红铝-吗啡啉配合物用于酯到醛的还原

合成了一种还原剂,用于酯到醛的一步还原。配制方法:氮气氛围下,0℃时,将红铝滴加到吗啡啉中(红铝∶吗啡啉=1∶1.1摩尔比),反应2 h。该还原剂用于4-羰基缩乙二醇环己基甲酸乙酯的还原。结果表明,其对酯到醛的转化选择性可达94.9%。     

SiC MESFET工艺技术研究与器件研制

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB.     

Investigation on impurity transport using LBO technique

1. IntroductionIt is a common phenomenon in the tokamak devices that impurities have a concentrated trend towards the plasma central region. Impurity sourcesand its transport are very complicated, traditionalpassive methods can not be satisfied for the investigation of impurity transport. So transient perturbation methods have been developed and recognizedas the most appropriate for impurity transport measurement.The LBO technique is just the right transient perturbation method for this task…     

粘接剂对盐性环境下自冲铆接头耐久性的影响

制备了多组自冲铆接头及粘接-自冲铆复合接头(粘-铆复合接头),以0.6 mol·L^-1的NaCl溶液作为腐蚀液，进行了周期浸没加速腐蚀试验。通过腐蚀动力学、静力学测试及扫描电子显微镜对比分析了腐蚀环境下各组接头的力学性能和失效机理。结果表明，通过平底凹模制备的同种材料接头的耐腐蚀性更优。对于采用凸台凹模制备的接头，粘接剂的使用可减缓同种材料接头腐蚀速率、加剧异种材料接头的腐蚀速率。在腐蚀后的接头搭接区域观察到乳白色薄层和暗红色铁锈，该区域为主要腐蚀部位。异种材料接头搭接区域较同种材料接头的腐蚀程度更为严重。短时腐蚀可提高自冲铆接头强度，但随腐蚀时间的增加，接头强度呈下降趋势。腐蚀环境对异种材料接头影响更为显著。粘接剂的存在减缓了异种材料接头的腐蚀效应。接头断口形貌表明异种材料接头电化学反应剧烈，腐蚀液通过缝隙渗入接头内部，互锁结构被腐蚀。下板铆扣区域底部脱落由该区域早期产生的裂纹所致。异种材料接头生成的腐蚀产物表面疏松，利于Cl元素的渗透。     

4-[2''-(反式-4"-正丙基环己基)乙基]环己酮的合成

以反式-4-正丙基环己基甲酸和4-羰基环己基甲酸乙酯为原料,通过羧酸还原、溴代反应、羰基保护、酯还原、格氏反应、水解、醇脱水、加氢等8步反应合成了乙烷类液晶中间体4-[2’-(反式-4"-正丙基环己基)乙基]环己酮,熔点34.56℃。并用气相-质谱(GC-MS)、红外光谱(IR)、核磁共振氢谱(1H NMR)确认了结构。     

聚烯烃薄膜表面气固相光接枝改性

以UV（λ≥320nm）为光源，二苯甲酮为光引发剂，分别以丙烯酸（AA）和α－甲基丙烯酸（MAA）为单体，在LDPE和PP薄膜上成功地进行了表面光接枝改性。接枝薄膜用ATR－IR光谱方法进行测定和表征。辐照时间增加，接枝程度提高，经300秒反应，接枝LDPE薄膜接触角从103°下降至57°，分别测试了接枝薄膜的表面湿张力及染色性，结果表明：一般接枝程度赵高，湿张力越大，表面染色越深且均匀，以MAA为单体，在PE上接枝比在PP上容易进行，经PE为基材，用MAA接枝改性效果比用AA的要好。     

大转角张力放线施工

目前,国内送电线路走径,由于城市规划或特大山区等因素的限制,转角铁塔多,实际转角度也比较大,这对于机械化张力放线施工是很不利的。为充分发挥张力放线按区段放线和紧线的优越性,我们在大房500千伏送电线路工程中,进行了连续过大转角张力放线施工实践。现简要介绍如下。     

凹栅AlGaN/GaN HFET

研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm.     

X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT

使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.     

一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制

设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.