一种具有750mA输出电流,双模式PWM/PFM控制的高效率直流一直流降压转换器

提出了一种输m电流可达750mA,脉宽调制(PwM)和变频调制(PFM)双模式控制的,高效率、高稳定性直流.直流降压转换器.该转换器在负载电流大于80mA时,采用开关频率为lMHz的PwM工作模式;在负载电流小于80mA时,采用开天频率减小和静态电流降低的PFM工作模式,实现了在整个负载电流变化范围(0.02～750mA)内,转换器均保持高效率.而且采用一种快速响应的电压模式控制结构,达到了优异的线性和负载调整特性.芯片采用CSMC公司0.5μm CMOS 2P3M混合信号上艺物理实现.测试结果表明,该电路可根据负载的变化在PWM和PFM模式下自动切换.最大转换效率达96.5%;当负载电流为0.02mA时,转换效率大于55%.该芯片特别适合电池供电的移动系统使用.     

基于∑-△调制的闭环D类放大器的系统分析

文章提出了一种新型的D类放大器的结构.D类放大器具有效率高的优点,因此在很多功耗低功耗设备中得到应用.但传统的D类放大器是开关型放大器,又是开环系统,所以不可避免的在输出信号中表现出较大的非线性,也无法抑制由于电源波动在输出级引入的噪声.在传统开环放大器的基础上同时引入∑-△调制技术以及闭环系统的概念,可有效抑制了传统开环放大器的非线性,并减小由于电源波动在输出级引入的噪声.文章先以1阶∑-△调制为例,理论分析∑-△调制在闭环系统中对D类放大器非线性和噪声的抑制作用,然后以7阶∑-△调制为例,用Simulink对系统进行建模和仿真,从而验证系统的正确性和有效性.     

基于事务的SoC验证策略

Soc设计需要详细的验证,但是传统验证方式工作量巨大.基于事务的验证方法是一种高层次的抽象的验证方法,它可以显著减少验证所需要的时间和精力,提高设计效率,增强设计信心,并能够迅速发现设计缺陷,提高产品质量以及缩短设计周期.     

自适应死区时间控制的数字控制ACF变换器

为了提高有源箝位反激(ACF)变换器的转换效率,提出基于自适应死区时间控制(ADTC)的数字控制ACF变换器设计技术. 通过副边采样检测2个原边功率管的零电压开关(ZVS)信息,实现对死区时间的自适应控制和功率管的ZVS,副边采样使采样器件的耐压要求降低. 基于CoolMOS功率管,开发ACF变换器的45 W (20 V/2.25 A)样机验证系统设计,用现场可编程门阵列(FPGA)实现数字控制. 测试结果表明,变换器在300 kHz开关频率下正常工作,在155 V直流电压输入和不同负载条件下自适应控制死区时间,实现原边功率管的ZVS,系统最高和最低效率分别为97.48%和92.86%.     

新型高电源抑制比CMOS电流基准

为提高CMOS集成电路中电流基准的精度和稳定性,提出了一种结构简单,电源抑制比(PSRR)很高的电流基准结构--三支路电流基准.应用基尔霍夫定律(Kirchhoff’s current and voltage law, Kcl Kvl)和偏微分方程,对比分析了传统的电流基准、共源共栅电流基准以及三支路电流基准的小信号模型,求解出了这3种电路的电源抑制比公式.对比发现传统电流基准和共源共栅电流基准的节点电压正反馈限制了电流基准的性能,三支路结构由于节点电压成强负反馈,拥有更高的PSRR.三支路电流基准采用了一阶温度补偿方案,保证了温度稳定性.经CSMC 0.5 μm工艺仿真结果显示,三支路基准在输入电压1.5~5.0 V的低频PSRR达-77.9 dB,明显优于另外两种结构;在-20~120 ℃温度区间内输出电流稳定性达到了255×10－6/℃,满足了大多数应用的要求.     

GaN基发光二极管研究与进展

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体GaN是最近研究比较活跃的半导体材料系，其高亮度发光二极管一出现即引起广泛的关注，并以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体二极管的研制和发展概况，应用和市场前景，以及近期研究热点作了介绍。     

DES算法的高速流水线实现

文章介绍了密码算法DES，分析了DES算法适用流水线实现的特点。并在此基础上介绍了一种流水线式高速实现DES加密解密的方法，这一算法同样可以应用于3-DES。     

基于条码识别技术的DTMF 自动拨号系统

基于条形码技术实现自动读取卡上信息，并产生DTMF(Double Tune Multiple Frequency)信号。利用89C51作为控制和接口单元，通过电气性能匹配，提供了条码阅读器与DTMF拨号集成电路的接口。规定了条形码编码标准并提出软件实现的方案以及从电话线获取系统工作电源的方法。     

基于优化电路的高性能乘法器设计

为了提高二进制乘法器的速度并降低其功耗,在乘法器的部分积产生模块采用了改进的基4Booth编码和部分积产生电路并在部分积压缩模块应用了7∶3压缩器电路,设计并实现了一种高性能的33×28二进制乘法器.在TSMC 90 nm工艺和0.9 V工作电压下,仿真结果与Synopsys公司module compiler生成的乘法器相比,部分积产生电路速度提高34%,7∶3压缩器和其他压缩器的结合使用减少了约一级全加器的延时,整体乘法器速度提高约17.7%.     

恒流/恒压充电方式的锂电池充电器芯片

提出了一种基于恒流-恒压(CC-CV)充电模式的锂电池充电器.在CC-CV充电模式下,充电器先给电池提供大的充电电流;在电池电压尚未到达饱和之前,充电电流便开始减小;电池电压达到饱和并保持恒定之后,充电电流进一步减小.这种充电方法,能够避免在电池电压的饱和值附近仍对电池进行大电流充电,从而导致过热现象.对这块充电器芯片核心电路的创新设计,保证了这种CC-CV充电模式的实现.本芯片采用CSMC公司0.6μm的CMOS工艺流片.测试结果验证了本文提出的CC-CV充电模式的实现.充电完成后,锂电池电压为4.1833V.