等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱

以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 10 5 0 cm- 1和 115 0 cm- 1附近有两个吸收峰 ,而弯曲振动模在 80 0 cm- 1附近有一个吸收峰 . 10 5 0 cm- 1和115 0 cm- 1 吸收带的吸收强度之和 Isum与薄膜中的 Si原子密度 NSi之比 Isum/ NSi在氧含量 x =0— 2 .0的范围内和 x成正比 .求得氧含量比例系数 ASi O (Si— O谐振子强度的倒数 )为 1.48× 10 1 9cm- 1 .     

SiO2＋ITO导电玻璃连续式生产线的计算机监控网络系统

本文在介绍SiO2 ITO导电玻璃连续式生产线的系统结构的基础上,给出了该生产线基于PC机的计算机监控网络系统。该系统为设备提供者、企业管理者、现场操作者提供了一个协调工作的平台。     

一种输入输出轨到轨的电流模式仪表放大器设计

本文提出了一种基于标准CMOS工艺的电流模式仪表放大器.该放大器内部运放采用斩波调制技术去除低频1/f噪声和失调,并采用正、负电荷泵,使系统具有轨到轨的输入能力.芯片使用TSMC 0.25μm CMOS混合信号工艺模型设计并流片.测试结果表明,使用60kHz的斩波频率,系统增益为40dB时,具有100dB的共模抑制比和...     

面向系统芯片的验证策略

随着集成电路的设计规模不断增大，芯片的验证工作变得越来越重要。文章首先回顾了一些常用的验证技术，然后分别讨论了SOC设计中所要进行的模块单独验证、芯片的全功能验证以及系统的软、硬件协同验证。     

n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性

实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4 Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应.实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性.     

基于频域特性的流水线ADC数字校正技术

针对流水线结构模拟数字转换器(ADC)中电容失配及放大器增益非线性引入的误差,提出一种新的数字校正技术.基于误差的频域特性,对电容失配和放大器增益非线性进行检测.每次检测后,通过变步长爬山算法和迭代算法,在数字域相应地调整校正函数来消除误差.基于该数字校正方法设计一个带有放大器增益非线性和1%电容失配的15位100MSPS的流水线ADC.仿真结果表明,经过数字校正SNDR和SFDR分别从56.4 dB和60.4 dB提高到91 dB和107.6 dBc,验证了该数字校正方法的有效性.     

VLSI片上互连线电感提取技术及考虑电感效应的互连分析

VDSM工艺下，芯片的高速、高集成度趋使电磁耦合作用不容忽略；而电感效应的引入使VLSI设计和验证变得复杂，本文阐述了VLSI片上互连线电感提取技术现状及发展方向，对各类提取方法作了扼要比较；同时探讨了互连分析中包含电感效应时存在的部分问题和解决办法，以期作为提高VLSI设计、分析和验证效率的有效向导。     

基于SOC典型结构的系统验证环境

IP集成已经成为SOC的主要设计方法，但是IP间的不兼容性和冲突带来了SOC设计的大量问题。文章给出了一种基于IP总线的SOC标准架构，并在这一架构上建立了系统验证环境。该验证环境利用现有的EDA工具，并建立在广泛使用的IP重用规范之上，因此具有很强的可移植性。同时，该环境使激励文件也能与IP一起被SOC设计重用，大大减轻了系统验证的工作。该环境适用于SOC设计的各个阶段，并且具有软硬件协同仿真的能力。     

带有温度补偿的高稳定性低压差线性稳压器

采用高温漏电流补偿技术设计了一种工作于－40～130 ℃的高稳定性低压差（LDO）线性稳压器.通过设计一种新型的动态米勒频率补偿结构，使LDO电路的稳定性与负载电流无关，达到了高稳定性设计要求.芯片设计基于CSMC公司的0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）混合信号模型，并通过了芯片测试验证.仿真与测试结果表明，该稳压器的输出电压温度漂移系数为2×10－5/℃，负载瞬态响应的建立时间小于50 μs，输出电压跳变小于50 mV.电源抑制比在1 kHz时为－50 dB.当输出电流为150 mA时，其输入 输出压差的典型值为170 mV.     

温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用

设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40～130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40～130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计.