。结果表明,适当的氧分压可以改善组织。随着氧分压从8%减小至1%时,振幅磁导率先增大而后减小,矫顽力和比总损耗则先减小而后增大。当氧分压为3%时,样品具有单一的尖晶石型MnZn铁氧体相、较好的微观组织和最佳的软磁性能。在100mT和25kHz条件下测得的振幅磁导率、矫顽力和比总损耗分别为2970、11.6A/m和15.6W/kg。  相似文献   
88.
氮气雾化喷射沉积变形镍基高温合金   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用氮气雾化喷射沉积技术成功地获得了宇筋骨和变形镍基高温全金柱形坯。沉积坯整体致密、含气量低、成分均匀、组织细化。研究了和应变速率对沉积材料的高温变形抗力、工艺塑性的影响以及热加工和经5种没热处理后材料的显微组织特征。材料的最终力学性能达到或超过同成分的铸锻的标准要求。  相似文献   
89.
The uniform diamond films with 60 mm in diameter were deposited by improved DC arc plasma jet chemical vapor deposition technique. The structure of the film was characterized by scanning electronic microcopy(SEM) and laser Raman spectrometry. The thermal conductivity was measured by a photo thermal deflection technique. The effects of main deposition parameters on microstructure and thermal conductivity of the films were investigated. The results show that high thermal conductivity, 10.0 W/(K-cm), can be obtained at a CH4 concentration of 1.5% (volume fraction) and the substrate temperatures of 880-920 ℃ due to the high density and high purity of the film. A low pressure difference between nozzle and vacuum chamber is also beneficial to the high thermal conductivity.  相似文献   
90.
在电弧离子镀弧靶前加挡板以去除大颗粒污染,分别在Si(100)基底上制备非掺杂的纯AlN薄膜,在石英玻璃基底上制备Cu掺杂的AlN薄膜.用X射线衍射(XRD)分析表明,纯AlN膜为弱(100)多晶织构,而掺Cu的AlN薄膜为非晶结构;X射线光电子能谱(XPS)研究表明,Cu掺杂AlN薄膜中,Cu为+1价,原子百分含量为11%;光致发光谱显示纯AlN薄膜发紫光(~400nm),Cu掺杂的AlN薄膜发蓝光(~450nm).  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号